PD Dr. Gregor Koblmueller

 
Room: S315
Category: Scientific Staff
Phone: 12779
Email: Gregor.Koblmueller(at)wsi.tum.de

since 2009   Sr. Principal Scientist - WSI & Physics Dept., TU Munich

                  Group Leader - Semiconductor Quantum Nanomaterials

2005-2008   Postdoctoral Research Associate & Ass. Project Scientist

                  Materials Department, UC Santa Barbara, U. S. A.

2002-2005   Graduate Student Researcher

                  Institute of Solid State Physics, TU Vienna & Infineon Corporate Research

 

Honors/Awards

2017         ERC Consolidator Grant Award

2017         Principal Investigator - Nanosystems Initiative Munich

2016         Habilitation

2015         Arnold Sommerfeld Prize

2010         Intl. Young Investigator MBE Award

2009         Marie Curie Intl. Integration Fellowship Award

2006         IUPAP (ICPS) Young Author Best Paper Award

Visit our group webpage:

http://www.wsi.tum.de/Research/FinleygroupE24/ResearchAreas/IIIVSemiconductorMaterials/tabid/309/Default.aspx

 

Publications

Direct coupling of coherent emission from site-selectively grown III-V nanowire lasers into proximal silicon waveguides

ACS Photonics 4, 2537 (2017)

T. Stettner | T. Kostenbader | D. Ruhstorfer | J. Bissinger | H. Riedl | M. Kaniber | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Enhanced THz emission efficiency of composition-tunable InGaAs nanowire arrays

Appl. Phys. Lett. 110, 201106 (2017).

I. Beleckaite | J. Treu | S. Morkötter | M. Doeblinger | X. Xu | R. Adomavicius | J. Finley | G. Koblmueller | A. Krotkus

Online Reference

GaAs-AlGaAs core-shell nanowire lasers on silicon: Invited Review

Semicond. Sci. Techol. 32, 053001 (2017).

G. Koblmueller | B. Mayer | T. Stettner | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Long-term mutual phase locking of picosecond pulse pairs generated by a semiconductor nanowire laser

Nature Comm. 8, 15521 (2017)

B. Mayer | A. Regler | S. Sterzl | T. Stettner | G. Koblmueller | M. Kaniber | B. Lingnau | K. Luedge | J. Finley

Online Reference

Nanometer-scale resolved cathodoluminescence imaging: New insights into GaAs/AlGaAs core-shell nanowire lasers

Microscopy and Microanalysis 23, 1470 (2017).

M. Mueller | P. Veit | B. Loitsch | J. Winnerl | S. Matich | F. Bertram | G. Koblmueller | J. Finley | J. Christen

Proximity effect and interface transparency in Al/InAs-nanowire/Al diffusive junctions

Semicond. Sci. Technol. 32, 094007 (2017).

A. V. Bubis | A. O. Denisov | S. U. Piatrusha | I. E. Batov | J. Becker | D. Ruhstorfer | V. S. Khrapai | G. Koblmueller

Online Reference

Quantum transport and sub-band structure of modulation-doped GaAs/AlAs core-superlattice nanowires

Nano Lett. 17, 4886 (2017).

D. Irber | J. Seidl | D. Carrad | J. Becker | N. Jeon | B. Loitsch | J. Winnerl | S. Matich | M. Doeblinger | Y. Tang | S. Morkötter | G. Abstreiter | J. Finley | M. Grayson | L. J. Lauhon | G. Koblmueller

Online Reference

Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control

Appl. Phys. Lett. 108, 011108 (2016).

T. Stettner | P. Zimmermann | B. Loitsch | M. Döblinger | A. Regler | B. Mayer | J. Winnerl | S. Matich | H. Riedl | M. Kaniber | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Continuous wave lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Appl. Phys. Lett. 108, 071107 (2016).

B. Mayer | L. Janker | D. Rudolph | B. Loitsch | T. Kostenbader | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Direct measurements of Fermi level pinning at the surface of intrinsically n-type InGaAs nanowires

Nano Lett. 16, 5135 (2016).

M. Speckbacher | J. Treu | T. J. Whittles | W. M. Linhart | X. Xu | K. Saller | V. R. Dhanak | G. Abstreiter | J. Finley | T. D. Veal | G. Koblmueller

Online Reference

Microscopic nature of crystal phase quantum dots in ultrathin GaAs nanowires by nanoscale luminescence characterization

New J. Phys. 18, 063009 (2016).

