Prof. Dr. Gerhard Abstreiter

 
Room: Z1.018
Category: Scientific Staff
Phone: 11570
Email: Abstreiter(at)wsi.tum.de

Publications

Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control

Appl. Phys. Lett. 108, 011108 (2016)

T. Stettner | P. Zimmermann | B. Loitsch | M. Döblinger | A. Regler | B. Mayer | J. Winnerl | S. Matich | H. Riedl | M. Kaniber | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Continuous wave lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Appl. Phys. Lett. 108, 071107 (2016).

B. Mayer | L. Janker | D. Rudolph | B. Loitsch | T. Kostenbader | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Coulomb mediated hybridization of excitons in coupled quantum dots

Physical Review Letters 116, 077401 (2016)

P. L. Ardelt | K. Gawarecki | K. Mueller | A. Waeber | A. Bechtold | K. Oberhofer | J. M. Daniels | F. Klotz | M. Bichler | T. Kuhn | H. Krenner | P. Machnikowski | G. Abstreiter | J. Finley |

Online Reference

Microscopic nature of crystal phase quantum dots in ultrathin GaAs nanowires by nanoscale luminescence characterization

New J. Phys. 18, 063009 (2016).

B. Loitsch | M. Mueller | J. Winnerl | P. Veit | D. Rudolph | G. Abstreiter | J. Finley | F. Bertram | J. Christen | G. Koblmueller

Online Reference

The native material limit of electron and hole mobilities in semiconductor nanowires

ACS Nano, ASAP, DOI: 10.1021/acsnano.5b07639 (2016).

J. B. Kinzel | F. J. R. Schuelein | M. Weiss | L. Janker | D. D.  Buehler | M. Heigl | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | A. Wixforth | G. Koblmueller | H. Krenner

Online Reference

Widely tunable alloy composition and crystal structure in catalyst-free InGaAs nanowire arrays grown by selective area molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 108, 053110 (2016).

J. Treu | M. Speckbacher | K. Saller | S. Morkötter | M. Doeblinger | X. Xu | H. Riedl | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller

Online Reference

Alloy Fluctuations Act as Quantum Dot-like Emitters in GaAs-AlGaAs Core–Shell Nanowires

ACS Nano 9, 8335 (2015)

N. Jeon | B. Loitsch | S. Morkötter | G. Abstreiter | J. Finley | H. Krenner | G. Koblmueller | L. Lauhon

Online Reference

Crystal phase quantum dots in the ultrathin core of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Nano Letters 15, DOI:10.1021/acs.nanolett.5b03273 (2015)

B. Loitsch | J. Winnerl | G. Grimaldi | J. Wierzbowski | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Demonstration of confined electron gas and steep-slope behavior in delta-doped GaAs-AlGaAs core-shell nanowire transistors

Nano Letters 15, 3295 (2015).

S. Morkötter | N. Jeon | D. Rudolph | B. Loitsch | D. Spirkoska | E. Hoffmann | M. Doeblinger | S. Matich | J. Finley | L. J. Lauhon | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Lattice-matched InGaAs-InAlAs core-shell nanowires with improved luminescence and photoresponse properties

Nano Letters 15, 3533 (2015).

J. Treu | T. Stettner | M. Watzinger | S. Morkötter | M. Doeblinger | S. Matich | K. Saller | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | J. Stangl | G. Koblmueller

Online Reference

Monolithically integrated high-beta nanowire lasers on silicon

Nano Letters  16, 152 (2016)

B. Mayer | L. Janker | B. Loitsch | J. Treu | T. Kostenbader | S. Lichtmannecker | T. Reichert | S. Morkötter | M. Kaniber | G. Abstreiter | C. Gies | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Photocurrents in a single InAs nanowire/ silicon heterojunction

ACS Nano 9, 9849 (2015).

A. Brenneis | J. Overbeck | J. Treu | S. Hertenberger | S. Morkötter | M. Döblinger | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller | A. Holleitner

Online Reference

Tunable Quantum Confinement in Ultrathin, Optically Active Semiconductor Nanowires Via Reverse-Reaction Growth

Advanced Materials 27, 2195 (2015).

B. Loitsch | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | G. Grimaldi | L. Hanschke | S. Matich | E. Parzinger | U. Wurstbauer | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller

Online Reference

Ultrafast photodetection in the quantum wells of single AlGaAs/GaAs-based nanowires

Nano Letters 15, 6869–6874 (2015).

N. Erhard | S. Zenger | S. Morkötter | D. Rudolph | M. Weiss | H. Krenner | H. Karl | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller | A. Holleitner

Online Reference

Dissipative preparation of the exciton and biexciton in self-assembled quantum dots on picosecond timescales

Phys. Rev. B 90, 241404(R) (2014)

P. L. Ardelt | L. Hanschke | K. A. Fischer | K. Mueller | A. Kleinkauf | M. Koller | A. Bechtold | T. Simmet | J. Wierzbowski | H. Riedl | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Dynamic acoustic control of individual optically active quantum dot-like emission centers in heterostructure nanowires

Nano Letters 14, 2256 (2014). 

M. Weiss | J. B. Kinzel | F. J. R. Schuelein | M. Heigl | D. Rudolph | S. Morkötter | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller | A. Wixforth | H. J. Krenner

Online Reference

Effect of interwire separation on growth kinetics and properties of site-selective GaAs nanowires

Appl. Phys. Lett. 105, 033111 (2014).

D. Rudolph | L. Schweickert | S. Morkötter | B. Loitsch | S. Hertenberger | J. Becker | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller

Online Reference

Growth and properties of InGaAs nanowires on silicon

phys. stat. sol.-rrl, Topical Review 8, 11 (2014).

G. Koblmueller | G. Abstreiter

Download   Online Reference

Pressure dependence of Raman spectrum in InAs nanowires

J. Phys. Cond. Matt. 26, 235301 (2014).

S. Yazji | I. Zardo | S. Hertenberger | S. Morkötter | G. Koblmueller | G. Abstreiter | P. Postorino

Radio frequency occupancy state control of single nanowire quantum dot

J. Phys. D: Appl. Phys. 47, accepted (2014).

M. Weiss | F. J. R. Schuelein | J. B. Kinzel | M. Heigl | D. Rudolph | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | A. Wixforth | G. Koblmueller | H. J. Krenner

Online Reference

E1(A) Electronic band gap of wurtzite InAs nanowires studied by resonant Raman scattering

Nano Letters 13,  3011 (2013).

I. Zardo | S. Yazji | N. Hoermann | S. Hertenberger | S. Funk | S. Mangialardo | S. Morkötter | G. Koblmueller | P. Postorino | G. Abstreiter

Enhanced luminescence properties of InAs-InAsP core-shell nanowires

Nano Letters, Vol. 13, pp. 6070 (2013)

J. Treu | M. Bormann | H. Schmeiduch | M. Doeblinger | S. Morkötter | S. Matich | P. Wiecha | K. Saller | B. Mayer | M. Bichler | M. C. Amann | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

High mobility one- and two-dimensional electron systems in nanowire-based quantum heterostructures

Nano Letters 13, 6189 (2013).

S. Funk | M. Royo | I. Zardo | D. Rudolph | S. Morkötter | B. Mayer | J. Becker | A. Bechtold | S. Matich | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Koblmueller | J. Finley | A. Bertoni | G. Goldoni | G. Abstreiter

Online Reference

Lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires up to room-temperature

Nature Comm. 4, 2931 (2013).

B. Mayer | D. Rudolph | J. Schnell | S. Morkötter | J. Winnerl | J. Treu | K. Mueller | G. Bracher | G. Abstreiter | G. Koblmueller | J. Finley

Online Reference

Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties

Appl. Phys. Lett. 103, 063105 (2013)

T. Zabel | N. Sircar | N. Hauke | J. Zweck | M. Döblinger | M. Kaniber | J. Finley | G. Abstreiter | D. Bougeard

Online Reference

Organophosphonates as model system for studying electronic transport through monolayers on SiO2/Si surfaces

Appl. Phys. Lett. 102, 241602 (2013)

A. Bora | A. Pathak | K. C. Liao | M. I. Vexler | A. Kuligk | A. Cattani-Scholz | B. Meinerzhagen | G. Abstreiter | J. Schwartz | M. Tornow

Online Reference

Probing the trapping and thermal activation dynamics of excitons at single twin defects in GaAs–AlGaAs core–shell nanowires

New J. Phys. 15, 113032 (2013).

D. Rudolph | L. Schweickert | S. Morkötter | L. Hanschke | S. Hertenberger | M. Bichler | G. Koblmueller | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Probing ultrafast carrier tunneling dynamics in individual quantum dots and molecules

Ann. Phys., 525: 49–58 (2013), DOI: 10.1002/andp.201200195

K. Mueller | A. Bechtold | C. Ruppert | T. Kaldewey | M. Zecherle | J. Wildmann | M. Bichler | H. Krenner | J. M. Villas-Boas | G. Abstreiter | M. Betz | J. Finley

Online Reference

Role of microstructure on optical properties in high-uniformity InGaAs nanowire arrays: Evidence of a wider wurtzite band gap

Phys. Rev. B 87, 205303 (2013).

S. Morkötter | S. Funk | M. Liang | M. Doeblinger | S. Hertenberger | J. Treu | D. Rudolph | A. Yadav | J. Becker | M. Bichler | G. Scarpa | P. Lugli | I. Zardo | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Spontaneous alloy composition ordering in GaAs-AlGaAs core-shell nanowires

Nano Letters 13, 1522 (2013)

D. Rudolph | S. Funk | M. Doeblinger | S. Morkötter | S. Hertenberger | L. Schweickert | J. Becker | S. Matich | M. Bichler | D. Spirkoska | I. Zardo | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Spontaneous Alloy Composition Ordering in GaAs-AlGaAs Core–Shell Nanowires

Nano Letters ASAP, DOI:10.1021/nl3046816

D. Rudolph | S. Funk | M. Döblinger | S. Morkötter | S. Hertenberger | L. Schweickert | J. Becker | S. Matich | M. Bichler | D. Spirkoska | I. Zardo | J. J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmüller

Online Reference

Ultrafast photocurrents and THz generation in single InAs nanowires

Annalen der Physik (Berlin), No. 1-2, 180-188 (2013).

N. Erhard | P. Seifert | L. Prechtel | S. Hertenberger | H. Karl | G. Abstreiter | G. Koblmueller | A. Holleitner

Online Reference

A three-dimensional silicon photonic crystal nanocavity with enhanced emission from embedded germanium islands

New J. Phys. 14, 083035 (2012)

N. Hauke | A. Tandaechanurat | T. Zabel | T. Reichert | H. Takagi | M. Kaniber | S. Iwamoto | D. Bougeard | J. Finley | G. Abstreiter | Y. Arakawa

Online Reference

All optical preparation, storage, and readout of a single spin in an individual quantum dot

Proc. SPIE 8272, 827211 (2012) 

V. Jovanov | F. Klotz | S. Kapfinger | D. Heiss | S. Spiga | D. Rudolph | M. Bichler | M. S. Brandt | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

All optical quantum control of a spin-quantum state and ultrafast transduction into an electric current

Scientific Reports 3, 1906 (2013)

K. Mueller | T. Kaldewey | R. Ripszam | J. Wildmann | A. Bechtold | M. Bichler | G. Koblmueller | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Diameter dependent optical emission properties of InAs nanowires grown on Si

Appl. Phys. Lett., Vol. 101, pp. 053103 (2012)

G. Koblmueller | K. Vizbaras | S. Hertenberger | S. Morkötter | D. Rudolph | J. Becker | M. Doeblinger | M. C. Amann | J. Finley | G. Abstreiter |

Online Reference

Direct observation of metastable hot trions in an individual quantum dot

Phys. Rev. B 84, 235321 (2011)

V. Jovanov | S. Kapfinger | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Electrical Control of Interdot Electron Tunneling in a Double InGaAs Quantum-Dot Nanostructure

Phys. Rev. Lett. 108, 197402 (2012)

K. Mueller | A. Bechtold | C. Ruppert | M. Zecherle | G. Reithmaier | M. Bichler | H. Krenner | G. Abstreiter | A. Holleitner | J. M. Villas-Boas | J. Finley

Online Reference

Enlarged magnetic focusing radius of photoinduced ballistic currents

Phys. Rev. B 86, 115315 (2012).

M. Stallhofer | C. Kastl | M. Brändlein | D. Schuh | W. Wegscheider | J. Kotthaus | G. Abstreiter | A. Holleitner

Online Reference

Few electron double quantum dot in an isotopically purified 28Si quantum well

Applied Physics Letters 100, 143110 (2012)

A. Wild | J. Kierig | J. Sailer | J. Ager | E. Haller | G. Abstreiter | S. Ludwig | D. Bougeard

Online Reference

Fluctuation induced luminescence sidebands in the emission spectra of resonantly driven quantum dots

arXiv:1207.6952 (2012)

 

F. Laussy | V. Jovanov | E. del Valle | A. Bechtold | S. Kapfinger | K. Mueller | S. Koch | A. Laucht | T. Eissfeller | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

High composition homogeneity in In-rich InGaAs nanowire arrays on nanoimprinted SiO2/Si (111)

Appl. Phys. Lett., Vol. 101, pp. 043116 (2012)

S. Hertenberger | S. Funk | K. Vizbaras | A. Yadav | D. Rudolph | J. Becker | S. Bolte | M. Doeblinger | M. Bichler | G. Scarpa | P. Lugli | I. Zardo | J. Finley | M. C. Amann | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

High fidelity optical preparation and coherent Larmor precession of a single hole in an InGaAs quantum dot molecule

Phys. Rev. B 85, 241306(R) (2012)

(selected as Editors' Suggestion)

K. Mueller | A. Bechtold | C. Ruppert | C. Hautmann | J. Wildmann | T. Kaldewey | M. Bichler | H. Krenner | G. Abstreiter | M. Betz | J. Finley

Online Reference

Highly nonlinear excitonic Zeeman spin splitting in composition-engineered artificial atoms

Phys. Rev. B 85, 165433 (2012)

V. Jovanov | T. Eissfeller | S. Kapfinger | E. Clark | F. Klotz | M. Bichler | J. G. Keizer | P. M. Koenraad | M. S. Brandt | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Molecular Architecture: Construction of Self-Assembled Organophosphonate Duplexes and Their Electrochemical Characterization

Langmuir 28, 7889-7896 (2012)

A. Cattani-Scholz | K. C. Liao | A. Bora | A. Pathak | C. Hundschell | B. Nickel | J. Schwartz | G. Abstreiter | M. Tornow |

Online Reference

Pressure Tuning of the Optical Properties of GaAs Nanowires

ACS Nano 6 (4), 3284-3291, (2012)

I. Zardo | S. Yazji | C. Marini | E. Uccelli | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter | P. Postorino |

Download   Online Reference

Probing ultrafast charge and spin dynamics in a quantum dot molecule

Proc. of SPIE Vol. 8260, 826002 (2012)

K. Mueller | A. Bechtold | C. Ruppert | H. Krenner | M. Bichler | J. M. Villas-Boas | G. Abstreiter | M. Betz | J. Finley

Online Reference

Rate-limiting mechanisms in high-temperature growth of catalyst-free InAs nanowires with large thermal stability

Nanotechnology 23, 235602 (2012) 

S. Hertenberger | D. Rudolph | J. Becker | M. Bichler | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Size, composition and doping effects on In(Ga)As nanowire/Si tunnel diodes probed by conductive atomic force microscopy

Appl. Phys. Lett. 101, 233102 (2012).

