Walter Schottky Institute
Center for Nanotechnology and Nanomaterials

PD Dr. Gregor Koblmueller

PD Dr. Gregor Koblmueller
Sub-Group Leader

Room S315
Tel.: (+49) 089 289 12779


Break-down of corner states and carrier localization by monolayer fluctuations in radial nanowire quantum wells
Nano Letters 19, ASAP (2019)
M. M. Sonner, A. Sitek, L. Janker, D. Rudolph, D. Ruhstorfer, M. Döblinger, A. Manolescu, G. Abstreiter, J. J. Finley, A. Wixforth, G. Koblmueller, H. J. Krenner
Online Ref
Contactless optical characterization of carrier dynamics in free-standing InAs-InAlAs core-shell nanowires on silicon
Nano Letters 19, 990 (2019)
X. Li, K. Zhang, J. Treu, L. Stampfer, G. Koblmueller, F. Toor, J. Prineas
Online Ref
Dislocation-induced thermal transport anisotropy in single-crystal group-III nitride films
Nature Materials 18, 136 (2019)
B. Sun, G. Haunschild, C. Polanco, J. Ju, L. Lindsay, G. Koblmueller, Y. K. Koh
Online Ref
Tuning Lasing Emission toward Long Wavelengths in GaAs-(In,Al)GaAs Core–Multishell Nanowires
Nano Letters 18, 6292 (2018)
T. Stettner, A. Thurn, M. Döblinger, M. O. Hill, J. Bissinger, P. Schmiedeke, S. Matich, T. Kostenbader, D. Ruhstorfer, H. Riedl, M. Kaniber, L. J. Lauhon, J. J. Finley, G. Koblmueller
Online Ref
Connecting composition-driven faceting with facet-driven composition modulation in GaAs-AlGaAs core-shell nanowires
Nano Letters 18, 5179 (2018)
N. Jeon, D. Ruhstorfer, M. Döblinger, S. Matich, B. Loitsch, G. Koblmueller, L. J. Lauhon
Online Ref
Noise insights into electronic transport
JTEP Letters, 1-14 (2018)
S.U. Piatrusha, L.V. Ginzburg, E.S. Tikhonov, D.V. Shovkun, G. Koblmueller, A.V. Bubis, A.K. Grebenko, A.G. Nasibulin, V.S. Khrapai
Online Ref
Helium ion microscopy as a high-resolution probe for complex quantum heterostructures in core-shell nanowires
Nano Letters 18, 3911 (2018)
C. Pöpsel, J. Becker, N. Jeon, M. Döblinger, T. Stettner, Y. Trujillo Gottschalk, B. Loitsch, S. Matich, M. Altzschner, A.W. Holleitner, J. Finley, L.J. Lauhon, G. Koblmueller
Online Ref
Carrier trapping and activation at short-period wurtzite/zinc-blende stacking sequences in polytypic InAs nanowires
Phys. Rev. B 97, 115306 (2018)
J. Becker, S. Morkoetter, J. Treu, M. Sonner, M. Speckbacher, M. Doeblinger, G. Abstreiter, J. J. Finley, G. Koblmueller
Online Ref
Carrier concentration dependent photoluminescence properties of Si-doped InAs nanowires
Appl. Phys. Lett. 112, 091904 (2018)
M. Sonner, J. Treu, K. Saller, H. Riedl, J. J. Finley, G. Koblmueller
Online Ref
Correlated chemical and electrically active dopant analysis in catalyst-free Si-doped InAs nanowires
ACS Nano 12, 1603 (2018)
J. Becker, M. O. Hill, M. Sonner, J. Treu, M. Döblinger, A. Hirler, H. Riedl, J. Finley, L. J. Lauhon, G. Koblmueller
Online Ref
Measuring three-dimensional strain and structural defects in a single InGaAs nanowire using coherent x-ray multiangle Bragg projection ptychography
Nano Letters 18, 811 (2018)
M. O. Hill, I. Calvo-Almazan, M. Allain, M. Holt, A. Ulvestad, J. Treu, G. Koblmueller, C. Huang, X. Huang, H. Yan, E. Nazarestski, Y. S. Chu, G. B. Stephenson, V. Chamard, L. Lauhon, O. Hruszkewycz
Online Ref
Direct coupling of coherent emission from site-selectively grown III-V nanowire lasers into proximal silicon waveguides
ACS Photonics 4, 2537 (2017)
T. Stettner, T. Kostenbader, D. Ruhstorfer, J. Bissinger, H. Riedl, M. Kaniber, G. Koblmueller, J. Finley