B. Loitsch | M. Mueller | J. Winnerl | P. Veit | D. Rudolph | G. Abstreiter | J. Finley | F. Bertram | J. Christen | G. Koblmueller

Online Reference

Monolithically integrated high-beta nanowire lasers on silicon

Nano Letters  16, 152 (2016)

B. Mayer | L. Janker | B. Loitsch | J. Treu | T. Kostenbader | S. Lichtmannecker | T. Reichert | S. Morkötter | M. Kaniber | G. Abstreiter | C. Gies | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Suppression of alloy fluctuations in GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Appl. Phys. Lett. 109, 093105 (2016).

B. Loitsch | N. Jeon | M. Döblinger | J. Winnerl | E. Parzinger | S. Matich | U. Wurstbauer | H. Riedl | G. Abstreiter | J. Finley | L. J. Lauhon | G. Koblmueller

Online Reference

The native material limit of electron and hole mobilities in semiconductor nanowires

ACS Nano 10, 4942 (2016).

J. B. Kinzel | F. J. R. Schuelein | M. Weiss | L. Janker | D. D.  Buehler | M. Heigl | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | A. Wixforth | G. Koblmueller | H. Krenner

Online Reference

Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices

AIP Advances 6, 045216 (2016).

J. Zi-Jian Ju | B. Sun | G. Haunschild | B. Loitsch | B. Stoib | M. S. Brandt | M. Stutzmann | Y. K. Koh | G. Koblmueller

Online Reference

Towards pxn transverse thermoelectrics: extreme anisotropic conduction in bulk doped semiconductor thin films via proton implantation

SPIE OPTO, 976508 (2016).

Y. Tang | G. Koblmueller | H. Riedl | M. Grayson

Online Reference

Widely tunable alloy composition and crystal structure in catalyst-free InGaAs nanowire arrays grown by selective area molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 108, 053110 (2016).

J. Treu | M. Speckbacher | K. Saller | S. Morkötter | M. Doeblinger | X. Xu | H. Riedl | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller

Online Reference

Alloy Fluctuations Act as Quantum Dot-like Emitters in GaAs-AlGaAs Core–Shell Nanowires

ACS Nano 9, 8335 (2015)

N. Jeon | B. Loitsch | S. Morkötter | G. Abstreiter | J. Finley | H. Krenner | G. Koblmueller | L. Lauhon

Online Reference

Crystal phase quantum dots in the ultrathin core of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Nano Letters 15, 7544 (2015)

B. Loitsch | J. Winnerl | G. Grimaldi | J. Wierzbowski | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Demonstration of confined electron gas and steep-slope behavior in delta-doped GaAs-AlGaAs core-shell nanowire transistors

Nano Letters 15, 3295 (2015).

S. Morkötter | N. Jeon | D. Rudolph | B. Loitsch | D. Spirkoska | E. Hoffmann | M. Doeblinger | S. Matich | J. Finley | L. J. Lauhon | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Independent dynamic acousto-mechanical and electrostatic control of individual quantum dots in a LiNbO3-GaAs hybrid

Appl. Phys. Lett. 106, 013107 (2015).

J. Pustiowski | K. Mueller | M. Bichler | G. Koblmueller | J. Finley | A. Wixforth | H. J. Krenner

Lattice-matched InGaAs-InAlAs core-shell nanowires with improved luminescence and photoresponse properties

Nano Letters 15, 3533 (2015).

J. Treu | T. Stettner | M. Watzinger | S. Morkötter | M. Doeblinger | S. Matich | K. Saller | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | J. Stangl | G. Koblmueller

Online Reference

Modelling and simulation of InGaAs nanowire solar cells

IEEE Nano , Proc. Intl. Conf. on Nanotechnology 728-731 (2015).

B. Popescu | D. Popescu | P. Luppina | J. Treu | G. Koblmueller | P. Lugli | S. Goodnick

Online Reference

Photocurrents in a single InAs nanowire/ silicon heterojunction

ACS Nano 9, 9849 (2015).