T. Yang | S. Hertenberger | S. Morkötter | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Time-resolved photoinduced thermoelectric and transport currents in GaAs nanowires

Nano Lett. 12 (5), 2337 (2012).

L. Prechtel | M. Padilla | N. Erhard | H. Karl | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral | A. Holleitner

Online Reference

Valence band structure of polytypic zinc-blende/wurtzite GaAs nanowires probed by polarization-dependent photoluminescence

Physical Review B 85, 045309 (2012) 

D. Spirkoska | A. L. Efros | W. R. L. Lambrecht | T. Cheiwchanchamnangij | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter

Online Reference

A New Molecular Architecture for Molecular Electronics

Special Insert from DFG in Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 37, A11-A16 (2011)

A. Cattani-Scholz | K. C. Liao | A. Bora | A. Pathak | M. Krautloher | B. Nickel | J. Schwartz | M. Tornow | G. Abstreiter

Online Reference

A Pore-Cavity-Pore Device to Trap and Investigate Single Nanoparticles and DNA Molecules in a Femtoliter Compartment: Confined Diffusion and Narrow Escape

Nano Letters 11 (4) 1561–1567 (2011)

D. Pedone | M. Langecker | G. Abstreiter | U. Rant

Online Reference

Absence of vapor-liquid-solid growth during molecular beam epitaxy of self-induced InAs nanowires on Si

Appl. Phys. Lett. 98, 123114 (2011)

S. Hertenberger | D. Rudolph | S. Bolte | M. Döblinger | M. Bichler | D. Spirkoska | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Coherent control of electrical currents in semiconductor nanowires/-tubes

Phys. Status Status Solidi C 8, No. 4, 1224 (2011).

M. Betz | C. Ruppert | S. Thunich | R. Newson | J. M. Menard | C. Sames | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral | A. Holleitner | H. M. van Driel

Online Reference

Correlation between emission intensity of self-assembled germanium islands and quality factor of silicon photonic crystal nanocavities

Physical Review B 84, 085320 (2011)

N. Hauke | S. Lichtmannecker | T. Zabel | F. Laussy | A. Laucht | M. Kaniber | D. Bougeard | G. Abstreiter | J. Finley | Y. Arakawa

Online Reference

Crystal Structure Transfer in Core/Shell Nanowires

Nano Lett. 11, 1690-1694 (2011)

R. E. Algra | M. Hocevar | M. A. Verheijen | I. Zardo | G. G. W. Immink | W. J. P. van Enckevort | G. Abstreiter | L. P. Kouwenhoven | E. Vlieg | E. P. A. M. Bakkers

Online Reference

Direct observation of a non-catalytic growth regime for GaAs nanowires

Nano Letters 11, 3848 (2011)

D. Rudolph | S. Hertenberger | S. Bolte | W. Paosangthong | D. Spirkoska | M. Doeblinger | M. Bichler | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller

Online Reference

Directional and Dynamic Modulation of the Optical Emission of an Individual GaAs Nanowire Using Surface Acoustic Waves

Nano Letters 11, 1512 (2011)

J. B. Kinzel | D. Rudolph | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley | G. Koblmueller | A. Wixforth | H. Krenner

Online Reference

Effects of stacking variations on the lattice dynamics of InAs nanowires

Phys. Rev. B 84, 155301 (2011)

N. Hoermann | I. Zardo | S. Hertenberger | S. Funk | S. Bolte | M. Döblinger | G. Koblmueller | G. Abstreiter

Download   Online Reference

Excited state quantum couplings and optical switching of an artificial molecule

Phys. Rev. B 84, 081302(R) (2011)

K. Mueller | G. Reithmaier | E. Clark | V. Jovanov | M. Bichler | H. Krenner | M. Betz | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Free standing modulation doped core-shell GaAs/AlGaAs hetero-nanowires

Phys. Status Solidi RRL, 5, 353 (2011)

D. Spirkoska | A. Fontcuberta i Morral | J. Dufouleur | Q. Xie | G. Abstreiter

Online Reference

Interplay between electrical transport properties of GeMn thin films and Ge substrates

Phys. Rev. B 83, 125306 (2011)

N. Sircar | S. Ahlers | C. Majer | G. Abstreiter | D. Bougeard

Online Reference

Local modification of GaAs nanowires induced by laser heating

Nanotechnology 22, 325701 (2011)

S. Yazji | I. Zardo | M. Soini | P. Postorino | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter

Online Reference

Observation and explanation of strong electrically tunable exciton g factors in composition engineered In(Ga)As quantum dots

Phys. Rev. B 83, 161303(R) (2011)

V. Jovanov | T. Eissfeller | S. Kapfinger | E. Clark | F. Klotz | M. Bichler | J. G. Keizer | P. M. Koenraad | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

All-optical coherent control of electrical currents in single GaAs nanowires

Conference paper, International conference on ultrafast phenomena (UP), Snowmass Village, CO, USA, July 18th, 2010

C. Ruppert | S. Thunich | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral | A. Holleitner | M. Betz

Online Reference

Asymmetric optical nuclear spin pumping in a single uncharged quantum dot

Phys. Rev. B 82, 121307(R) (2010)

F. Klotz | V. Jovanov | J. Kierig | E. Clark | M. Bichler | G. Abstreiter | H. Schwager | G. Giedke | M. S. Brandt | J. Finley

Online Reference

Enhanced photoluminescence emission from two-dimensional silicon photonic crystal nanocavities

New Journal of Physics 12, 053005 (2010)

N. Hauke | T. Zabel | K. Mueller | M. Kaniber | A. Laucht | D. Bougeard | G. Abstreiter | J. Finley | Y. Arakawa

Online Reference

Growth kinetics in position-controlled and catalyst-free InAs nanowire arrays on Si (111) grown by selective area molecular beam epitaxy

J. Appl. Phys. 108, 114316 (2010).

S. Hertenberger | D. Rudolph | M. Bichler | J. Finley | G. Abstreiter | G. Koblmueller |

Download   

Multiple Nanowire Species Synthesized on a Single Chip by Selectively Addressable Horizontal Nanochannels

Nano Letters 10(4), 1341 (2010)

Y. Xiang | K. Andreas | L. Moreno Codinachs | N. Kornelius | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral | B. Thomas

Multiplexed Parallel Single Transport Recordings on Nanopore Arrays

Nano Letters 10 5080-5087 (2010)

A. Kleefen | D. Pedone | C. Grunwald | R. Wei | M. Firnkes | G. Abstreiter | U. Rant | R. Tampé

Online Reference

Observation of an electrically tunable exciton g factor in InGaAs/GaAs quantum dot

Applied Physics Letters 96, 053113 (2010)

F. Klotz | V. Jovanov | J. Kierig | E. Clark | D. Rudolph | D. Heiss | M. Bichler | G. Abstreiter | M. S. Brandt | J. Finley

Online Reference

Optically monitoring electron spin relaxation in a single quantum dot using a spin memory device

Phys. Rev. B 82, 245316 (2010)

D. Heiss | V. Jovanov | F. Klotz | D. Rudolph | M. Bichler | G. Abstreiter | M. S. Brandt | J. Finley

Online Reference

Photoconductance of a submicron oxidized line in surface conductive single crystalline diamond

Appl. Phys. Lett. 97, 111107 (2010).

M. Stallhofer | M. Seifert | M. Hauf | G. Abstreiter | M. Stutzmann | J. A. Garrido | A. Holleitner

Online Reference

Quantum interference control of femtosecond, µA current bursts in single GaAs nanowires

Nano Lett. 10(5), 1799 (2010).

C. Ruppert | S. Thunich | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral | A. Holleitner | M. Betz

Online Reference

Self-induced growth of vertical free-standing InAs nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy

Nanotechnology 21, 365602 (2010).

G. Koblmueller | S. Hertenberger | K. Vizbaras | M. Bichler | F. Bao | J. P. Zhang | G. Abstreiter

Download   

Thermal conductivity of GaAs nanowires studied by micro-Raman spectroscopy combined with laser heating

Appl. Phys. Lett. 97, 263107 (2010)

M. Soini | I. Zardo | E. Uccelli | S. Funk | G. Koblmueller | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter

Online Reference

Catalyst-free nanowires with axial InxGa1-xAs/GaAs heterostructures’

Nanotechnology 20, 075603 (2009)

M. Heiß | A. Gustafsson | S. Conesa-Boj | F. Peiro | J. R. Morante | G. Abstreiter | J. Arbiol | L. Samuelson | A. Fontcuberta i Morral

Download   

Detection and Size Analysis of Proteins with Switchable DNA Layers

Nano Letters, 2009 (4), pp. 1290–1295, DOI: 10.1021/nl802678

U. Rant | E. Pringsheim | W. Kaiser | K. Arinaga | J. Knezevic | M. Tornow | S. Fujita | N. Yokoyama | G. Abstreiter

Online Reference

GaAs nanowires and related prismatic heterostructures

Semiconductor Science and Technology, 24, 113001 (2009)

D. Spirkoska | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Ge1-x Mnx Clusters: Central Structural and Magnetic Building Blocks of Nanoscale Wire-Like Self-Assembly in a Magnetic Semiconductor

Nano Letters, Vol. 9 (11) (2009)

D. Bougeard | N. Sircar | S. Ahlers | V. Lang | G. Abstreiter | A. Trampert | J. M. LeBeau | S. Stemmer | D. W. Saxey | A. Cerezo

Online Reference

Investigation of a contacting scheme for self-assembled cleaved edge overgrown InAs nanowires and quantum dot arrays

Phys. Status Solidi A 206, 1620 (2009)

M. Fehr | E. Uccelli | S. Dasgupta | M. Bichler | L. Steinke | G. Abstreiter | M. Grayson | A. Fontcuberta i Morral

Download   

Long Range Epitaxial Growth of Prismatic Heterostructures on the facets of Catalyst-Free GaAs Nanowires

J. Mater. Chemistry 19, 840 (2009)

M. Heigoldt | J. Arbiol | D. Spirkoska | J. M. Rebled | S. Conesa-Boj | G. Abstreiter | F. Peiró | J. R. Morante | A. Fontcuberta i Morral

Download   

Outcoupling of Light Generated in a Monolithic Silicon Photonic Crystal Nanocavity through a Lateral Waveguide

Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 062003

D. Dorfner | S. Iwamoto | M. Nomura | S. Nakayama | J. Finley | G. Abstreiter | Y. Arakawa

Online Reference

Outcoupling of Light Generated in a Monolithic Silicon Photonic Crystal Nanocavity through a Lateral Waveguide

Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 062003

D. Dorfner | S. Iwamoto | M. Nomura | S. Nakayama | J. Finley | G. Abstreiter | Y. Arakawa

Online Reference

Photocurrent and photoconductance properties of a GaAs nanowire

Applied Physics Letters 95, 083111 (2009).

S. Thunich | L. Prechtel | D. Spirkoska | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral | A. Holleitner

Online Reference

Photonic Crystal Nanostructures for Optical Biosensing Applications

Biosensors and Bioelectronics 24, 3688 (2009)

D. Dorfner | T. Zabel | T. Hürlimann | N. Hauke | L. Frandsen | U. Rant | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Planar Nanogap Electrodes by Direct Nanotransfer Printing

SMALL 5, 579 (2009)

S. Strobel | S. Harrer | G. Scarpa | G. Abstreiter | P. Lugli | M. Tornow

Online Reference

PNA-PEG Modified Silicon Platforms as Functional Bio-Interfaces for Applications in DNA Microarrays and Biosensors

Biomacromolecules  10, 489-496 (2009)

A. Cattani-Scholz | D. Pedone | F. Blobner | G. Abstreiter | J. Schwartz | M. Tornow | L. Andruzzi

Online Reference

Raman Spectroscopy of wurtzite and zinc-blende GaAs nanowires: Polarization dependence, selection rules, and strain effects

Physical Review B 80, 245324 (2009)

I. Zardo | S. Conesa-Boj | F. Peiro | J. R. Morante | J. Arbiol | E. Uccelli | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Selective optical charge generation, storage, and readout in a single self-assembled quantum dot

Appl. Phys. Lett. 94, 072108  (2009)

D. Heiss | V. Jovanov | M. Caesar | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Structural and optical properties of high quality zinc-blende/wurtzite GaAs nanowire heterostructures

Physical Review B 80, 245325 (2009)

D. Spirkoska | J. Arbiol | A. Gustafsson | S. Conesa-Boj | F. Glas | I. Zardo | M. Heigoldt | M. H. Gass | A. L. Bleloch | S. Estrade | M. Kaniber | J. Roessler | F. Peiro | J. R. Morante | G. Abstreiter | L. Samuelson | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Charge and spin readout scheme for single self-assembled quantum dots

Phys. Rev. B 77, 235442 (2008)

D. Heiss | V. Jovanov | M. Bichler | G. Abstreiter | J. Finley

Online Reference

Controlled synthesis of InAs wires, dot and twin-dot array configurations by Cleaved Edge Overgrowth

Nanotechnology 19, 045303 (2008)

E. Uccelli | M. Bichler | S. Nürnberger | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Download   

Erratum: “Nucleation mechanism of gallium-assisted Molecular Beam Epitaxy growth of Gallium Arsenide nanowires” [Appl. Phys. Lett. 92, 063112 (2008)]

Appl. Phys. Lett. 92, 149903 (2008)

A. Fontcuberta i Morral | K. Maslov | C. Colombo | G. Abstreiter | J. Arbiol | J. R. Morante

Online Reference

Ga-assisted catalyst-free growth mechanism of GaAs nanowires by molecular beam epitaxy

Phys. Rev. B 77, 155326 (2008)

C. Colombo | D. Spirkoska | M. Frimmer | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Growth mechanisms and optical properties of GaAs-based semiconductor microstructures by selective area epitaxy

J. Cryst. Growth, 310, 1049 (2008)

M. Heiß | E. Riedelberg | D. Spirkoska | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Growth mechanisms of self assembled InAs quantum dots on (110) AlAs/GaAs cleaved facets

Superlattices and Microstructures 44, 425 (2008)

E. Uccelli | S. Nürnberger | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Microstructured horizontal alumina pore arrays as growth templates for large area few and single nanowire devices

phys.stat.sol. (RRL) 2, 59 (2008)

Y. Xiang | W. Lee | K. Nielsch | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Download   

Nucleation mechanism of gallium-assisted molecular beam epitaxy growth of gallium arsenide nanowires

Appl. Phys. Lett. 92 063112 (2008)

A. Fontcuberta i Morral | C. Colombo | J. Arbiol | J. R. Morante | G. Abstreiter

Online Reference

Organophosphonate-Based PNA-Functionalization of Silicon Nanowires for Label-Free DNA Detection

ACSNano 2, 1653-1660 (2008)

A. Cattani-Scholz | D. Pedone | M. Dubey | S. Neppl | B. Nickel | P. Feulner | J. Schwartz | G. Abstreiter | M. Tornow

Online Reference

Prismatic Quantum Heterostructures Synthesized on Molecular-Beam Epitaxy GaAs Nanowires

Small, 4, 899 (2008) - highlighted in Nature Materials, 7, 608 (2008)