Online Ref
Enhanced THz emission efficiency of composition-tunable InGaAs nanowire arrays
Appl. Phys. Lett. 110, 201106 (2017)
I. Beleckaite, J. Treu, S. Morkötter, M. Doeblinger, X. Xu, R. Adomavicius, J. Finley, G. Koblmueller, A. Krotkus
Online Ref
GaAs-AlGaAs core-shell nanowire lasers on silicon: Invited Review
Semicond. Sci. Techol. Topical Review (2017)
G. Koblmueller, B. Mayer, T. Stettner, G. Abstreiter, J. Finley
Online Ref
Long-term mutual phase locking of picosecond pulse pairs generated by a semiconductor nanowire laser
Nature Comm. 8, 15521 (2017)
B. Mayer, A. Regler, S. Sterzl, T. Stettner, G. Koblmueller, M. Kaniber, B. Lingnau, K. Luedge, J. Finley
Online Ref
Nanometer-scale resolved cathodoluminescence imaging: New insights into GaAs/AlGaAs core-shell nanowire lasers
Microscopy and Microanalysis 23, 1470 (2017)
M. Mueller, P. Veit, B. Loitsch, J. Winnerl, S. Matich, F. Bertram, G. Koblmueller, J. Finley, J. Christen
Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control
Appl. Phys. Lett. 108, 11108 (2016)
T. Stettner, P. Zimmermann, B. Loitsch, M. Döblinger, A. Regler, B. Mayer, J. Winnerl, S. Matich, H. Riedl, M. Kaniber, G. Abstreiter, G. Koblmueller, J. Finley
Online Ref
Continuous wave lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires
Appl. Phys. Lett. 108, 71107 (2016)
B. Mayer, L. Janker, D. Rudolph, B. Loitsch, T. Kostenbader, G. Abstreiter, G. Koblmueller, J. Finley
Online Ref
Monolithically integrated high-beta nanowire lasers on silicon
Nano Letters 16, 152 (2016)
B. Mayer, L. Janker, B. Loitsch, J. Treu, T. Kostenbader, S. Lichtmannecker, T. Reichert, S. Morkötter, M. Kaniber, G. Abstreiter, C. Gies, G. Koblmueller, J. Finley
Online Ref
The native material limit of electron and hole mobilities in semiconductor nanowires
ACS Nano, 4942 (2016)
J. B. Kinzel, F. J. R. Schuelein, M. Weiss, L. Janker, D. D.  Buehler, M. Heigl, D. Rudolph, S. Morkötter, M. Doeblinger, M. Bichler, G. Abstreiter, J. Finley, A. Wixforth, G. Koblmueller, H. Krenner
Online Ref
Towards pxn transverse thermoelectrics: extreme anisotropic conduction in bulk doped semiconductor thin films via proton implantation
SPIE OPTO, 976508 (2016)
Y. Tang, G. Koblmueller, H. Riedl, M. Grayson
Online Ref
Alloy Fluctuations Act as Quantum Dot-like Emitters in GaAs-AlGaAs Core–Shell Nanowires
ACS Nano 9, 8335 (2015)
N. Jeon, B. Loitsch, S. Morkötter, G. Abstreiter, J. Finley, H. Krenner, G. Koblmueller, L. Lauhon
Online Ref
Crystal phase quantum dots in the ultrathin core of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires
Nano Letters 15, 7544 (2015)
B. Loitsch, J. Winnerl, G. Grimaldi, J. Wierzbowski, D. Rudolph, S. Morkötter, M. Doeblinger, G. Abstreiter, G. Koblmueller, J. Finley
Online Ref
Independent dynamic acousto-mechanical and electrostatic control of individual quantum dots in a LiNbO3-GaAs hybrid
Appl. Phys. Lett., 13107 (2015)
J. Pustiowski, K. Mueller, M. Bichler, G. Koblmueller, J. Finley, A. Wixforth, H. J. Krenner
Modelling and simulation of InGaAs nanowire solar cells
IEEE Nano, Proc. Intl. Conf. on Nanotechnology 728-731 (2015)
B. Popescu, D. Popescu, P. Luppina, J. Treu, G. Koblmueller, P. Lugli, S. Goodnick
Online Ref
Photocurrents in a single InAs nanowire/ silicon heterojunction
ACS Nano 9, 9849 (2015)
A. Brenneis, J. Overbeck, J. Treu, S. Hertenberger, S. Morkötter, M. Döblinger, J. Finley, G. Abstreiter, G. Koblmueller, A. Holleitner