A. Brenneis | J. Overbeck | J. Treu | S. Hertenberger | S. Morkötter | M. Döblinger | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller | A. Holleitner

Online Reference

Tunable Quantum Confinement in Ultrathin, Optically Active Semiconductor Nanowires Via Reverse-Reaction Growth

Advanced Materials 27, 2195 (2015).

B. Loitsch | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | G. Grimaldi | L. Hanschke | S. Matich | E. Parzinger | U. Wurstbauer | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller

Online Reference

Ultrafast photodetection in the quantum wells of single AlGaAs/GaAs-based nanowires

Nano Letters 15, 6869–6874 (2015).

N. Erhard | S. Zenger | S. Morkötter | D. Rudolph | M. Weiss | H. Krenner | H. Karl | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller | A. Holleitner

Online Reference

Dynamic acoustic control of individual optically active quantum dot-like emission centers in heterostructure nanowires

Nano Letters 14, 2256 (2014). 

M. Weiss | J. B. Kinzel | F. J. R. Schuelein | M. Heigl | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller | A. Wixforth | H. J. Krenner

Online Reference

Effect of interwire separation on growth kinetics and properties of site-selective GaAs nanowires

Appl. Phys. Lett. 105, 033111 (2014).

D. Rudolph | L. Schweickert | S. Morkötter | B. Loitsch | S. Hertenberger | J. Becker | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller

Online Reference

Growth and properties of InGaAs nanowires on silicon

phys. stat. sol.-rrl, Topical Review 8, 11 (2014).

G. Koblmueller | G. Abstreiter

Download   Online Reference

Molecular Beam Epitaxy of Nitrides for Advanced Electronic Materials

Handbook of Crystal Growth, Thin Films and Epitaxy (Elsevier, ed. by T. Kuech), pp. 704-751, November (2014)

G. Koblmueller | J. R. Lang | E. C. Young | J. S. Speck

Online Reference

Pressure dependence of Raman spectrum in InAs nanowires

J. Phys. Cond. Matt. 26, 235301 (2014).

S. Yazji | I. Zardo | S. Hertenberger | S. Morkötter | G. Koblmueller | G. Abstreiter | P. Postorino

Radio frequency occupancy state control of single nanowire quantum dot

J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 394011 (2014).

M. Weiss | F. J. R. Schuelein | J. B. Kinzel | M. Heigl | D. Rudolph | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | A. Wixforth | G. Koblmueller | H. J. Krenner

Online Reference

Strong THz emission and its origin from catalyst-free InAs nanowire arrys

Nano Letters 14, 1508 (2014).

A. Arlauskas | J. Treu | K. Saller | I. Beleckaite | G. Koblmueller | A. Krotkus

Online Reference

Trade-off between morphology, extended defects and compositional fluctuation induced carrier localization in high In-content InGaN

J. Appl. Phys. 116, 053501 (2014).

J. Zi-Jian Ju | B. Loitsch | T. Stettner | F. Schuster | M. Stutzmann | G. Koblmueller

Online Reference

Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN

phys. stat. sol. (c) 1-3, DOI:10.1002 (2014).

V. Prozheeva | F. Tuomisto | G. Koblmueller | J. S. Speck | A. Knuebel | R. Aidam

Online Reference

Acoustically regulated carrier injection into a single optically active quantum dot

Phys. Rev. B 88, 085307 (2013).

F. Schülein | K. Mueller | M. Bichler | G. Koblmueller | J. Finley | A. Wixforth | H. Krenner

Online Reference

Dirac cone shift of a passivated topological Bi2Se3 interface state

Phys. Rev. B 87, 155126 (2013).

G. S. Jenkins | D. C. Schmadel | A. B. S.  | H. D. Drew | M. Bichler | G. Koblmueller | M. Brahlek | N. Bansal | S. Oh

Online Reference

E1(A) Electronic band gap of wurtzite InAs nanowires studied by resonant Raman scattering

Nano Letters 13,  3011 (2013).

I. Zardo | S. Yazji | N. Hoermann | S. Hertenberger | S. Funk | S. Mangialardo | S. Morkötter | G. Koblmueller | P. Postorino | G. Abstreiter

Enhanced luminescence properties of InAs-InAsP core-shell nanowires

Nano Letters, Vol. 13, pp. 6070 (2013)

J. Treu | M. Bormann | H. Schmeiduch | M. Doeblinger | S. Morkötter | S. Matich | P. Wiecha | K. Saller | B. Mayer | M. Bichler | M. C. Amann | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

High mobility one- and two-dimensional electron systems in nanowire-based quantum heterostructures

Nano Letters 13, 6189 (2013).