A. Fontcuberta i Morral | D. Spirkoska | J. Arbiol | M. Heigoldt | J. R. Morante | G. Abstreiter

Online Reference

Room Temperature Nanoimprint Lithography Using Molds Fabricated by Molecular Beam Epitaxy

IEEE Transactions on Nanotechnology 7, 363 (2008)

S. Harrer | S. Strobel | G. Scarpa | G. Abstreiter | M. Tornow | P. Lugli

Online Reference

Self-assembly of InAs quantum dot structures on cleaved facets

in “Self-Assembled Quantum Dots”, Edited by Z. Wang, Springer-Verlag (2008)

E. Uccelli | J. Bauer | M. Bichler | D. Schuh | J. Finley | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Silicon Photonic Crystal Nanostructures for Refractive Index Sensing

Appl. Phys. Lett. 93, 181103 (2008)

D. Dorfner | T. Hürlimann | T. Zabel | G. Abstreiter | L. H. Frandsen | J. Finley

Online Reference

Silicon-on-insulator based nanopore cavity arrays for lipid membrane investigation

Nanotechnology 19 (2008)

K. Buchholz | A. Tinazli | A. Kleefen | D. Dorfner | D. Pedone | U. Rant | R. Tampe | G. Abstreiter | M. Tornow

Online Reference

Single-valley high-mobility (110) AlAs quantum wells with anisotropic mass

Applied Physics Letters 93, 132102 (2008)

S. Dasgupta | S. Birner | C. Knaak | M. Bichler | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter | M. Grayson

Download   Online Reference

Size and environment dependence of surface phonon modes of gallium arsenide nanowires as measured by Raman spectroscopy

Nanotechnology 19, 435704 (2008)

D. Spirkoska | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Download   

The use of molecular beam epitaxy for the synthesis of high purity III–V nanowires

J. Phys.: Condens. Matter 20, 454225 (2008)

D. Spirkoska | C. Colombo | M. Heiß | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Online Reference

Transmission of light generated in a Silicon Photonic Crystal Nanocavity through a Lateral Waveguide

submitted

D. Dorfner | S. Iwamoto | M. Nomura | S. Nakayama | J. Finley | G. Abstreiter | Y. Arakawa

Controlling the surface density of DNA on gold by electrically induced desorption

Biosensors and Bioelectronics 23, 326-331 (2007)

K. Arinaga | U. Rant | J. Knezevic | E. Pringsheim | M. Tornow | S. Fujita | G. Abstreiter | N. Yokoyama

Donor binding energy and thermally activated persistent photoconductivity in high mobility (001) AlAs quantum wells

Appl. Phys. Lett. 91, 142120 (2007)

S. Dasgupta | C. Knaak | J. Moser | M. Bichler | S. F. Roth | A. Fontcuberta i Morral | G. Abstreiter

Online Reference

Guided self assembly of InAs quantum dots on a cleaved facet

Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 959 M-16-02 (2007)

E. Uccelli | D. Schuh | J. Bauer | M. Bichler | J. Finley | M. Grayson | G. Abstreiter | A. Fontcuberta i Morral

Metallic and insulating states at a bent quantum Hall junction

Phys. Rev. B 76, 201304 (2007)

M. Grayson | L. Steinke | D. Schuh | M. Bichler | L. Hoeppel | J. Smet | K. V. Klitzing | D. K. Maude | G. Abstreiter

Novel one-dimensional states in a bent quantum hall junction

Intern. Journal of Modern Physics B 21, 1207-1208 (2007)

M. Grayson | L. Steinke | M. Huber | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter | L. Hoeppel | J. Smet | K. V. Klitzing | D. K. Maude

Observation of extremely slow hole spin relaxation in self-assembled quantum dots

Phys. Rev. B 76, 241306(R) (2007)

D. Heiss | S. Schaeck | H. Huebl | M. Bichler | G. Abstreiter | J. J. Finley | D. V. Bulaev | D. Loss

Optical characterization of silicon on insulator photonic crystal nanocavities infiltrated with colloidal PbS quantum dots

Appl. Phys. Lett. 91, 233111 (2007)

D. F. Dorfner | T. Hürlimann | G. Abstreiter | J. J. Finley

pH Sensitivity of Gallium Arsenide (GaAs) Electrodes Functionalized with Methy-Mercaptobiphenyl Monolayers

J. Phys. Chem. C. 111, 12414-12419 (2007)

D. Gassull | S. M. Luber | A. Ulman | M. Grunze | M. Tornow | G. Abstreiter | M. Tanaka

Subnanosecond ellipticity detector for laser radiation

Appl. Phys. Lett. 91, 091101 (2007)

S. D. Ganichev | J. Kiermaier | W. Weber | S. N. Danilov | D. Schuh | C. Gerl | W. Wegscheider | W. Prettl | D. Bougeard | G. Abstreiter

Switchable DNA interfaces for the highly sensitive detection of label-free DNA targets

Proc. Nat. Acad. Sci. Am. 104, No 44, 17364–17369 (2007)

U. Rant | K. Arinaga | S. Scherer | E. Pringsheim | S. Fujita | N. Yokoyama | M. Tornow | G. Abstreiter

Adjustable mode coupling in spatially coincident one-dimensional electron systems

Physica E 34, 568-571 (2006)

S. F. Fischer | G. Apetrii | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Clustering in a Precipitate-Free GeMn Magnetic Semiconductor

Phys. Rev. Lett. 97, 237202 (2006)

D. Bougeard | S. Ahlers | A. Trampert | N. Sircar | G. Abstreiter

Direct observation of acoustic phonon mediated relaxation between coupled exciton states in a single quantum dot molecule

Phys. Rev. B 74, 121305(R) (2006)

T. Nakaoka | E. C. Clark | H. J. Krenner | M. Sabathil | M. Bichler | Y. Arakawa | G. Abstreiter | J. J. Finley

Download   

Dissimilar Kinetic Behavior of Electrically Manipulated Single-and Double-Stranded DNA Tethered to a Gold Surface

Biophysical Journal, Vol. 90, 3666-3671 (2006)

U. Rant | K. Arinaga | M. Tornow | Y. W. Kim | R. R. Netz | S. Fujita | N. Yokoyama | G. Abstreiter

Electrical Manipulation of Oligonucleotides Grafted to Charged Surfaces

Organic & Biomolecular Chemistry 4, 3448-4355 (2006)

U. Rant | K. Arinaga | S. Fujita | N. Yokoyama | G. Abstreiter | M. Tornow

Energy spectroscopy of controlled coupled quantum-wire states

Nature Physics 2, 91-96 (2006)

S. F. Fischer | G. Apetrii | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Ferromagnetic Ge(Mn) nanostructures

Physica E 32, 422-425 (2006)

S. Ahlers | D. Bougeard | H. Riedl | G. Abstreiter | A. Trampert | W. Kipferl | M. Sperl | A. Bergmaier | G. Dollinger

Magnetic and structural properties of GexMn1-x films: Precipitation of intermetallic nanomagnets

Phys. Rev. B 74, 214411 (2006)

S. Ahlers | D. Bougeard | N. Sircar | G. Abstreiter

Optically Probing Spin and Charge Interactions in a Tunable Artificial Molecule

Phys. Rev. Lett. 97, 076403 (2006)

H. J. Krenner | E. C. Clark | T. Nakaoka | M. Bichler | C. Scheurer | G. Abstreiter | J. J. Finley

Probing the subband structure of dual electron wave guides

Phase Transitions 79, 815-825 (2006)

S. F. Fischer | G. Apetrii | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Silicon-on-Insulator Microfluidic device with monolithic sensor integration for µ TAS applications

IEEE-JMEMS 15, 308-313 (2006)

S. Sharma | K. Buchholz | U. Rant | M. Tornow | G. Abstreiter

The role of surface-charging during the co-adsorption of mercaptohexanol to DNA-layers on gold: direct observation of desorption and layer re-orientation

Langmuir 22, 5560-5562 (2006)

K. Arinaga | U. Rant | M. Tornow | S. Fujita | G. Abstreiter | N. Yokoyama

Tunnel-coupled one-dimensional electron systems with large subband separations

Phys. Rev. B 74, 115324 (2006)

S. F. Fischer | G. Apetrii | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Tunneling spectroscopy of Landau band gaps at a quantum Hall line junction with adjustable Fermi level

Phys. Rev. B 73, 205305 (2006)

M. Habl | M. Reinwald | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Wave-function mixing in strongly confined tunnel-coupled quantum point contacts

Physica E 34, 526-529 (2006)

G. Apetrii | S. F. Fischer | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Aluminium arsenide cleaved-edge overgrown quantum wires

Appl. Phys. Lett. 87, 052101 (2005)

J. Moser | T. Zibold | D. Schuh | M. Bichler | F. Ertl | G. Abstreiter | M. Grayson | S. Roddaro | V. Pellegrini

Download   

Aluminum arsenide cleaved-edge overgrown quantum wires

Appl. Phys. Lett. 87, 052101 (2005)

J. Moser | T. Zibold | D. Schuh | M. Bichler | F. Ertl | G. Abstreiter | M. Grayson | S. Roddaro | V. Pellegrini

Controlled positioning of self-assembled InAs quantum dots on (110) GaAs

Physica E 26, 72-76 (2005)

D. Schuh | J. Bauer | E. Uccelli | R. Schulz | A. Kress | F. Hofbauer | J. Finley | G. Abstreiter

Online Reference

Corner overgrowth: Bending a high mobility two-dimensional electron system by 90º

Appl. Phys. Lett. 86, 032101 (2005)

M. Grayson | D. Schuh | M. Huber | M. Bichler | G. Abstreiter

Depth profile of strain and composition in Si/Ge dot multilayers by microscopic phonon Raman spectroscopy

Journal of Appl. Phys. 98, 113517 (2005)

P. H. Tan | D. Bougeard | G. Abstreiter | K. Brunner

Design and optimization of vertical CEO-T-FETs with atomically precise ultrashort gates by simulation with quantum transport models

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 1501-1502 (2005)

J. Höntschel | W. Klix | R. Stenzel | F. Ertl | G. Abstreiter

Direct Observation of Controlled Coupling in an Individual Quantum Dot Molecule

Phys. Rev. Lett. 94, 057402 (2005)

H. J. Krenner | M. Sabathil | E. C. Clark | A. Kress | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter | J. J. Finley

Download   

Effects of strain and confinement on the emission wavelength of InAs quantum dots due to a GaAs1-xNx capping layer

Virtual Journal of Nanoscale Science Technology 12 (1) (2005) &
Phys. Rev. B 71, 245316 (2005)

O. Schumann | S. Birner | M. Baudach | L. Geelhaar | H. Eisele | L. Ivanova | R. Timm | A. Lenz | S. K. Becker | M. Povolotskyi | M. Dähne | G. Abstreiter | H. Riechert

Download   

Field-effect induced mid-infrared intersubband electroluminescence of quantum wire cascade structures

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 443-444 (2005)

S. Schmult | T. Herrle | H. P. Tranitz | M. Reinwald | W. Wegscheider | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter

Investigation of cavity modes and direct observation of Purcell enhancement in 2D photonic crystal defect microcavities

Physica E 26, 351-355 (2005)

A. Kress | F. Hofbauer | N. Reinelt | H. J. Krenner | M. Bichler | D. Schuh | R. Meyer | G. Abstreiter | J. J. Finley

Magnetotransport spectroscopy of mode coupling in electron wave guides

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 923-924 (2005)

G. Apetrii | S. F. Fischer | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Magnetotransport spectroscopy of spatially coincident coupled electron waveguides

Phys. Rev. B 71, 195330 (2005)

S. F. Fischer | G. Apetrii | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Modulating the growth conditions: Si as an acceptor in (110) GaAs for high mobility p-type heterostructures

Appl. Phys. Lett. 86, 192106 (2005)

F. Fischer | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter | M. Grayson | K. Neumaier

Negative differential conductance in cleaved edge overgrown surface superlattices

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 900-901 (2005)

T. Feil | H. P. Tranitz | M. Reinwald | W. Wegscheider | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter | S. J. Allen

Physics and growth of Si-doped two-dimensional high mobility hole gases on (110) oriented GaAs

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 443-444 (2005)

F. Fischer | M. Grayson | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Progress towards single spin optoelectronics using quantum dot nanostructures

sol. stat. comm. 135, 591-601 (2005)

D. Heiss | M. Kroutvar | J. J. Finley | G. Abstreiter

Purely strain induced GaAs/InAlAs single quantum wires exhibiting strong charge carrier confinement

Proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 898-899 (2005)

R. Schuster | H. Hajak | M. Reinwald | W. Wegscheider | D. Schuh | M. Bichler | S. Birner | P. Vogl | G. Abstreiter

Raman scattering of folded acoustic phonons in self – assembled Si/Ge dot superlattices

Chinese Journal of light scattering 17, 312-314 (2005)

P. H. Tan | D. Bougeard | G. Abstreiter | K. Brunner

Recent advances in exciton-based quantum information processing in quantum dot nanostructures

New Journal of Physics 7, 184 (2005)

H. J. Krenner | S. Stufler | M. Sabathil | E. C. Clark | P. Ester | M. Bichler | G. Abstreiter | J. J. Finley | A. Zrenner

Recent advances in exciton-based quantum information processing in quantum dot nanostructures

New Journal of Physics 7, 184 (2005)

H. J. Krenner | S. Stufler | M. Sabathil | E. C. Clark | P. Ester | M. Bichler | G. Abstreiter | J. J. Finley | A. Zrenner

Silicon-on-insulator based thin-film resistor for chemical and biological sensor applications

Chem. Phys. Chem. 4, 1104-1106 (2005)

M. G. Nikolaides | S. Rauschenbach | S. Luber | K. Buchholz | M. Tornow | G. Abstreiter | A. R. Bausch

Structure of a single sharp quantum Hall edge probed by momemtum-resolved tunneling

Phys. Rev. Lett. 94, 016805 (2005)

M. Huber | M. Grayson | M. Rother | W. Biberacher | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Towards a new quantum wire structure realizable by double cleaved-edge overgrowth: Characterizing the transfer potential

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 915-916 (2005)

S. F. Roth | M. Grayson | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter

Advanced study of various characteristics found in RHEED patterns during the growth of InAs quantum dots on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy

Appl. Surface Science 228, 306-312 (2004)

J. W. Lee | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Anomalous-filling-factor-dependent nuclear-spin polarization in a 2D electron system

Phys. Rev. Lett. 92, 086802 (2004)

J. M. Smet | R. A. Deutschmann | F. Ertl | W. Wegscheider | G. Abstreiter | K. V. Klitzing

Atomically precise modulated two-dimensional electron gas exhibiting stable negative differential resistance

Physica E 22, 733-736 (2004)

T. Feil | B. Rieder | W. Wegscheider | J. Keller | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter

Dynamic electrical switching of DNA layers on a metal surface

Nano Lett. 4, 2441-2445 (2004)

U. Rant | K. Arinaga | S. Fujita | N. Yokoyama | G. Abstreiter | M. Tornow

Dynamics of optically stored charges in InGaAs quantum dots

Physica E 21, 886-891 (2004)

Y. Ducommun | M. Kroutvar | J. J. Finley | M. Bichler | A. Zrenner | G. Abstreiter

Experimental demonstration of a sharp quantum Hall edge

Physica E 25, 212-218 (2004)

M. Grayson | M. Huber | M. Rother | W. Bicheracher | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Fabrication of double quantum dots by combining afm and e-beam lithography