Online Ref
Ultrafast photodetection in the quantum wells of single AlGaAs/GaAs-based nanowires
Nano Letters 15, 6869–6874 (2015)
N. Erhard, S. Zenger, S. Morkötter, D. Rudolph, M. Weiss, H. Krenner, H. Karl, G. Abstreiter, J. Finley, G. Koblmueller, A. Holleitner
Online Ref
Dynamic acoustic control of individual optically active quantum dot-like emission centers in heterostructure nanowires
Nano Letters, 2256 (2014)
M. Weiss, J. B. Kinzel, F. J. R. Schuelein, M. Heigl, D. Rudolph, S. Morkötter, M. Doeblinger, M. Bichler, G. Abstreiter, J. Finley, G. Koblmueller, A. Wixforth, H. J. Krenner
Online Ref
Growth and properties of InGaAs nanowires on silicon
phys. stat. sol., Topical Review (2014)
G. Koblmueller, G. Abstreiter
Online Ref
Molecular Beam Epitaxy of Nitrides for Advanced Electronic Materials
Handbook of Crystal Growth, Thin Films and Epitaxy (Elsevier, ed. by T. Kuech), pp. 704-751, November (2014), Thin Films and Epitaxy (2014)
G. Koblmueller, J. R. Lang, E. C. Young, J. S. Speck
Online Ref
Pressure dependence of Raman spectrum in InAs nanowires
J. Phys. Cond. Matt, 235301 (2014)
S. Yazji, I. Zardo, S. Hertenberger, S. Morkötter, G. Koblmueller, G. Abstreiter, P. Postorino
Radio frequency occupancy state control of single nanowire quantum dot
J. Phys. D: Appl. Phys. (2014)
M. Weiss, F. J. R. Schuelein, J. B. Kinzel, M. Heigl, D. Rudolph, M. Bichler, G. Abstreiter, J. Finley, A. Wixforth, G. Koblmueller, H. J. Krenner
Online Ref
Strong THz emission and its origin from catalyst-free InAs nanowire arrys
Nano Letters, 1508 (2014)
A. Arlauskas, J. Treu, K. Saller, I. Beleckaite, G. Koblmueller, A. Krotkus
Online Ref
Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN
phys. stat. sol. (c), DOI:10.1002 (2014)
V. Prozheeva, F. Tuomisto, G. Koblmueller, J. S. Speck, A. Knuebel, R. Aidam
Online Ref
Acoustically regulated carrier injection into a single optically active quantum dot
Phys. Rev. B 88, 85307 (2013)
F. Schülein, K. Mueller, M. Bichler, G. Koblmueller, J. Finley, A. Wixforth, H. Krenner
Online Ref
Dirac cone shift of a passivated topological Bi2Se3 interface state
Phys. Rev. B, 155126 (2013)
G. S. Jenkins, D. C. Schmadel, A. B. S., H. D. Drew, M. Bichler, G. Koblmueller, M. Brahlek, N. Bansal, S. Oh
Online Ref
E1(A) Electronic band gap of wurtzite InAs nanowires studied by resonant Raman scattering
Nano Letters, 3011 (2013)
I. Zardo, S. Yazji, N. Hoermann, S. Hertenberger, S. Funk, S. Mangialardo, S. Morkötter, G. Koblmueller, P. Postorino, G. Abstreiter
High mobility one- and two-dimensional electron systems in nanowire-based quantum heterostructures
Nano Letters, 6189 (2013)
S. Funk, M. Royo, I. Zardo, D. Rudolph, S. Morkötter, B. Mayer, J. Becker, A. Bechtold, S. Matich, M. Doeblinger, M. Bichler, G. Koblmueller, J. Finley, A. Bertoni, G. Goldoni, G. Abstreiter
Online Ref
Lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires up to room-temperature
Nature Comm., 2931 (2013)
B. Mayer, D. Rudolph, J. Schnell, S. Morkötter, J. Winnerl, J. Treu, K. Mueller, G. Bracher, G. Abstreiter, G. Koblmueller, J. Finley
Online Ref
Probing the trapping and thermal activation dynamics of excitons at single twin defects in GaAs–AlGaAs core–shell nanowires
New J. Phys., 113032 (2013)
D. Rudolph, L. Schweickert, S. Morkötter, L. Hanschke, S. Hertenberger, M. Bichler, G. Koblmueller, G. Abstreiter, J. Finley