S. Funk | M. Royo | I. Zardo | D. Rudolph | S. Morkötter | B. Mayer | J. Becker | A. Bechtold | S. Matich | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Koblmueller | J. Finley | A. Bertoni | G. Goldoni | G. Abstreiter

Online Reference

Lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires up to room-temperature

Nature Comm. 4, 2931 (2013).

B. Mayer | D. Rudolph | J. Schnell | S. Morkötter | J. Winnerl | J. Treu | K. Mueller | G. Bracher | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy

J. Appl. Phys. 113, 033501 (2013).

M. Himmerlich | A. Knübel | R. Aidam | L. Kirste | A. Eisenhardt | S. Krischok | J. Pezoldt | P. Schley | E. Sakalauskas | R. Goldhahn | R. Felix | J. M. Manuel | F. M. Morales | D. Carvalho | T. Ben | R. Garcia | G. Koblmueller

Online Reference

Probing the trapping and thermal activation dynamics of excitons at single twin defects in GaAs–AlGaAs core–shell nanowires

New J. Phys. 15, 113032 (2013).

D. Rudolph | L. Schweickert | S. Morkötter | L. Hanschke | S. Hertenberger | M. Bichler | G. Koblmueller | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Reduced threading dislocation densities densities in high-T/N-rich grown InN films by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 102, 051916 (2013).

B. Loitsch | F. Schuster | M. Stutzmann | G. Koblmueller

Online Reference

Role of microstructure on optical properties in high-uniformity InGaAs nanowire arrays: Evidence of a wider wurtzite band gap

Phys. Rev. B 87, 205303 (2013).

S. Morkötter | S. Funk | M. Liang | M. Doeblinger | S. Hertenberger | J. Treu | D. Rudolph | A. Yadav | J. Becker | M. Bichler | G. Scarpa | P. Lugli | I. Zardo | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Selective dry etching of N-face (Al,In,Ga)N heterostructures

US Patent 20,130,099,277 (2013). 

J. S. Speck | E. L. Hu | C. Weisbuch | Y. S. Choi | G. Koblmueller | M. Iza | C. Hurni

Spontaneous alloy composition ordering in GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Nano Letters 13, 1522 (2013)

D. Rudolph | S. Funk | M. Doeblinger | S. Morkötter | S. Hertenberger | L. Schweickert | J. Becker | S. Matich | M. Bichler | D. Spirkoska | I. Zardo | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Ultrafast photocurrents and THz generation in single InAs nanowires

Annalen der Physik (Berlin), No. 1-2, 180-188 (2013).

N. Erhard | P. Seifert | L. Prechtel | S. Hertenberger | H. Karl | G. Abstreiter | G. Koblmueller | A. Holleitner

Online Reference

All optical quantum control of a spin-quantum state and ultrafast transduction into an electric current

Scientific Reports 3, 1906 (2013)

K. Mueller | T. Kaldewey | R. Ripszam | J. Wildmann | A. Bechtold | M. Bichler | G. Koblmueller | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Coupling of guided surface plasmon polaritons to proximal self-assembled InGaAs quantum dots

Proc. of SPIE 8269, 826920 (2012)

G. Bracher | K. Schraml | M. Blauth | C. Jakubeit | G. Koblmueller | K. Mueller | M. Bichler | M. Kaniber | J. Finley

Download   Online Reference

Diameter dependent optical emission properties of InAs nanowires grown on Si

Appl. Phys. Lett., Vol. 101, pp. 053103 (2012)

G. Koblmueller | K. Vizbaras | S. Hertenberger | S. Morkötter | D. Rudolph | J. Becker | M. Doeblinger | M. C. Amann | J. Finley | G. Abstreiter |

Online Reference

High composition homogeneity in In-rich InGaAs nanowire arrays on nanoimprinted SiO2/Si (111)

Appl. Phys. Lett., Vol. 101, pp. 043116 (2012)