Physica E 21, 483-486 (2004)

M. C. Rogge | C. Fühner | U. F. Keyser | M. Bichler | G. Abstreiter | W. Wegscheider | R. J. Haug

Heterostructures overgrown on GaAs corner substrates

Physica E 23, 293-297 (2004)

D. Schuh | M. Grayson | M. Bichler | G. Abstreiter

Liquid phase sensors based on chemically functionalized GaAs/AlGaAs heterostructures

Physica E 21, 1111-1115 (2004)

S. M. Luber | K. Adlkofer | U. Rant | A. Ulmann | A. Gölzhäuser | M. Grunze | D. Schuh | M. Tanaka | M. Tornow | G. Abstreiter

Localization of fractionally charged quasi-particles

Science 305, 980-983 (2004)

J. Martin | S. Ilani | B. Verdene | J. Smet | V. Umansky | D. Mahalu | D. Schuh | G. Abstreiter | A. Yacoby

Long relaxation times of holes in Si/SiGe quantum cascade structures with a diagonal intersubband transition

Physica E 21, 779-782 (2004)

I. Bormann | K. Brunner | S. Hackenbuchner | H. Riedl | S. Schmult | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Long-range ordered self-assembled InAs quantum dots epitaxially grown on (110) GaAs

Appl. Phys. Lett. 85, 4750-4752 (2004)

J. Bauer | D. Schuh | E. Uccelli | R. Schulz | A. Kress | F. Hofbauer | J. Finley | G. Abstreiter

Online Reference

Long-range ordered self-assembled InAs quantum dots on (110) GaAs grown with Molecular Beam Epitaxy

Proceeding of 4th IEEE Conference on Nanotechnology, 189-191 (2004)

D. Schuh | J. Bauer | R. Schulz | E. Uccelli | F. Hofbauer | A. Kress | J. Finley | G. Abstreiter

Mid infrared emission of quantum wire cascade structures

Physica E 21, 223-229 (2004)

S. Schmult | I. Keck | T. Herrle | W. Wegscheider | A. P. Mayer | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter

Morphology and optical properties of InAs(N) quantum dots

Journ. of Appl. Phys. 96, 2832-2840 (2004)

O. Schumann | L. Geelhaar | H. Riechert | H. Cerva | G. Abstreiter

New anisotropic behaviour of quantum Hall resistance in (1 1 0) GaAs heterostructures at mK temperatures and fractional filling factors

Physica E 22, 108-110 (2004)

F. Fischer | E. Schuberth | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Non-equilibrium electronic distribution within one period of InP-based quantum cascade lasers

Semicond. Sci. Technol. 19, S342-S344 (2004)

G. Scarpa | P. Lugli | N. Ulbrich | G. Abstreiter | M. C. Amann | M. Manenti | F. Compagnone | A. D. Carlo

Observation of electrostatically released DNA from gold electrodes with controlled threshold voltages

J. Chem. Phys. 120, 5501-5504 (2004)

S. Takeishi | U. Rant | T. Fujiwara | K. Buchholz | T. Usuki | K. Arinaga | K. Takemoto | Y. Yamaguchi | M. Tornow | S. Fujita | G. Abstreiter | N. Yokoyama

Optical properties of low-dimensional semiconductor systems fabricated by cleaved edge overgrowth

phys. stat. sol. (c) 1, 2028 (2004)

R. Schuster | H. Hajak | M. Reinwald | W. Wegscheider | G. Schedelbeck | S. Sedlmaier | M. Stopa | S. Birner | P. Vogl | J. Bauer | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Download   

Optically programmable electron spin memory using semiconductor quantum dots

Nature 432, 81-84 (2004)

M. Kroutvar | Y. Ducommun | D. Heiss | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter | J. J. Finley

Photoluminescence of one-dimensional electron gases in cleaved-edge overgrowth quantum wires

phys. stat. sol. (b) 241, No. 5, 1041-1045 (2004)

C. Kristukat | A. R. Goni | M. Bichler | W. Wegscheider | G. Abstreiter | C. Thomsen

Probing the electrostatics of integer quantum hall edges with momentum-resolved tunnel spectroscopy

Physica E 22, 164-167 (2004)

M. Huber | M. Grayson | D. Schuh | M. Bichler | W. Biberacher | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Quantum Hall effect in a two-dimensional electron system bent by 90º

Physica E 22, 181-184 (2004)

M. Grayson | D. Schuh | M. Bichler | M. Huber | G. Abstreiter | L. Hoeppel | J. Smet | K. V. Klitzing

Quantum-confined Stark shifts of charged exciton complexes in quantum dots

Phys. Rev. B 70, 201308(R) (2004)

J. J. Finley | M. Sabathil | P. Vogl | G. Abstreiter | R. Oulton | A. I. Tartakovskii | D. J. Mowbray | S. Skolnick | S. L. Liew | A. G. Cullis | M. Hopkinson

Raman scattering of folded acoustic phonons in self-assembled Si/Ge dot superlattices

Appl. Phys. Lett. 84, 2632-2634 (2004)

P. H. Tan | D. Bougeard | G. Abstreiter | K. Brunner

Redistribution dynamics of optically generated charges in In(Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots

Appl. Phys. Lett. 85, 2592-2594 (2004)

Y. Ducommun | M. Kroutvar | M. Reimer | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter | J. J. Finley

Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots

Physica E 21, 312-316 (2004)

D. Bougeard | P. H. Tan | M. Sabathil | P. Vogl | G. Abstreiter | K. Brunner

Download   

Resonant tunneling between parallel 1D quantum wires and adjoining 2D electron reservoirs

Physica E 22, 292-295 (2004)

F. Ertl | S. Roth | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Strong charge carrier confinement in purely strain induced GaAs/InAlAs single quantum wires

Appl. Phys. Lett. 85, 3672-3674 (2004)

R. Schuster | H. Hajak | M. Reinwald | W. Wegscheider | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Strongly confined quantum wire states in strained T-shaped GaAs/InAlAs structures

Physica E 21, 236-240 (2004)

R. Schuster | H. Hajak | M. Reinwald | W. Wegscheider | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Structural properties of oligonucleotide monolayers on gold surfaces probed by fluorescence investigations

Langmuir 20, 10086-10092 (2004)

U. Rant | K. Arinaga | S. Fujita | N. Yokoyama | G. Abstreiter | M. Tornow

Temperature-induced broadening of the emission lines from a quantum-dot nanostructure

Physica E 24, 272-277 (2004)

V. M. Apalkov | T. Chakraborty | N. Ulbrich | D. Schuh | J. Bauer | G. Abstreiter

The structure and dispersion of a sharp quantum hall edge probed by momentum-resolved tunneling

Adv. in Solid State Phys. 44, 213-225 (2004) (ed. B. Kramer)

M. Huber | M. Grayson | M. Rother | W. Biberacher | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Transport in weakly and strongly modulated two-dimensional electron systems realized by cleaved-edge-overgrowth

phys. stat. sol. 1, 2111 (2004)

T. Feil | R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Rother | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter | B. Rieder | J. Keller

Vertical-mode dependence of coupling between an electron waveguide and reservoirs with two occupied subbands

Physica E 22, 398-401 (2004)

G. Apetrii | S. F. Fischer | U. Kunze | D. Schuh | G. Abstreiter

Aharonov-Bohm effect of a quantum ring in the Kondo regime

phys. stat. sol. (b) 238, 331-334 (2003)

U. F. Keyser | C. Fuhner | R. J. Haug | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Anisotropic high-mobility quantum Hall transport: two-dimensional electrons subject to few millikelvins and misoriented substrates

in: Physics of Semiconductors 2002, Institute of Physics Conference Series 171, eds.: A. R. Long, and J. H. Davies, Institute of Physics Publishing Bristol, E2.2 (2003).

F. Ertl | O. Jaeger | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter | E. Schuberth | C. Probst | W. Wegscheider

Coherent and incoherent properties of single quantum dot photodiodes

Physica E 16, 59-67 (2003)

E. Beham | A. Zrenner | S. Stufler | F. Findeis | M. Bichler | G. Abstreiter

Combined atomic force microscope and electron-beam lithography used for the fabrication of variable-coupling quantum dots

Appl. Phys. Lett. 83, 1163-1165 (2003)

M. C. Rogge | C. Fühner | U. F. Keyser | R. J. Haug | M. Bichler | G. Abstreiter | W. Wegscheider

Electrically tunable mid-infrared electroluminescence from graded cascade structures

Appl. Phys. Lett. 83, 3015-3017 (2003)

Y. B. Vasilyev | V. A. Solov`ev | B. Y. Meltser | A. N. Semenov | S. V. Ivanov | P. S. Kop`ev | N. Ulbrich | G. Abstreiter | M. C. Amann | S. Schmult | W. Wegscheider

Excessive counterion condensation on immobilized ssDNA in solutions of high ionic strength

Biophysical Journal 85, 3858-3864 (2003)

U. Rant | K. Arinaga | T. Fujiwara | S. Fujita | M. Tornow | N. Yokoyama | G. Abstreiter

Femtosecond buildup of screening and collective effects in photoexcited GaAs: How bare charges get dressed

in: Physics of Semiconductors 2002, Institute of Physics Conference Series 171, eds.: A.R. Long and J. H. Davies, Institute of Physics Publishing Bristio and Philadelphia, 93-100 (2003)

F. Tauser | R. Huber | A. Brodschelm | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Leitenstorfer

Field-effect-induced midinfrared electroluminescence of a quantum-wire-cascade structure by remote ?-doping

Appl. Phys. Lett. 83, 1909-1911 (2003)

S. Schmult | I. Keck | T. Herrle | W. Wegscheider | M. Bichler | D. Schuh | G. Abstreiter

Intraband photoresponse of SiGe quantum dot/quantum well multilayers

Physica E 16, 609-613 (2003)

D. Bougeard | K. Brunner | G. Abstreiter

Kondo effect in a few-electron quantum ring

Phys. Rev. Lett. 90, 196601-1 (2003)

U. F. Keyser | C. Fühner | S. Borck | R. J. Haug | M. Bichler | G. Abstreiter | W. Wegscheider

Local structure of Ge/Si nanostructures: uniqueness of XAFS spectroscopy

Nuclear Instruments & Methods, 199, 174-178 (2003)

A. V. Kolobov | H. Oyanagi | A. Frenkel | I. Robinson | J. Cross | S. Wei | G. Abstreiter | Y. Maeda | A. Shklyaev | M. Ichikawa | S. Yamasaki | K. Tanaka

Low-loss GaInAs-based waveguides for high-performance 5.5 mu m InP-based quantum cascade lasers

IEE Proceedings-Optoelectronics 150, 284-287 (2003)

G. Scarpa | N. Ulbrich | G. Böhm | G. Abstreiter | M. C. Amann

Mid-infrared electroluminescence from device with changeable electron-hole distance

Electronics Lett. 39, 108-110 (2003)

Y. B. Vasilyev | V. A. Solov`ev | B. Y. Meltser | A. N. Semenov | S. V. Ivanov | P. S. Kop`ev | N. Ulbrich | G. Abstreiter | M. C. Amann

Midinfrared intraband electroluminescence from AllnAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 83, 1530-1532 (2003)

N. Ulbrich | J. Bauer | G. Scarpa | R. Boy | D. Schuh | G. Abstreiter | S. Schmult | W. Wegscheider

Nonradiative relaxation times in diagonal transition Si/SiGe quantum cascade structures

Appl. Phys. Lett. 83, 5371-5373 (2003)

I. Bormann | K. Brunner | S. Hackenbuchner | G. Abstreiter | S. Schmult | W. Wegscheider

Prospects of quantum cascade lasers with GaInAs Waveguides

Adv. in Solid State Phys. 43, 301-312 (2003) (ed. B. Kramer)

N. Ulbrich | G. Scarpa | G. Abstreiter | M. C. Amann

Rabi-flopping of the ground state excition in a single self-assembled quantum dot

phys. stat. sol. (b) 238, 366-369 (2003)

E. Beham | A. Zrenner | F. Findeis | M. Bichler | G. Abstreiter

Raman characterization of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots

Phys. Rev. B 68, 125302 (2003)

P. H. Tan | K. Brunner | D. Bougeard | G. Abstreiter

Remote-doping scattering and the local field corrections in the 2D electron system in a modulation-doped Si/SiGe quantum well

Superlattices and Microstructures 33, 271-278 (2003)

V. T. Dolgopolov | E. V. Deviatov | A. A. Shashkin | U. Wieser | U. Kunze | G. Abstreiter | K. Brunner

Size and density estimation of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001) substrate through the analysis of RHEED patterns

phys. stat. sol. (c) 0, No.4, 1121-1124 (2003)

J. W. Lee | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Spin-photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation

Journal of Superconductivity 16, 415-418 (2003)

V. V. Bel`kov | S. D. Ganichev | P. Schneider | D. Schowalter | U. Rossler | W. Prettl | E. L. Ivchenko | R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

The single quantum dot photodiode – a two-level system with electric contacts

Adv. in Solid State Phys. 43, 287-300 (2003) (ed. B. Kramer)

E. Beham | A. Zrenner | S. Stufler | F. Findeis | M. Bichler | G. Abstreiter

Tunable single and dual mode operation of an external cavity quantum-dot injection laser

J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 1-3 (2003)

A. Biebersdorf | C. Lingk | M. D. Giorgi | J. Feldmann | J. Sacher | M. Arzberger | C. Ulbrich | G. Böhm | M. C. Amann | G. Abstreiter

Ultrafast coherent and incoherent dynamics of intersubband excitations in semiconductor quantum wells

Proceedings of SPIE 4992, 154-164 (2003)

T. Elsässer | R. A. Kaindl | F. Eickemeyer | K. Reimann | M. Woerner | R. Hey | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Ultrafast formation of many-particle interactions in a photoexcited electron-hole plasma

Proceedings of SPIE 4992, 130-137 (2003)

R. Huber | F. Tauser | A. Brodschelm | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Leitenstorfer

Wavelength selective charge storage in self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 83, 443-445 (2003)

M. Kroutvar | Y. Ducommun | J. J. Finley | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Zrenner

Wavelength selective data storage in InGaAs-GaAs quantum dots

phys. stat. sol. (b) 238, 345-348 (2003)

M. Kroutvar | A. Zrenner | Y. Ducommun | J. J. Finley | G. Abstreiter

A quantum dot infrared photodetector with lateral carrier transport

Physica E 13, 301-304 (2002)

L. Chu | A. Zrenner | D. Bougeard | M. Bichler | G. Abstreiter

Aharonov-Bohm oscillations of a tuneable quantum ring

Sem. Science and Technology 17, L22-L24 (2002)

U. F. Keyser | S. Borck | R. J. Haug | M. Bichler | G. Abstreiter | W. Wegscheider

Band-gap renormalization of modulation-doped quantum wires

Phys. Rev. B 65, 201304-1 (2002)

S. Sedlmaier | M. Stopa | G. Schedelbeck | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Circular photogalvanic effect in SiGe semiconductor quantum wells

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 690, F3.11.1-F3.11.6 (2002)

S. D. Ganichev | F. P. Kalz | U. Rössler | W. Prettl | E. L. Ivchenko | V. V. Bel`kov | R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

Coherent properties of a two-level system based on a quantum-dot photodiode

Nature 418, 612-614 (2002)