Online Ref
Selective dry etching of N-face (Al,In,Ga)N heterostructures
US Patent, 130,099,277 (2013)
J. S. Speck, E. L. Hu, C. Weisbuch, Y. S. Choi, G. Koblmueller, M. Iza, C. Hurni
Ultrafast photocurrents and THz generation in single InAs nanowires
N. Erhard, P. Seifert, L. Prechtel, S. Hertenberger, H. Karl, G. Abstreiter, G. Koblmueller, A. Holleitner
Online Ref
All optical quantum control of a spin-quantum state and ultrafast transduction into an electric current
Scientific Reports 3, 1906 (2013)
K. Mueller, T. Kaldewey, R. Ripszam, J. Wildmann, A. Bechtold, M. Bichler, G. Koblmueller, G. Abstreiter, J. Finley
Online Ref
Coupling of guided surface plasmon polaritons to proximal self-assembled InGaAs quantum dots
Proc. of SPIE 8269, 826920 (2012)
G. Bracher, K. Schraml, M. Blauth, C. Jakubeit, G. Koblmueller, K. Mueller, M. Bichler, M. Kaniber, J. Finley
Online Ref
Diameter dependent optical emission properties of InAs nanowires grown on Si
Appl. Phys. Lett. 101, 53103 (2012)
G. Koblmueller, K. Vizbaras, S. Hertenberger, S. Morkötter, D. Rudolph, J. Becker, M. Doeblinger, M. C. Amann, J. Finley, G. Abstreiter
Online Ref
Optimization of AlAs/AlGaAs quantum well heterostructures on on-axis and misoriented GaAs (111) B
Appl. Phys. Lett., 192106 (2012)
F. Herzog, M. Bichler, G. Koblmueller, S. Prabhu-Gaunkar, W. Zhou, M. Grayson
Surface acoustic wave controlled charge dynamics in a thin InGaAs quantum well
JETP Letters, 11, 653, (2012)
F. Schülein, J. Pustiowski, K. Mueller, M. Bichler, G. Koblmueller, J. Finley, A. Wixforth, H. Krenner
Online Ref
Directional and Dynamic Modulation of the Optical Emission of an Individual GaAs Nanowire Using Surface Acoustic Waves
Nano Letters, 1512 (2011)
J. B. Kinzel, D. Rudolph, M. Bichler, G. Abstreiter, J. Finley, G. Koblmueller, A. Wixforth, H. Krenner
Online Ref
Effect of charged dislocation scattering on electrical and electrothermal transport in n-type InN
Phys. Rev. B, 75315 (2011)
N. Miller, E. E. Haller, G. Koblmueller, C. Gallinat, J. S. Speck, W. J. Schaff, M. E. Hawkridge, K. M. Yu, J. W. Ager
Effects of stacking variations on the lattice dynamics of InAs nanowires
Phys. Rev. B, 155301 (2011)
N. Hoermann, I. Zardo, S. Hertenberger, S. Funk, S. Bolte, M. Döblinger, G. Koblmueller, G. Abstreiter
Online Ref
Nano Antenna Array for Terahertz Detection
IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 2751 (2011)
M. Bareiss, B. N. Tiwari, A. Hochmeister, G. Jegert, U. Zschieschang, H. Klauk, B. Fabel, G. Scarpa, G. Koblmueller, G. H. Bernstein, W. Porod, P. Lugli
Temperature-dependence and microscopic origin of low-frequency 1/f noise in GaN/AlGaN high electron mobility transistors
Appl. Phys. Lett., 203501 (2011)
T. Roy, E. X. Zhang, Y. S. Puzyrev, X. Shen, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, G. Koblmueller, R. Chu, C. Poblenz, N. Fichtenbaum, C. S. Suh, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. T. Pantelides
Online Ref
Evaluation of threading dislocation densities in In- and N-face InN
J. Appl. Phys. (2010)
C. S. Gallinat, G. Koblmueller, F. Wu, J. S. Speck
High temperature molecular beam epitaxial growth of AlGaN/GaN on GaN templates with reduced interface impurity levels
J. Appl. Phys., 43527 (2010)
G. Koblmueller, R. M. Chu, A. Raman, U. K. Mishra, J. S. Speck
Hole transport and photoluminescence in Mg-doped InN