S. Hertenberger | S. Funk | K. Vizbaras | A. Yadav | D. Rudolph | J. Becker | S. Bolte | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Scarpa | P. Lugli | I. Zardo | J. Finley | M. C. Amann | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Optimization of AlAs/AlGaAs quantum well heterostructures on on-axis and misoriented GaAs (111) B

Appl. Phys. Lett. 100, 192106 (2012)

F. Herzog | M. Bichler | G. Koblmueller | S. Prabhu-Gaunkar | W. Zhou | M. Grayson

Download   

Rate-limiting mechanisms in high-temperature growth of catalyst-free InAs nanowires with large thermal stability

Nanotechnology 23, 235602 (2012) 

S. Hertenberger | D. Rudolph | J. Becker | M. Bichler | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Size, composition and doping effects on In(Ga)As nanowire/Si tunnel diodes probed by conductive atomic force microscopy

Appl. Phys. Lett. 101, 233102 (2012).

T. Yang | S. Hertenberger | S. Morkötter | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Surface acoustic wave controlled charge dynamics in a thin InGaAs quantum well

JETP Letters 95, 11, 653, (2012)

F. Schülein | J. Pustiowski | K. Mueller | M. Bichler | G. Koblmueller | J. Finley | A. Wixforth | H. Krenner

Online Reference

Absence of vapor-liquid-solid growth during molecular beam epitaxy of self-induced InAs nanowires on Si

Appl. Phys. Lett. 98, 123114 (2011)

S. Hertenberger | D. Rudolph | S. Bolte | M. Döblinger | M. Bichler | D. Spirkoska | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Direct observation of a non-catalytic growth regime for GaAs nanowires

Nano Letters 11, 3848 (2011)

D. Rudolph | S. Hertenberger | S. Bolte | W. Paosangthong | D. Spirkoska | M. Doeblinger | M. Bichler | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Directional and Dynamic Modulation of the Optical Emission of an Individual GaAs Nanowire Using Surface Acoustic Waves

Nano Letters 11, 1512 (2011)

J. B. Kinzel | D. Rudolph | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller | A. Wixforth | H. Krenner

Online Reference

Effect of charged dislocation scattering on electrical and electrothermal transport in n-type InN

Phys. Rev. B 84, 075315 (2011).

N. Miller | E. E. Haller | G. Koblmueller | C. Gallinat | J. S. Speck | W. J. Schaff | M. E. Hawkridge | K. M. Yu | J. W. Ager 

Download   

Effects of stacking variations on the lattice dynamics of InAs nanowires

Phys. Rev. B 84, 155301 (2011)

N. Hoermann | I. Zardo | S. Hertenberger | S. Funk | S. Bolte | M. Döblinger | G. Koblmueller | G. Abstreiter

Download   Online Reference

Nano Antenna Array for Terahertz Detection

IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 59, 2751 (2011)

M. Bareiss | B. N. Tiwari | A. Hochmeister | G. Jegert | U. Zschieschang | H. Klauk | B. Fabel | G. Scarpa | G. Koblmueller | G. H. Bernstein | W. Porod | P. Lugli

Download   

Temperature-dependence and microscopic origin of low-frequency 1/f noise in GaN/AlGaN high electron mobility transistors

Appl. Phys. Lett. 99,203501 (2011)

T. Roy | E. X. Zhang | Y. S. Puzyrev | X. Shen | D. M. Fleetwood | R. D. Schrimpf | G. Koblmueller | R. Chu | C. Poblenz | N. Fichtenbaum | C. S. Suh | U. K. Mishra | J. S. Speck | S. T. Pantelides

Online Reference

Evaluation of threading dislocation densities in In- and N-face InN

J. Appl. Phys. 107, 053517 (2010).

C. S. Gallinat | G. Koblmueller | F. Wu | J. S. Speck

Download   

Growth kinetics in position-controlled and catalyst-free InAs nanowire arrays on Si (111) grown by selective area molecular beam epitaxy

J. Appl. Phys. 108, 114316 (2010).

S. Hertenberger | D. Rudolph | M. Bichler | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller |

Download   

High temperature molecular beam epitaxial growth of AlGaN/GaN on GaN templates with reduced interface impurity levels

J. Appl. Phys. 107, 043527 (2010).

G. Koblmueller | R. M. Chu | A. Raman | U. K. Mishra | J. S. Speck

Download   

Hole transport and photoluminescence in Mg-doped InN

J. Appl. Phys. 107, 113712 (2010).

N. Miller | J. W. Ager | H. M. Smith | M. A. Mayer | K. M. Yu | E. E. Haller | W. Walukiewicz | W. J. Schaff | G. Gallinat | G. Koblmueller | J. S. Speck

Download   

In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 97, 251907 (2010)

F. Reurings | F. Tuomisto | C. S. Gallinat | G. Koblmueller | J. S. Speck

Download   

In vacancies in Si-doped InN

phys. stat. sol. (a) 207, 1083 (2010).