A. Zrenner | E. Beham | S. Stufler | F. Findeis | M. Bichler | G. Abstreiter

Device characterictics of vertical field effect transistors with ultra-short InGaAs/GaAs channels

in: Compound Semiconductors 2001, Institute of Physics Conference Series 170, eds.: Y. Arakawa, Y. Hirayama, K. Kishino, and H. Yamaguchi, Institute of Physics Publishing Bristol, 295-299 (2002)

F. Ertl | R. A. Deutschmann | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Effect of the interface on the local structure of Ge-Si nanostructures

J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1116-1119 (2002)

A. V. Kolobov | H. Oyanagi | K. Brunner | G. Abstreiter | Y. Maeda | A. A. Shklyaev | S. Yamasaki | M. Ichikawa | K. Tanaka

Efficient light emission at 1.54 µm from Er in Si excited by hot electron injection through thin suboxide layers

J. of Appl. Phys. 91, 9764-9771 (2002)

M. Markmann | A. Sticht | F. Bobe | G. Zandler | K. Brunner | G. Abstreiter | E. Müller

Enhancement of photoluminescence from near-surface quantum dots by suppression of surface state density

Phys. Chem. Chem. Physics 4, 785-790 (2002)

K. Adlkofer | E. Duijs | F. Findeis | A. Zrenner | E. Sackmann | G. Abstreiter | M. Tanaka

Femtosecond buildup of Coulomb screening in a photoexcited electron-hole plasma

Physica B 314, 248-254 (2002)

A. Leitenstorfer | R. Huber | F. Tauser | A. Brodschelm | M. Bichler | G. Abstreiter

Femtosecond intersubband scattering of holes in Si1-xGex/Si quantum wells

Physica B 314, 255-258 (2002)

R. A. Kaindl | M. Wörner | M. Wurm | K. Reimann | T. Elsässer | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Femtosecond optical response of Exciton – LO phonon quasiparticles in GaAs

phys. stat. sol. (b) 231, No.1, 181-186 (2002)

M. Betz | G. Göger | A. Leitenstorfer | R. Zimmermann | M. Bichler | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Gate-voltage control of spin interactions between electrons and nuclei in a semiconductor

Nature 415, 281-286 (2002)

J. H. Smet | R. A. Deutschmann | F. Ertl | W. Wegscheider | G. Abstreiter | K. V. Klitzing

Ge quantum dots in Si: self-assembly, stacking and level spectroscopy

Physica E 13, 1018-1021 (2002)

K. Brunner | M. Herbst | D. Bougeard | C. Miesner | T. Asperger | C. Schramm | G. Abstreiter

Ge-Si nanostructures for quantum-effect electronic devices

Microscopy of Semiconducting Materials 2001 Insitute of Physics Conference Series
169, 167-176 (2002)

F. Ernst | O. Kienzle | O. G. Schmidt | K. Eberl | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

High-performance 5.5µm quantum cascade lasers with high-reflection coating

IEE Proc.-Optoelectron. 149, 201-205 (2002)

G. Scarpa | N. Ulbrich | J. Roßkopf | G. Böhm | G. Abstreiter | M. C. Amann

Hole transport in SiGe channels on step-bunched vicinal Si surfaces

Physica E 13, 986-989 (2002)

R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

Improved large optical cavity design for 10.6 µm (Al)GaAs quantum cascade lasers

Physica E 13, 844-847 (2002)

G. Scarpa | N. Ulbrich | A. Sigl | M. Bichler | D. Schuh | M. C. Amann | G. Abstreiter

Intersubband staircase laser

Appl. Phys. Lett. 80, 4312-4314 (2002)

N. Ulbrich | G. Scarpa | G. Böhm | G. Abstreiter | M. C. Amann

Intersubband transitions of boron-doped self-assembled Ge quantum dots

Physica E 13, 1022-1025 (2002)

T. Fromherz | W. Mac | C. Miesner | K. Brunner | G. Bauer | G. Abstreiter

Intraband absorption and photocurrent spectroscopy of self-assembled p-type Si/SiGe quantum dots

Appl. Phys. Lett. 80, 2093-2095 (2002)

T. Fromherz | W. Mac | A. Hesse | G. Bauer | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Lateral variation of the electron density across a Hall bar in high electric and magnetic fields

Phys. Rev. B 65, 165307 (2002)

J. Frankenberger | A. Zrenner | M. Bichler | G. Abstreiter

Level bleaching in a single quantum dot observed by photocurrent spectroscopy

Physica E 13, 139-142 (2002)

E. Beham | A. Zrenner | F. Findeis | M. Bichler | G. Abstreiter

Local structure of Ge quantum dots self-assembled on Si(100) probed by x-ray absorption fine-structure spectroscopy

Phys. Rev. B 66, 075319 (2002)

A. V. Kolobov | H. Oyanagi | S. Wei | K. Brunner | G. Abstreiter

Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures

Applied Physics Letters 80, 2002 (2002)

I. Bormann | K. Brunner | S. Hackenbuchner | G. Zandler | G. Abstreiter | S. S. Wegscheider

Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures

Appl. Phys. Lett. 80, 2260-2262 (2002)

I. Bormann | K. Brunner | S. Hackenbuchner | G. Zandler | G. Abstreiter

Download   

Miniband transport in vertical superlattice field effect transistors

Physica E 12, 281-284 (2002)

R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Rother | M. Bichler | G. Abstreiter

Morphological transformation of InyGa1-yAs islands, fabricated by Stranski-Krastanov growth

Materials Science and Engineering B 88, 225-229 (2002)

A. Lorke | R. Blossey | J. M. Garcia | M. Bichler | G. Abstreiter

Nonlinear optical response of highly energetic excitons in GaAs: Microscopic electrodynamics at semiconductor interfaces

Phys. Rev. B 65, 085314 (2002)

M. Betz | G. Göger | A. Leitenstorfer | M. Bichler | G. Abstreiter | W. Wegscheider

Novel Si/Ge quantum dot mid-infrared photodetector structures with in-plane transport

in: Compound Semiconductors 2001, Institute of Physics Conference Series 170, eds.: Y. Arakawa, Y. Hirayama, K. Kishino, and H. Yamaguchi, Institute of Physics Publishing Bristol, 589-594 (2002)

D. Bougeard | K. Brunner | G. Abstreiter

Optically detected single-electron charging in a quantum dot

Physica E 13, 95-100 (2002)

A. Zrenner | F. Findeis | M. Baier | M. Bichler | G. Abstreiter | U. Hohenester | E. Molinari

Removal of spin degeneracy in p-SiGe quantum wells proved by spin photocurrents

Phys. Rev. B 66, 075328 (2002)

S. D. Ganichev | U. Rössler | W. Prettl | E. L. Ivchenko | V. V. Bel`kov | R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

Silicon/silicon suboxide heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Materials Science and Engineering B 89, 274-278 (2002)

A. Sticht | M. Markmann | K. Brunner | G. Abstreiter | E. Müller

Structural and optical properties of vertically correlated Ge island layers grown at low temperatures

Materials Science and Engineering B 89, 54-57 (2002)

M. Herbst | C. Schramm | K. Brunner | T. Asperger | H. Riedl | G. Abstreiter | A. Vörckel | H. Kurz | E. Müller

Thin SiOx layers embedded in single crystalline silicon

Physica E 13, 978-981 (2002)

A. Sticht | M. Markmann | K. Brunner | G. Abstreiter

Tunneling in the quantum Hall regime between orthogonal quantum wells

Physica E 12, 125-128 (2002)

M. Huber | M. Grayson | M. Rother | R. A. Deutschmann | W. Biberacher | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Two-color femtosecond spectroscopy of blue-shifted InAs/AlGaAs quantum dots

phys. stat. sol. (b) 233, No. 3, 401-407 (2002)

M. Betz | S. Trumm | A. Leitenstorfer | E. Beham | H. Krenner | M. Bichler | A. Zrenner | G. Abstreiter

Ultrafast intersubband scattering of holes in p-type modulation-doped Si1-xGex/Si multiple quantum wells

Physica E 13, 485-488 (2002)

M. Woerner | R. A. Kaindl | M. Wurm | K. Reimann | T. Elsaesser | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Ultrafast switch-off of an electrically pumped quantum-dot laser

Appl. Phys. Lett. 81, 1177-1179 (2002)

A. V. Platonov | C. Lingk | J. Feldmann | M. Arzberger | G. Böhm | M. C. Amann | G. Abstreiter

Vertical field effect transistors realized by cleaved-edge overgrowth

Physica E 13, 920-924 (2002)

F. Ertl | T. Asperger | R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Böhm | G. Abstreiter

Carrier capture into InAs/GaAs quantum dots via multiple optical phonon emission

Journal of Appl. Phys. 89, 1180-1183 (2001)

J. Feldmann | S. T. Cundiff | M. Arzberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Charging dynamics of self-assembled InAs quantum dots investigated by wavelength selective optically induced charge stroage measurements

Phys. stat. sol. (b) 224, 357-360 (2001)

D. Heinrich | J. Hoffmann | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Commensurability effects in lateral surface-doped superlattices

Appl. Phys. Lett. 78, 2175-2177 (2001)

R. A. Deutschmann | C. Stocken | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Compositional analysis based on electron holography and a chemically sensitive reflection

Ultramicroscopy 88, 51-61 (2001)

A. Rosenauer | D. V. Dyck | M. Arzberger | G. Abstreiter

Compositional analysis based upon electron holography and a chemically sensitive reflection

Microscopy of Semiconducting Materials 2001, Institute of Physics Conference Series 169, 33-36 (2001)

A. Rosenauer | D. Gerthsen | D. V. Dyck | M. Arzberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Continuous room-temperature operation of electrically pumped quantum-dot microcylinder lasers

Appl. Phys. Lett. 79, 1766-1768 (2001)

M. Arzberger | G. Böhm | M. C. Amann | G. Abstreiter

Dark pulse formation in a quantum-dot laser

Appl. Phys. Lett. 79, 18-20 (2001)

J. Zimmermann | S. T. Cundiff | G. V. Plessen | J. Feldmann | M. Arzberger | G. Böhm | M. C. Amann | G. Abstreiter

Electron and hole impact excitation of Er in MBE grown Si:O and Si1-yCy diodes

Materials Science and Engineering B 81, 109-112 (2001)

M. Markmann | R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

Epitaxial alloy films of zintl-phase Ca(Si1-xGex)(2)

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 223 4 573-576 (2001)

G. Vogg | C. Miesner | M. S. Brandt | M. Stutzmann | G. Abstreiter

Excitation efficiency of electrons and holes in forward and reverse biased erbium doped Si-diodes grown by MBE

App. Phys. Lett. 78, 210 (2001)

M. Markmann | E. Neufeld | A. Sticht | K. Brunner | G. Abstreiter

Femtosecond buildup of Coulomb screening in photoexcited GaAs probed via ultrabroadband THz spectroscopy

Journal of Luminescence 94-95, 555-558 (2001)

R. Huber | F. Tauser | A. Brodschelm | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Leitenstorfer

Gain characteristics of self-assembled InAs/GaAs quantum dots

phys. stat. sol. (b) 224, 827-831 (2001)

M. Arzberger | G. Böhm | M. C. Amann | G. Abstreiter

Grazing incidence small-angle x-ray scattering study of self-organized SiGe wires

Phys. Rev. B. 63, 205318-1 - 205318-5 (2001)

V. Holý | T. Roch | J. Stangl | A. Daniel | G. Bauer | T. H. Metzger | Y. H. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

High-temperature (T> 470 K) pulsed operation of 5.5µm quantum cascade lasers with high-reflection coating

Electronics Letters 37, 1341-1342 (2001)

N. Ulbrich | G. Scarpa | A. Sigl | J. Roßkopf | G. Böhm | G. Abstreiter | M. C. Amann

Hole emission from Ge/Si quantum dots studied by time-resolved capacitance spectroscopy

phys. stat. sol. (b) 224, 261-264 (2001)

C. M. A. Kapteyn | M. Lion | R. Heitz | D. Bimberg | C. Miesner | T. Asperger | K. Brunner | G. Abstreiter

How many-particle interactions develop after ultfrafast excitation of an electron-hole plasma

Nature 414, 286-289 (2001)

R. Huber | F. Tauser | A. Brodschelm | M. Bichler | G. Abstreiter | A. Leitenstorfer

Influence of thiol coupling on photoluminescence of near surface InAs quantum dots

phys. stat. sol. (b) 224, 871-875 (2001)

E. F. Duijs | F. Findeis | R. A. Deutschmann | M. Bichler | A. Zrenner | G. Abstreiter | K. Adlkofer | M. Tanaka | E. Sackmann

Intersubband photocurrent spectroscopy on self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots

phys. stat. sol. (b) 224, 591-594 (2001)

L. Chu | A. Zrenner | M. Bichler | G. Böhm | G. Abstreiter

Investigation of In segregation in InAs/AlAs quantum-well structures

Appl. Phys. Lett. 79, 4426-4428 (2001)

M. Schowalter | A. Rosenauer | D. Gerthsen | M. Arzberger | M. Bichler | G. Abstreiter

Ising feromagnetism and domain morphology in the fractional quantum hall regime

Phys. Rev. Lett. 86, 2412-2415 (2001)

J. H. Smet | R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | G. Abstreiter | K. V. Klitzing

Lateral photodetectors with Ge quantum dots in Si

Infrared Physics & Technology 42, 461-465 (2001)

C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Local structure of Ge/Si (100) self-assembled quantum dots

Journal of China University of Science and Technology 31, 282-288 (2001)

A. V. Kolobov | H. Oyanagi | K. Brunner | P. Schittenhelm | G. Abstreiter | K. Tanaka

Local structure of uncapped and Si-capped Ge/Si(100) self-assembled quantum dots

Appl. Phys. Lett. 78, 451-453 (2001)

A. V. Kolobov | H. Oyanagi | K. Brunner | P. Schittenhelm | G. Abstreiter | K. Tanaka

Local structure of uncapped and Si-capped Ge/Si(100) self-assembled quantum dots studied by fluorescent X-ray absorption fine structure

Proc. of the 6th International Symposium on Advanced Physical Fields: Growth of Well-defined Nanostructures, (6.-9. March 2001, Tsukuba, Japan), ed.: N. Koguchi, p. 167 (2001)

A. V. Kolobov | H. Oyanagi | K. Brunner | P. Schittenhelm | G. Abstreiter | K. Tanaka

Magneto-optics on single quantum dots

Physica B 298, 239-245 (2001)

A. Zrenner | F. Findeis | M. Baier | M. Bichler | G. Abstreiter

Millimeter wave and DC investigations of spin effects in the 2DES of AlGaAs/GaAs

Physica E 10, 57-61 (2001)

R. Meisels | K. Dybko | F. Ziouzia | F. Kuchar | R. Deutschmann | G. Abstreiter | G. Hein | K. Pierz

Miniband transport in vertical superlattice field-effect transistors

Appl. Phys. Lett. 79, 1564-1566 (2001)

R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Rother | M. Bichler | G. Abstreiter

Nonlinear ground-state absorption observed in a single quantum dot

Appl. Phys. Lett. 79, 2808-2810 (2001)

E. Beham | A. Zrenner | F. Findeis | M. Bichler | G. Abstreiter

Optical and magneto-optical investigartions on single-quantum dots

Physica E 9, 114-123 (2001)