J. Appl. Phys., 113712 (2010)
N. Miller, J. W. Ager, H. M. Smith, M. A. Mayer, K. M. Yu, E. E. Haller, W. Walukiewicz, W. J. Schaff, G. Gallinat, G. Koblmueller, J. S. Speck
In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Appl. Phys. Lett., 251907 (2010)
F. Reurings, F. Tuomisto, C. S. Gallinat, G. Koblmueller, J. S. Speck
In vacancies in Si-doped InN
phys. stat. sol. (a), 1083 (2010)
C. Rauch, F. Reurings, F. Tuomisto, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, W. J. Schaff, C. S. Gallinat, G. Koblmueller, J. S. Speck, W. Egger, B. Lowe, L. Ravelli, S. Sojak
Influence of Ga/N ratio on morphology, vacancies, and electrical transport in GaN grown by molecular beam epitaxy at high temperature
Appl. Phys. Lett., 191915 (2010)
G. Koblmueller, F. Reurings, F. Tuomisto, J. S. Speck
Low defect-mediated reverse-bias leakage in (0001) GaN via high-temperature molecular beam epitaxy
Appl. Phys. Lett., 102111 (2010)
J. J. M. Law, E. T. Yu, G. Koblmueller, F. Wu, J. S. Speck
Optical anisotropy of a- and m-plane InN grown on free-standing GaN substrates
phys. stat. sol. (a), 1062 (2010)
P. Schley, J. Rathel, E. Sakalauskas, G. Gobsch, M. Wieneke, J. Blasing, A. Krost, G. Koblmueller, J. S. Speck, R. Goldhahn
Self-induced growth of vertical free-standing InAs nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy
Nanotechnology, 365602 (2010)
G. Koblmueller, S. Hertenberger, K. Vizbaras, M. Bichler, F. Bao, J. P. Zhang, G. Abstreiter
Surface, bulk, and interface electronic properties of nonpolar InN
Appl. Phys. Lett., 112103 (2010)
W. M. Linhart, T. D. Veal, P. D. C. King, G. Koblmueller, C. S. Gallinat, J. S. Speck, C. F. McConville
Surface, bulk, and interface electronic properties of nonpolar InN
Appl. Phys. Lett., 112103 (2010)
W. M. Linhart, T. D. Veal, P. D. C. King, G. Koblmueller, C. S. Gallinat, J. S. Speck, C. F. McConville
Terahertz radiation from nonpolar InN due to drift in an intrinsic in-plane electric field
Appl. Phys. Exp., 92201 (2010)
G. D. Metcalfe, H. E. Shen, M. Wraback, G. Koblmueller, C. Gallinat, F. Wu, J. S. Speck
Thermal conductivity of GaAs nanowires studied by micro-Raman spectroscopy combined with laser heating
Appl. Phys. Lett., 263107 (2010)
M. Soini, I. Zardo, E. Uccelli, S. Funk, G. Koblmueller, A. Fontcuberta i Morral, G. Abstreiter
Online Ref
THz generation from InN films due to destructive interference between optical rectification and photocurrent surge
Semicond. Sci. and Technol., 15004 (2010)
G. B. Xu, Y. J. J. Ding, H. P. Zhao, G. Y. Liu, M. Jamil, N. Tansu, I. B. Zotova, C. E. Stutz, D. E. Diggs, N. Fernelius, F. K. Hopkins, C. S. Gallinat, G. Koblmueller, J. S. Speck

Walter Schottky Institut About the Institute Research

Technische Universität München Annual Reports Photonics & Optoelectronics
Am Coulombwall 4 Events and News Quantum Technologies
D-85748 Garching History of WSI Energy Materials
Germany How to get to WSI Engineered Nanomaterials
Scientific Background Functional Interfaces
Tel: +49-(0)89-289-12761 Seminars Nanofabrication
Fax: +49-(0)89-289-12737 The WSI in Numbers

Partners Publications
(c) 2018 Walter Schottky Institut WSI Association


Walter Schottky Institut Navigation

Technische Universität München Contact
Am Coulombwall 4 Groups
D-85748 Garching Institute
Germany Partners
Tel: +49-(0)89-289-12761 Research
Fax: +49-(0)89-289-12737 Groups
(c) 2018 Walter Schottky Institut