C. Rauch | F. Reurings | F. Tuomisto | T. D. Veal | C. F. McConville | H. Lu | W. J. Schaff | C. S. Gallinat | G. Koblmueller | J. S. Speck | W. Egger | B. Lowe | L. Ravelli | S. Sojak

Download   

Influence of Ga/N ratio on morphology, vacancies, and electrical transport in GaN grown by molecular beam epitaxy at high temperature

Appl. Phys. Lett. 97, 191915 (2010).

G. Koblmueller | F. Reurings | F. Tuomisto | J. S. Speck

Download   

Low defect-mediated reverse-bias leakage in (0001) GaN via high-temperature molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 96, 102111 (2010).

J. J. M. Law | E. T. Yu | G. Koblmueller | F. Wu | J. S. Speck

Download   

Optical anisotropy of a- and m-plane InN grown on free-standing GaN substrates

phys. stat. sol. (a) 207, 1062 (2010).

P. Schley | J. Rathel | E. Sakalauskas | G. Gobsch | M. Wieneke | J. Blasing | A. Krost | G. Koblmueller | J. S. Speck | R. Goldhahn

Download   

Self-induced growth of vertical free-standing InAs nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy

Nanotechnology 21, 365602 (2010).

G. Koblmueller | S. Hertenberger | K. Vizbaras | M. Bichler | F. Bao | J. P. Zhang | G. Abstreiter

Download   

Surface, bulk, and interface electronic properties of nonpolar InN

Appl. Phys. Lett. 97, 112103 (2010).

W. M. Linhart | T. D. Veal | P. D. C. King | G. Koblmueller | C. S. Gallinat | J. S. Speck | C. F. McConville |

Download   

Terahertz radiation from nonpolar InN due to drift in an intrinsic in-plane electric field

Appl. Phys. Exp. 3, 092201 (2010).

G. D. Metcalfe | H. E. Shen | M. Wraback | G. Koblmueller | C. Gallinat | F. Wu | J. S. Speck |

Download   

Thermal conductivity of GaAs nanowires studied by micro-Raman spectroscopy combined with laser heating

Appl. Phys. Lett. 97, 263107 (2010)

M. Soini | I. Zardo | E. Uccelli | S. Funk | G. Koblmueller | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter

Online Reference

THz generation from InN films due to destructive interference between optical rectification and photocurrent surge

Semicond. Sci. & Technol. 25, 015004 (2010).

G. B. Xu | Y. J. J. Ding | H. P. Zhao | G. Y. Liu | M. Jamil | N. Tansu | I. B. Zotova | C. E. Stutz | D. E. Diggs | N. Fernelius | F. K. Hopkins | C. S. Gallinat | G. Koblmueller | J. S. Speck

Download   

TUM Technische Universität München TUM Technische Universität München Physik Department Elektrotechnik und Informationstechnik TUM Technische Universität München
 

Events & News

17 Jan 2018

ERC Consolidator Grant for Gregor Koblmüller   more

10 Aug 2017

Best Poster Awards for Ganpath Veerabathran and Alexander Andrejew at iNOW 2017   more

27 Jun 2017

Best Poster Award at Nanowire Week for Jochen Bissinger   more

15 Mar 2017

Dr. Kai Müller admitted to the “Junges Kolleg” of the Bavarian Academy of Sciences   more

27 Feb 2017

Two-photon pulses from a single two-level system   more

Seminars

January 26, 2018

Reliability of hexagonal boron nitride dielectric stacks for CMOS applications   more

January 23, 2018

Helical states, spin-orbit coupling, and phase-coherent transport in InAs nanowires   more

January 16, 2018

New insights into novel (and conventional) materials using polarization-sensitive infrared magneto-spectroscopy   more