A. Zrenner | F. Findeis | E. Beham | M. Markmann | G. Böhm | G. Abstreiter

Optical excitations of a self-assembled artificial ion

Phys. Rev. B 63, 121309-1-121309-4 (2001)

F. Findeis | M. Baier | A. Zrenner | M. Bichler | G. Abstreiter

Optical spectroscopy of charged excitons in single quantum dot photodiodes

Phys. Rev. B 64, 195326 (2001)

M. Baier | F. Findeis | A. Zrenner | M. Bichler | G. Abstreiter

Ordering and electronic properties of self-assembled Si/Ge quantum dots

J. Appl. Phys. 40, 1860-1865 (2001)

K. Brunner | G. Abstreiter

Phonon-assisted biexciton generation in a single quantum dot

phys. stat. sol. (b) 224, 337-341 (2001)

F. Findeis | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Photocurrent and photoluminescence of a single self-assembled quantum dot in electric fields

Appl. Phys. Lett. 78, 2958-2960 (2001)

F. Findeis | M. Baier | E. Beham | A. Zrenner | G. Abstreiter

Photoluminescence and AFM Studies on Blue Shifted InAs/AlyGa1-yAs Quantum Dots

phys. stat. sol. (b) 224, 47-51 (2001)

E. F. Duijs | F. Findeis | A. Zrenner | M. Bichler | G. Abstreiter

Quantification of segregation and mass transport in InxGa1-xAs/GaAs Stranski-Krastanow layers

Phys. Rev. B 64, 245334 (2001)

A. Rosenauer | D. Gerthsen | D. V. Dyck | M. Arzberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Quantum interference in artificial band structures

Phys. Rev. Lett. 86, 1857-1860 (2001)

R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Rother | M. Bichler | G. Abstreiter

Quantum-dot infrared photodetector with lateral carrier transport

Appl. Phys. Lett. 79, 2249-2251 (2001)

L. Chu | A. Zrenner | M. Bichler | G. Abstreiter

Self-Ordering of Ge islands on Si substrates mediated by local strain fields

phys. stat. sol. (b) 224, 531-535 (2001)

K. Brunner | J. Zhu | G. Abstreiter | O. Kienzle | F. Ernst

Simulation of vertical CEOFETs by a coupled solution of the Schrödingers equation with a hydrodynamic transport model

in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001, Springer Conference Proceedings,
eds.: D. Tsoukalas, and C. Tsamis, Springer Berlin, pp. 222 (2001)

J. Höntschel | R. Stenzel | W. Klix | F. Ertl | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter

Space charge spectroscopy of self assembled Ge quantum dots in Si

phys. stat. sol. (b) 224, 237-240 (2001)

T. Asperger | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Structural and chemical investigation of InAs/GaAs nanostructures by transmission electron microscopy

phys. stat. sol. (b) 224, 213-216 (2001)

A. Rosenauer | D. V. Dyck | D. Gerthsen | M. Arzberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Structural investigations on self-organized Si/SiGe islands by grazing incidence small angle X-Ray scattering

phys. stat. sol. (b) 224, 241-245 (2001)

T. Roch | V. Holý | J. Stangl | E. Höflinger | A. Daniel | G. Bauer | H. Metzger | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Time-resolved amplified spontaneous emission in InAs/GaAs quantum dots

phys. stat. sol. (b) 224, 475-480 (2001)

C. Lingk | G. V. Plessen | J. Feldmann | K. Stock | M. Arzberger | G. Böhm | M. C. Amann | G. Abstreiter

Vertical and lateral mid-infrared photocurrent study on Ge quantum dots in Si

phys. stat. sol. (b) 224, 605-608 (2001)

C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy

Journal of Appl. Phys. 89, 4836-4842 (2001)

M. Meduna | V. Holý | T. Roch | J. Stangl | G. Bauer | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Admittance spectroscopy of Ge quantum dots in Si

Thin Solid Films 380, 227-229 (2000)

T. Asperger | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Breakdown of Shubnikov-de Haas oscillations in a short-period 1D lateral superlattice

Physica E 6, 561-564 (2000)
Proc. of the 13th Int. Conf. on the EP2DS-13 held in Ottawa, Ontario, Canada 1-6 Aug 99

R. A. Deutschmann | A. Lorke | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Capacitance-voltage and admittance spectrocopy of self-assembled Ge islands in Si

Appl. Phys. Lett. 77, 2704-2706 (2000)

C. Miesner | T. Asperger | K. Brunner | G. Abstreiter

Dynamics of amplified spontaneous emission in InAs/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 76, 3507 (2000)

C. Lingk | G. V. Plessen | J. Feldmann | K. Stock | M. Arzberger | M. C. Amann | G. Abstreiter

Effective masses of electrons and holes in SiGe

„Properties of SiGe and SiGe:C“
eds.: E. Kasper, and K. Lyutovich
emis Datareviews series 24, 144-148 (2000)

R. Neumann | G. Abstreiter

Electron and hole storage in self-assembled InAs quantum dots

Physica E 7, 484-488 (2000)

D. Heinrich | J. Hoffmann | J. J. Finley | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Electronic inelastic light scattering in a periodic ?-doping GaAs multiple quantum well structure

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 727-728 (2001)

C. Kristukat | A. R. Goni | S. Rutzinger | W. Wegscheider | G. Abstreiter | C. Thomsen

Evidence of Luttinger liquid behavior in GaAs/AlGaAs quantum wires

Physica E 6, 551-554 (2000)
Proc. of the 13th Int. Conf. on the EP2DS-13 held in Ottawa, Ontario, Canada 1-6 Aug 99

M. Rother | W. Wegscheider | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter

Femtosecond spectroscopy of large-momentum excitons in GaAs

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 182-183 (2001)

M. Betz | G. Göger | A. Leitenstorfer | M. Bichler | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Grazing incidence small-angle x-ray scattering study of buried and free-standing SiGe islands in a SiGe/Si superlattice

Phys. Rev. B 62, 7229-7236 (2000)

J. Stangl | V. Holý | T. Roch | A. Daniel | G. Bauer | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Intra-valence band photocurrent measurements on Ge quantum dots in Si

Thin Solid Films 380, 180-182 (2000)

C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Intra-valence band photocurrent spectroscopy of self-assembled Ge dots in Si

Appl. Phys. Lett. 76, 1027-1029 (2000)

C. Miesner | O. Röthig | K. Brunner | G. Abstreiter

Investigation of conductance fluctuations in quantum wires fabricated by cleaved edge overgrowth

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 1027-1028 (2001)

F. Ertl | M. Rother | W. Wegscheider | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter

Lateral intersubband photocurrent spectroscopy on InAs/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 76, 1944-1946 (2000)

L. Chu | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Local laser induced rapid thermal oxidation of SOI substrates

Appl. Surface Science 168, 204-207 (2000)

M. Huber | R. A. Deutschmann | R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

Low-resistance InGa(Al)As tunnel junctions for long wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers

Jpn. J. Appl. Phys. 39, 1727-1729 (2000)

M. Ortsiefer | R. Shau | G. Böhm | F. Köhler | G. Abstreiter | M. C. Amann

Low-resistance InGa(Al)As tunnel junctions for long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers

IEEE Photonics Technology Letters 39 (2000) 1727.

M. Ortsiefer | R. Shau | G. Böhm | F. Köhler | G. Abstreiter | M. C. Amann

Many-particle effects in Ge quantum dots investigated by time-resolved capacitance spectroscopy

Appl. Phys. Lett. 77, 4169-4171 (2000)

C. M. A. Kapteyn | M. Lion | R. Heitz | D. Bimberg | C. Miesner | T. Asperger | K. Brunner | G. Abstreiter

Mid-infrared photocurrent measurements on self-assembled Ge dots in Si

Physica E 7, 146-150 (2000)
Proc. of the 5th Int. Conf. on ITQW´99 in Bad Ischl, Austria 7-11 Sept. 99

C. Miesner | O. Röthig | K. Brunner | G. Abstreiter

Multi-exciton spectroscopy on a self-assembled InGaAs/GaAs quantum dot

Physica E 7, 354-358 (2000)

F. Findeis | A. Zrenner | M. Markmann | G. Böhm | G. Abstreiter

Negative differential resistance of a 2D electron gas in a 1D miniband

Physica E 7, 294-298 (2000)
Proc. of the 5th Int. Conf. on ITQW´99 in Bad Ischl, Austria 7-11 Sept. 99

R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Rother | M. Bichler | G. Abstreiter

Optical charging of self-assembled InAs quantum dots

in: Optical Properties of Semiconductor Nanostructures,
Eds.: M. L. Sadowski, M. Potemski, and M. Grynberg, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, page 365 (2000)

D. Heinrich | J. Finley | M. Skalitz | J. Hoffmann | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Optical properties of T-shaped quantum wire lasers

Phys. Stat. Sol. (a) 178, 227-231 (2000)

L. Sorba | G. Schedelbeck | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Optical spectroscopy on a single InGaAs/GaAs quantum dot in the few-exciton limit

Solid state communications 114, 227-230 (2000)

F. Findeis | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Optical spectroscopy on a single quantum dot – single electron charging and Stark effect

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 1161-1162 (2001)

M. Baier | F. Findeis | A. Zrenner | M. Bichler | G. Abstreiter

Optical spectroscopy on single quantum dots

in: Adv. in Sol. State Phys. Vol. 40, ed.: B. Kramer (Vieweg, Braunschweig/Wiesbaden) 561-576 (2000)

A. Zrenner | F. Findeis | E. Beham | M. Markmann | G. Böhm | G. Abstreiter

Optically induced charge storage and de-charging in InAs quantum dots

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 1115-1116 (2001)

D. Heinrich | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Optically-induced charge storage in self-assembled InAs quantum dots

Thin Solid Films 380, 192-194 (2000)

D. Heinrich | J. Hoffmann | J. J. Finley | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Phonon assisted biexciton generation in a single quantum dot

Phys. Rev. B 61, R10579 (2000)

F. Findeis | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Photocurrent and resonant Raman spectroscopy on self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 1207-1208 (2001)

L. Chu | A. Zrenner | M. Arzberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Photoluminescence characterization of erbium doped Si1-yCy alloys grown by MBE

Thin solid films 369, 398-401 (2000)

M. Markmann | E. Neufeld | K. Brunner | G. Abstreiter | C. Buchal

Quantum wires as Luttinger liquids: experiment

Adv. in Sol. State Phys. Vol. 40, ed.: B. Kramer (Vieweg, Braunschweig/Wiesbaden) 97-116 (2000)

W. Wegscheider | M. Rother | F. Ertl | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter

Raman spectroscopy of In(Ga)As/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 77, 3944-3946 (2000)

L. Chu | A. Zrenner | M. Bichler | G. Böhm | G. Abstreiter

Self-assembled growth and magnetotransport investigations on strained Si/SiGe multilayers on vicinal (113)-Si surfaces

Thin Solid Films 380, 124-126 (2000)

R. Neumann | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Self-organized periodic arrays of SiGe wires and Ge islands on vicinal Si substrates

Physica E 7, 881-886 (2000)

K. Brunner | J. Zhu | C. Miesner | G. Abstreiter | O. Kienzle | F. Ernst

Semiclassical origin of the 2D metallic state in high mobility Si-MOS and Si/SiGe structures

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 785-786 (2001)

G. Brunthaler | A. Prinz | G. Pillwein | G. Bauer | K. Brunner | G. Abstreiter | T. Dietl | V. M. Pudalov

Shape and size of buried SiGe islands

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 363-364 (2001)

J. Stangl | V. Holý | A. Daniel | T. Roch | G. Bauer | T. H. Metzger | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Spectroscopy of single self-assembled quantum dots

Journal of Luminescence 87-89, 35 (2000)

A. Zrenner | F. Findeis | E. Beham | M. Markmann | G. Böhm | G. Abstreiter

Step bunching and correlated SiGe nanostructures on (113) Si

Thin Solid Films 369, 39-42 (2000)

K. Brunner | J. Zhu | G. Abstreiter | O. Kienzle | F. Ernst

Strain-induced self-organized growth of nanostructures: From step bunching to ordering in quantum dot superlattices

J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2187 (2000)

J. Stangl | T. Roch | V. Holý | M. Pinczolits | G. Springholz | G. Bauer | I. Kegel | T. H. Metzger | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter | D. Smilgies

Studies on impact excitation of Er in Si by hot carriers

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 1443-1444 (2001)

M. Markmann | A. Sticht | F. Bobe | E. Neufeld | K. Brunner | G. Abstreiter

Ultrafast dynamics of holes in Si1-xGex/Si multiple quantum wells

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 611-612 (2001)

R. A. Kaindl | M. Wurm | K. Reimann | M. Woerner | T. Elsässer | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Ultrafast optical spectroscopy of large-momentum excitons in GaAs

Phys. Rev. Lett. 84, 5812-5815 (2000)

G. Göger | M. Betz | A. Leitensdorfer | M. Bichler | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Characteristics of surface and waveguide emitting SiGe:Er:O diodes

Journal of Luminescence 80, 321-327 (1999)

A. Sticht | E. Neufeld | A. Luigart | K. Brunner | G. Abstreiter | H. Bay

Comparison of different substrates for a fully depleted soi-cmos-technology

Electron Technology, 32, ½, pp. 151-153 (1999)

T. Huttner | H. Wurzer | R. Mahnkopf | S. Pindl | G. Abstreiter

Correlated SiGe wires shaped by regular step bunches on miscut Si (113) substrates

Phys. Rev. B 60, 10935 (1999)

J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter | O. Kienzle | F. Ernst | M. Rühle

Direct sub-µm lateral patterning of SOI by focused laser beam induced oxidation

Microelectronic Engineering 48, 367-370 (1999)

R. A. Deutschmann | M. Huber | R. Neumann | K. Brunner | G. Abstreiter

Electrically detected magnetic resonance of two-dimensional electron gases in Si SiGe heterostructures

PHYSICAL REVIEW B 59 20 13242-13250 (1999)

C. F. O. Graeff | M. S. Brandt | M. Stutzmann | M. Holzmann | G. Abstreiter | F. Schaffler

Electrically detected magnetic resonance of two-dimensional electron gases in Si/SiGe

Phys. Rev. B 59, 13242-13250 (1999)

C. F. O. Graeff | M. S. Brandt | M. Stutzmann | M. Holzmann | G. Abstreiter | F. Schäffler

Enhancement of erbium photoluminescence by substitutional C alloying of Si

Appl. Phys. Lett. 75, 2584-2586 (1999)

M. Markmann | E. Neufeld | A. Sticht | K. Brunner | G. Abstreiter

High-resolution x-ray diffraction on self-organized step bunches of Si1-xGex grown on (113)-oriented Si

J. Phys. D: Appl. Phys. 32, A71-A74 (1999)

J. Stangl | V. Holy | A. A. Darhuber | P. Mikulik | G. Bauer | J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Influence of a thin AlAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 75, 3968-3970 (1999)

M. Arzberger | U. Käsberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Influence of growth conditions on the photoluminescence of self-assambled InAs/GaAs quantum dots

J. of Appl. Phys. 85, 2355-2362 (1999)

L. Chu | M. Arzberger | G. Böhm | G. Abstreiter

Lateral ordering of coherent Ge islands on Si(001) studied by triple-crystal grazing incidence diffraction

Appl. Phys. Lett. 74, 2978-2980 (1999)

I. Kegel | T. H. Metzger | J. Peisl | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Mechanical nanomanipulation of single strain-induced semiconductor quantum dots

Appl. Phys. Lett. 75, 358-360 (1999)

C. Obermüller | A. Deisenrieder | G. Abstreiter | K. Karrai | S. Grosse | S. Manus | J. Feldmann | H. Lipsanen | M. Sopanen | J. Ahopelto

Normal-incident intersubband photocurrent spectroscopy on InAs/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 75, 3599-3601 (1999)

L. Chu | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Optical and transport properties of low-dimensional structures fabricated by cleaved edge overgrowth

Microelectronic Engineering 47, 215-219 (1999)

W. Wegscheider | M. Rother | G. Schedelbeck | M. Bichler | G. Abstreiter

Optical properties of low-dimensional structures fabricated by cleaved edge overgrowth

Proc. of ICPS 24
World Scientific p. 172 ff. (1999)

W. Wegscheider | G. Schedelbeck | M. Bichler | G. Abstreiter

Optically induced persistent charge storage effects in self assembled InAs quantum dots

Jpn. J. Appl. Phys. 38, 531-534 (1999)

J. J. Finley | M. Skalitz | M. Arzberger | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Optimization of erbium-doped light-emitting diodes by p-type counterdoping

Appl. Phys. Lett. 75, 647-649 (1999)

E. Neufeld | M. Markmann | K. Brunner | G. Abstreiter

Pauli-blocking imaging of single strain-induced semiconductor quantum dots

Appl. Phys. Lett. 74, 3200-3202 (1999)

C. Obermüller | A. Deisenrieder | G. Abstreiter | K. Karrai | S. Grosse | S. Manus | J. Feldmann | H. Lipsanen | M. Sopanen | J. Ahopelto

Polarization dependent photocurrent spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots

Appl. Phys. Lett. 75, 2247-2249 (1999)

L. Chu | M. Arzberger | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Regular step bunching and ordering of Ge Islands on vicinal Si surfaces

Proc. of ICPS 24, Ed. D. Gershoni
World Scientific, p. 61 ff (1999)

K. Brunner | J. Zhu | G. Abstreiter | O. Kienzle | F. Ernst

Space-charge spectroscopy of self-assembled Ge-rich dots on Si grown by MBE

Phys. Rev. B, 60 (3), 1792-1798 (1999)

K. Schmalz | I. N. Yassievich | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Spatially resolved spectroscopy of single and coupled quantum dots

Jpn. J. Appl. Phys. 38, 449-454 (1999)

G. Abstreiter | M. Bichler | M. Markmann | G. Schedelbeck | W. Wegscheider | A. Zrenner

Spatially resolved spectroscopy on single self-assembled quantum dots

Journal of Electronic Materials 28, 542 (1999)

A. Zrenner | M. Markmann | E. Beham | F. Findeis | G. Böhm | G. Abstreiter

Step characterization on vicinal Si surfaces by reflection high-energy electron diffraction at arbitrary azimuths

Applied Surface Science 137, 191-196 (1999)

J. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Strain relaxation of facetted Ge islands on Si (113)

Appl. Phys. Lett. 75, 2395-2397 (1999)

J. Zhu | C. Miesner | K. Brunner | G. Abstreiter

Atomically precise quantum dots fabricated by twofold cleaved edge overgrowth: From artifical atoms to molecules

Physica E 3 103-111 (1998)

W. Wegscheider | G. Schedelbeck | M. Bichler | G. Abstreiter

Band gaps and light emission in Si/Ge atomic layer structures

to be publ. in Semiconductors and Semimetals, Vol 49, Light emission in Silicon. Ed.: D. J. Lockwood, Academic Press 37-71 (1998).

G. Abstreiter

Chemical beam epitaxy of integrated 1.55 µm lasers on exact and misoriented (1 0 0)-InP substrates

Journal of Crystal Growth 188, 275-280 (1998)

A. Nutsch | N. Döhr | H. Kratzer | R. Lukas | B. Torabi | G. Tränkle | G. Abstreiter | G. Weimann

Design and Fabrication of Double Modulation Doped InAlAs/InGaAs/InAs Heterojunction FET’s for High Speed and Millimeter-wave Applications

IEEE Electron Devices, Vol. 45 (1), 21-30 (1998)

D. Xu | H. Heiß | S. Kraus | M. Sexl | G. Böhm | G. Tränkle | G. Abstreiter

Die Entdeckung des fraktionalen Quanten-Hall-Effekts

Physikalische Blätter 54, 1098-1102 (1998)

G. Abstreiter

Direct writing of in-plane-gated nanostructures by focused laser beam-induced doping

Physica E 2, 441-448 (1998)

P. Baumgartner | W. Wegscheider | G. Groos | G. Abstreiter

Effects of a lateral electric field on excitons in a single quantum dot

Physica E 2, 623-626 (1998)

W. Heller | U. Bockelmann | G. Abstreiter

Electric-field effects on excitons in quantum dots

Physical Review B, Vol. 57 (11), 6270-6273 (1998)

W. Heller | U. Bockelmann | G. Abstreiter

Electrical Detection of Optically-Induced Charge Storage in Self-Assembled InAs Quantum Dots

Appl. Phys. Lett. 73, 2618-2620 (1998)

J. J. Finley | M. Skalitz | M. Arzberger | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Electroluminescence studies of stacked self-assembled InAs/GaAs-quantum dots embedded in a Bragg resonator

Physica E 2, 594-598 (1998)

M. Arzberger | M. Hauser | G. Böhm | A. Zrenner | G. Abstreiter

Erbium doped Si/SiGe waveguide diodes: Optical and electrical characterization

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 533, 139-144 (1998)

E. Neufeld | A. Luigart | A. Sticht | K. Brunner | G. Abstreiter

Growth and characterization of strained Si1-xGex multi-quantum-well waveguide photodetectors on (1 1 0) Si for 1.3 and 1.55 µm

Physica E 2, 753-757 (1998)

K. Bernhard-Höfer | A. Zrenner | J. Brunner | G. Abstreiter | F. Wittmann | I. Eisele

Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si (113)

Appl. Phys. Lett. Vol 73 (11) 1535-1537 (1998)

A. A. Darhuber | J. Zhu | V. Holy | J. Stangl | P. Mikulik | K. Brunner | G. Abstreiter | G. Bauer

Lateral ordering of self-assembled Ge islands

Thin Solid Films 336, 252-255 (1998)

J. H. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter | O. Kienzle | F. Ernst

Luminescence from erbium- and oxygen-doped SiGe grown by molecular beam epitaxy

Thin Solid Films 321, 219-222 (1998)

E. Neufeld | A. Sticht | K. Brunner | G. Abstreiter | H. Bay | C. Buchal | H. Holzbrecher

MBE-Growth of Metamorphic InGaAlAs Buffers

Inst. of Physics Conference Series 156, 49-52 (1998)

M. Sexl | G. Böhm | M. Maier | G. Tränkle | G. Weimann | G. Abstreiter

Molecular beam epitaxy growth and thermal stability of Si1-xGex layers on extremely thin silicon-on-insulator substrates

Thin Solid Films 321, 245-250 (1998)

K. Brunner | H. Dobler | G. Abstreiter | H. Schäfer | B. Lustig

Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers

Phys. Rev. B 57 (19), 12435-12442 (1998)

V. Holý | A. A. Darhuber | J. Stangl | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Observation of ?105? faceted Ge pyramids inclined towards vicinal Si(001) surfaces

Appl Phys. Lett. 72 (4), 424-426 (1998)

J. H. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Observation of step bunches in units of 4 ML on vicinal Si(113) surfaces

Appl Phys. Lett. 73 (17), 2438-2440 (1998)

J. H. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Optische Eigenschaften von Quantenpunkten und mögliche Anwendungen

PTB-Bericht, Techn. Univ. Braunschweig, 3-17 (1998)

G. Abstreiter

Photo- and electroluminescence characterization of erbium doped SiGe

H. Holzbrecher, H. Bay
J. Vac. Sci. Technol. B 16(5), 2615 (1998)

E. Neufeld | A. Sticht | K. Brunner | H. Riedl | G. Abstreiter

Polarization dependent intersubband absorption and normal-incidence infrared detection in p-type Si/SiGe quantum wells

Superlattices & Microstructures 23, 61-66 (1998)

P. Kruck | A. Weichselbaum | M. Helm | T. Fromherz | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Quantum dots fabricated by twofold cleaved edge overgrowth

Physica E 2, 1-7 (1998)

G. Schedelbeck | W. Wegscheider | M. Rother | S. Glutsch | M. Bichler | G. Abstreiter

Raman scattering in annealed isotopic (70Ge)n(74Ge)m superlattices

Physica E 2 291-294 (1998)

E. Silveira | W. Dondl | G. Abstreiter | E. E. Haller

Room temperature 1.54µm electroluminescende from erbium deped Si/SiGe waveguides

Appl. Phys. Lett. 73, 3061-3063 (1998)

E. Neufeld | A. Sticht | A. Luitgart | K. Brunner | G. Abstreiter

Self-Assembled Ge-Dots: Growth, Characterization, Ordering and Applications

J. Vac.Sci. Technol. B 16 (3) 1575-1581 (1998)

P. Schittenhelm | C. Engel | F. Findeis | G. Abstreiter | A. A. Darhuber | A. O. Kosogov | P. Werner

Shape, size, strain and correlations in quantum dot systems studied by grazing incidence X-ray scattering methods

Thin solid Films 336, 1-8 (1998)

T. H. Metzger | I. Kegel | R. Paniago | A. Lorke | J. Peisl | J. Schulze | I. Eisele | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Size distribution of coherently strained InAs quantum dots

J. Appl. Phys. 84, 4268-4272 (1998)

K. H. Schmidt | G. Medeiros-Ribeiro | U. Kunze | G. Abstreiter | M. Petroff

Spatially resolved exciton trapping in a voltage- controlled lateral superlattice

Appl. Phys. Lett. 73, 154-156 (1998)

S. Zimmermann | G. Schedelbeck | A. O. Govorov | A. Wixforth | J. P. Kotthaus | M. Bichler | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Spatially resolved optical spectroscopy on natural quantum dots

Applied Surface Science 123/124, 356-365 (1998)

A. Zrenner | A. Schaller | M. Markmann | M. Hagn | M. Arzberger | D. Henry | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Spectroscopy of excitonic Zeeman levels in single quantum dots

Physica E 2, 609-613 (1998)

A. Schaller | A. Zrenner | G. Abstreiter | G. Böhm

Spin splitting in GaAs quantum wire structures

PHYSICA E 2 1-4 929-932 (1998)

E. Silveira | M. K. Kelly | C. E. Nebel | G. Bohm | G. Abstreiter | M. Stutzmann

Structural characterization of self-assembled Ge dot multilayers by x-ray diffraction and reflectivity methods

Physica E, 2. 789-793 (1998)

A. A. Darhuber | V. Holy | P. Schittenhelm | J. Stangl | I. Kegel | Z. Kovats | T. H. Metzger | G. Bauer | G. Abstreiter | G. Grübel

The Origin of Various PL-Bands in Si/Ge Strain-Symmetrized Superlattices

Microelectronic Engineering 43, 165-170 (1998)

J. Olajos | J. Nilson | M. Gail | G. Abstreiter

Two-dimensional ordering of self-assembled Ge islands on vicinal Si(001) surfaces with step bunches

Appl. Phys. Lett. 73 (59), 620-622 (1998)

J. H. Zhu | K. Brunner | G. Abstreiter

Von künstlichen Atomen zu Molekülen

Physikalische Blätter 54 1115-1117 (1998)

G. Abstreiter

Von künstlichen Atomen zu Molekülen

TUM-Mitteilungen 4, 26 (1998).

G. Abstreiter

X-ray reflectivity investigations of the interface morphology on strained SiGe/Si multilayers

Semicond. Sci. Technol. 13, 590-598 (1998)

V. Holý | A. A. Darhuber | J. Stangl | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

0.15 µm double modulation doped InAs-inserted-channel MODFETs: Gate recess for optimum RF performances

Electronics Lett. Vol. 33 (6), 532-533 (1997)

D. Xu | H. Heiß | S. Kraus | M. Sexl | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann | G. Abstreiter

2 S/mm Transconductance InAs-Inserted-Channel Modulation Doped Field Effect Transistors with a Very Close Gate-to-Channel Separation of 14.5 nm

Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 (Part 2, No. 4B), L470-L472 (1997)

D. Xu | H. Heiß | M. Sexl | S. Kraus | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann | G. Abstreiter

Atomically Precise GaAs/AlGaAs Quantum Dots Fabricated by Twofold Cleaved Edge Overgrowth

Phys. Rev. Letters 79 (10), 1917-1920 (1997)

W. Wegscheider | G. Schedelbeck | G. Abstreiter | M. Rother | M. Bichler

Coupled Quantum Dots Fabricated by Cleaved Edge Overgrowth: From Artifical Atoms to Molecules

Science Vol 278, 1792-1795 (1997)

G. Schedelbeck | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Abstreiter

Defect-free strain relaxation in locally MBE-grown SiGe-heterostructures

Thin Solid Films 294, 27-32 (1997)
(E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 4-7, 1996)

T. Rupp | F. Kaesen | W. Hansch | E. Hammerl | D. J. Gravesteijn | R. Schorer | E. Silveira | G. Abstreiter | I. Eisele

Direct and indirect magnetoexcitons in InGaAs/GaAs coupled quantum wells: experiment and theory

12th Int. Conf., High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II, Würzburg, Germany, July 28-Aug.2, 1996. Vol 2, 689-692 (1997)

L. V. Butov | A. B. Dzyubenko | A. L. Yablonskii | A. Zrenner | G. Abstreiter | A. V. Petinova | K. Eberl

Erbium-silicon light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy: optical properties

Thin Solid Films 294, 220-222 (1997)
E-MRS 1996 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 4-7, 1996

J. Stimmer | A. Reittinger | E. Neufeld | G. Abstreiter | H. Holzbrecher | U. Breuer | C. Buchal

Fabrication of lateral npn- and pnp- structures on Si/SiGe by focused laser beam writing and their application as photodetectors

J. Appl. Phys. 81 (9),6455-6460 (1997)

C. Engel | P. Baumgartner | M. Holzmann | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Franz-Keldysh effect in lateral GaAs/AlGaAs based npn-structures

Appl. Phys. Lett. 70 (21), 2876-2878 (1997)

P. Baumgartner | C. Engel | G. Böhm | G. Abstreiter

Ge self-diffusion in isotopic (70Ge)n(74Ge)m superlattices: A Raman study

Phys. Rev. B 56 (4), 2062-2069 (1997)

E. Silveira | W. Dondl | G. Abstreiter | E. E. Haller

Growth of self-assembled homogeneous SiGe dots on Si(100)

Thin Solid Films 294, 291-295 (1997)
(E-MRS 1996 Spring Meeting Strasbourg)

P. Schittenhelm | G. Abstreiter | A. Darhuber | G. Bauer | P. Werner | A. Kosogov

High Performance Double Modulation Doped InAlAs/InGaAs/InAs HFETs

IEEE Electon Device Letters, Vol. 18 (7), 323-326 (1997)

D. Xu | H. Heiß | S. Kraus | M. Sexl | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weiman | G. Abstreiter

High resolution x-ray diffraction from multilayered self-assembled Ge-dots

Phys. Rev. B 55 (23), 15652-15663 (1997)

A. A. Darhuber | P. Schittenhelm | V. Holý | J. Stangl | G. Bauer | G. Abstreiter

Influence of germanium content on the photoluminescence of erbium- and oxygen-doped SiGe grown by molecular beam epitaxy

H. Holzbrecher, H. Bay and Ch. Buchal
Appl. Phys. Lett 71 (21), 3129-3131 (1997)

E. Neufeld | A. Sticht | K. Brunner | G. Abstreiter

Influence of the erbium and oxygen content on the electroluminescence of epitaxially grown erbium-doped silicon diodes

Appl. Phys. Lett. 70 (18), 2431-2433 (1997)

A. Reittinger | J. Stimmer | G. Abstreiter

Infrared studies of p-type Si/SiGe quantum wells: intersubband absorption, infrared detectors, and second harmonic generation

Thin Solid Films (EMRS) 294, 330-335 (1997)

M. Helm | P. Kruck | T. Fromherz | A. Weichselbaum | M. Seto | G. Bauer | Z. Moussa | P. Boucaud | F. H. Julien | J. M. Lourtioz | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Intersubband transitions, infrared detectors, and optical nonlinearities in SiGe multiquantum wells

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 450, 201-211 (1997). "Infrared Applications of Semiconductors". Eds.: M. O. Manasreh, T. H. Meyers, and F. H. Julien. MRS, 1997.

M. Helm | P. Kruck | T. Fromherz | M. Seto | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Lateral photodetector devices on Si/SiGe heterostructures

Thin Solid Films 294, 347-350 (1997)

C. Engel | P. Baumgartner | M. Holzmann | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Local spectroscopy of magnetoexcitons in different types of single quantum dots

12th Int. Conf. on The Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Würzburg, Germany, July 28-Aug.2, 1996.Vol 2, 655-658 (1997)

W. Heller | U. Bockelmann | G. Abstreiter

Micro-photoluminescence studies of single quantum dots. II. Magnetic-field experiments

Phys. Rev. B 55 (7), 4469-4472 (1997).

U. Bockelmann | W. Heller | G. Abstreiter

P. Werner, N.A. Bert, G.G. Konnikov, A.A. Suvorova, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, P. Schittenhelm

Inst. of Physics Conf. Series 155, 851-854 (1997)

A. O. Kosoyov | G. Abstreiter

Quantum Wires and Dots Fabricatet by Cleaved Edge Overgrowth

Phys. Stat. Sol. (a) 164, 601-606 (1997)

W. Wegscheider | G. Schedelbeck | M. Bichler | G. Abstreiter

Self-assembled growth of Sn on Ge (001)

Thin Solid Films 294, 308-310 (1997)
(E-MRS 1996 Spring Meeting Strasbourg)

W. Dondl | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Single electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure

Appl. Phys. Lett. 70 (16), 2135-2137 (1997)

P. Baumgartner | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Schedelbeck | R. Neumann | G. Abstreiter

STM-Cathodoluminescence of Self-Assembled InGaAs Quantum Dots

Phys. Stat. Sol. (a) 164, 301-305 (1997)

M. Markmann | A. Zrenner | G. Böhm | G. Abstreiter

Structural characterization of self-organized semiconductor dots by X-ray methods

Phantoms Newsletters 13, 1-5 (1997)

A. A. Darhuber | V. Holy | G. Bauer | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Temperature and Power Dependence of Exciton Spectra in Quantum Dots

Phys. Stat. Sol. (a) 164, 281-286 (1997)

U. Bockelmann | W. Heller | A. Filoramo | P. Roussignol | G. Abstreiter

X-ray diffraction and reflection from self-assembled Ge-dots

Thin Solid Films 294, 298-299 (1997)
(E-MRS 1996 Spring Meeting Strasbourg)

A. A. Darhuber | H. Stangl | G. Bauer | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Anomalous Transport of Indirect Excitons in Coupled AlAs/GaAs Quantum Wells

Surface Science 361/362, 243-246 (1996).
(Proc. of the EP2DS XI, Nottingham, UK, Aug. 7-11, 1995)

L. V. Butov | A. Zrenner | M. Hagn | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Confinement effects and polarization dependence of luminescence from monolayer-thick Ge quantum wells

Phys. Rev. B 54 (3), 1922-1927 (1996)

J. Olajos | J. Engwall | H. G. Grimmeiss | M. Gail | G. Abstreiter | H. Presting | H. Kibbel

Diffusion Effects and Luminescence in Thin SiGe/Si Layers

Solid State Phenomena Vols 47-48, 473-484 (1996)

M. Gail | W. Jung | J. Brunner | P. Schittenhelm | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Early stages of growth of self-assembled Ge-rich islands on Si

Proc. of 11th European Congress on Electron Microscopy, Dublin, Aug. 26-30, 1996. Publ.: EUREM’96, U.C.D. Belfield, Dublin 4, Ireland.

D. Meertens | W. Jäger | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes grown by molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 68 (23), 3290-3292 (1996)

J. Stimmer | A. Reittinger | J. Nuetzel | G. Abstreiter | H. Holzbrecher | C. Buchal

Electronic excitations in quantum wires and dots

Physica B 227, 6-10 (1996)
(3rd Int. Symp. on New Phenomena in Mesoscopic Structures, Maui, Hawaii, Dec. 4-8, 1995)

G. Abstreiter | R. Strenz | G. Schedelbeck | E. Silveira

Electronic properties of Si/SiGe/Ge heterostructures

Physica Scripta Vol. T68, 68-71 (1996).
(The Nobel Symposium on Heterostructures in Semiconductors, Arild, Sweden, June 4-9, 1996.)

G. Abstreiter

Fabrication of n- and p-channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing

Appl. Phys. Lett. 68 (21), 3025-3027 (1996)

M. Holzmann | P. Baumgartner | C. Engel | J. Nuetzel | G. Abstreiter | F. Schäffler

Far-infrared-study of shallow etched quantum wires on high mobility GaAs/AlGaAs heterostructures and quantum-wells

Solid-State Electronics, Vol. 40 (1-8), 333-337 (1996).

V. Roßkopf | P. Auer | E. Gornik | R. Strenz | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Growth and characterization of self-assembled Ge-rich islands on Si

Semicond. Sci. Technol. 11, 1521-1528 (1996)
(Proc. of the 9th Winterschool in Mauterndorf, Febr. 19-23, 1996)

G. Abstreiter | P. Schittenhelm | C. Engel | E. Silveira | A. Zrenner | D. Meertens | W. Jäger

Growth conditions of Erbium-Oxygen-doped Silicon grown by MBE

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 422, 15 (1996). „THEMA“. Eds.: ?. MRS, San Francisco, 1996.

J. Stimmer | A. Reittinger | G. Abstreiter | H. Holzbrecher | C. Buchal

Inelastic light scattering by phonons and electronic excitations in low-dimensional semiconductor structures

J. of Raman Spectroscopy Vol. 27, 193-200 (1996)

G. Abstreiter

Linewidth and finestructure of optical spectra from single quantum dots

Proc. of 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, July 21-26, (1996). Eds.: M. Scheffler and R. Zimmermann. World Scientific, Singapore 1996. Vol. 2. 1433-1436.

A. Zrenner | M. Hagn | A. Schaller | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Magnetotransport of electrons in arrays of wires in Si/Si0.7Ge0.3 heterostructures

Surface Science 361/362, 673-676 (1996)
(Proc. of the EP2DS XI, Nottingham, UK, Aug. 7-11, 1995)

M. Holzmann | D. Többen | P. Baumgartner | G. Abstreiter | A. Kriele | H. Lorenz | F. Schäffler

Medium-wavelength, normal-incidence, p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector with background limited performance up to 85 K

Appl. Phys. Lett. 69 (22), 3372-3374 (1996).

P. Kruck | M. Helm | T. Fromherz | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

On the voltage stability of lateral barriers in in-plane-gated structures

Appl. Phys. Lett. 69 (1), 76-78 (1996)

P. Baumgartner | C. Engel | G. Abstreiter

Optical properties of reactive-ion-etched Si/Si1-xGex heterostructures

J. of Vac. Sci. Technol. B 14 (2), 698-706 (1996)

T. Köster | J. Gondermann | B. Hadam | B. Spangenberg | M. Schütze | H. G. Roskos | H. Kurz | J. Brunner | G. Abstreiter

Photoluminescence of Erbium-Oxygen-doped Silicon grown by molecular beam epitaxy

Solid State Communications Vol. 100 (5), 321-323 (1996)

J. Stimmer | C. Wetterer | G. Abstreiter

Polarization dependence of intersubband absorption and photoconductivity in p-type SiGe quantum wells

Superlattices and Microstructures Vol. 20 (2), 237-243 (1996)
(ITQW 1995)

T. Fromherz | P. Kruck | M. Helm | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Quantized conductance in a Si/Si0.7Ge0.3 split-gate device and impurity-related magnetotransport phenomena

Solid State Electronics Vol. 40 (1-8), 405-408 (1996)
(7th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, Madrid, Spain, July 10-14, 1995.)

D. Többen | D. A. Wharam | G. Abstreiter | J. P. Kotthaus | F. Schäffler

Resonant inelastic light scattering by electronic excitations in tunable quantum wire structures

Surface Science 361/362, 783-787 (1996)
(Proc. of the EP2DS XI, Nottingham, UK, Aug. 7-11, 1995)

G. Schedelbeck | E. Silveira | R. Strenz | U. Bockelmann | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

RHEED investigations of surface diffusion on Si(001)

Applied Surface Science 102, 78-81 (1996).
(Proc. of the Int. Symp. on Si heterostructures:from physics to devices, Heraklion, Greece, Sept. 11-14, 1995)

J. Nuetzel | P. Brichzin | G. Abstreiter

Room temperature electroluminescence of Er-implanted silicon diodes grown by MBE

Applied Surface Science 102, 327-330 (1996).
(Proc. of the Int. Symp. on Si heterostructures:from physics to devices, Heraklion, Greece, Sept. 11-14, 1995)

M. Jaumann | J. Stimmer | P. Schittenhelm | J. Nuetzel | G. Abstreiter | E. Neufeld | B. Holländer | C. Buchal

Room temperature electroluminescence of Erbium-Oxygen-doped Silicon diodes grown by molecular beam epitaxy

Proc. of 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, July 21-26, (1996). Eds.: M. Scheffler and R. Zimmermann. World Scientific, Singapore 1996. Vol. 4. 3945-3048.

J. Stimmer | A. Reittinger | C. Wetterer | A. Zrenner | G. Abstreiter | H. Holzbrecher | C. Buchal

Second-order susceptibilities related to valence-band transitions in asymmetric Si/SiGe quantum wells

Solid State Electronics Vol. 40 (1-8), 763-766 (1996)
(7th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, Madrid, Spain, July 10-14, 1995.)

P. Kruck | M. Seto | M. Helm | Z. Moussa | P. Boucaud | F. H. Julien | J. M. Lourtioz | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Segregation and diffusion on semiconductor surfaces

Phys. Rev. B 53 (20), 13 551-13 558 (1996)

J. Nuetzel | G. Abstreiter

Segregation of n-dopants on SiGe surfaces

Applied Surface Science 102, 98-101 (1996)
(Proc. of the Int. Symp. on Si heterostructures:from physics to devices, Heraklion, Greece, Sept. 11-14, 1995)

J. Nuetzel | M. Holzmann | P. Schittenhelm | G. Abstreiter

Structure and luminescence of SiGe-Si quantum dots and wires from local epitaxy

Proc. of 11th European Congress on Electron Microscopy, Dublin, Aug. 26-30, 1996. Publ.: EUREM’96, U.C.D. Belfield, Dublin 4, Ireland.

D. Meertens | W. Jäger | K. Urban | J. Brunner | P. Schittenhelm | G. Abstreiter | J. Gondermann | B. Hadam | H. Kurz | T. S. Rupp | H. Gossner | I. Eisele

The influence of surface states on in-plane-gated structures

Superlattices and Microstructures, Vol. 20, No. 4, 587-594 (1996).
(Proc. of the 3rd Int. Workshop NanoMES’96, Santa Fe, May 19-24, 1996.)

P. Baumgartner | C. Engel | G. Abstreiter

Time resolved spectroscopy of single quantum dot structures

Solid State Electronics Vol. 40 (1-8), 541-544 (1996)
(7th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, Madrid, Spain, July 10-14, 1995.)

U. Bockelmann | P. Roussignol | A. Filoramo | W. Heller | G. Abstreiter

Time resolved spectroscopy of single quantum dots: Fermi gas of excitons?

Phys. Rev. Lett. 76, (19), 3622-3625 (1996)

U. Bockelmann | P. Roussignol | A. Filoramo | W. Heller | G. Abstreiter | K. Brunner | G. Böhm | G. Weimann

Transport in silicon/germanium nanostructures

Applied Surface Science 102, 230-236 (1996).
(Proc. of the Int. Symp. on Si heterostructures:from physics to devices, Heraklion, Greece, Sept. 11-14, 1995)

M. Holzmann | D. Többen | G. Abstreiter

Transverse magnetic and transverse electric polarized inter-subband absorption and photoconductivity in p-type SiGe quantum wells

Appl. Phys. Lett. 68, (25), 3611-3613 (1996)

T. Fromherz | P. Kruck | M. Helm | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Angular dispersion of confined optical phonons in GaAs/AlAs superlattices studied by micro-Raman spectroscopy

Solid State Communications 93, (10), 847-851 (1995)

M. Zunke | R. Schorer | G. Abstreiter | W. Klein | G. Weimann | M. P. Chamberlain

Antidot superlattices in two-dimensional hole gases confined in strained germanium layers

Semicond. Sci. Technol. 10, 1413-1417 (1995)

D. Többen | M. Holzmann | G. Abstreiter | A. Kriele | H. Lorenz | J. P. Kotthaus | F. Schäffler | Y. H. Xie | P. J. Silvermann | D. Monroe

Ballistic electron transport through a quantum point contact defined in a Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure

Semicond. Sci. Technol. 10, 711-714 (1995)

D. Többen | D. A. Wharam | G. Abstreiter | J. P. Kotthaus | F. Schäffler

Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy

J. Appl. Phys. 78 (2), 937-940 (1995)

J. Nuetzel | G. Abstreiter

Direct and indirect magnetoexcitons in symmetric InxGa1-xAs/GaAs coupled quantum wells

Phys. Rev. B 52 (16), 12 153-12 157 (1995)

L. V. Butov | A. Zrenner | G. Abstreiter | A. V. Petinova | K. Eberl

Effective masses in SiGe

In: Properties of strained and relaxed Silicon Germanium.
Ed. E. Kasper. INSPEC, IEE, London, 1995. 103-109. (EMIS Datareviews Series Nr. 12).

J. Nuetzel | C. M. Engelhardt | G. Abstreiter

Fabrication and characterization of locally grown SiGe wires and dots

Mat. Sci. and Technol. 11, (4), 407-409 (1995).(Proc. of the 1st Int. Conf. on Materials for Microelectronics, Barcelona, Spain, Oct. 17 - 19., 1994).

J. Gondermann | B. Spangenberg | T. Köster | B. Hadam | H. G. Roskos | H. Kurz | J. Brunner | P. Schittenhelm | G. Abstreiter | H. Gossner | I. Eisele

Fabrication and Characterization of Si/SiGe Nanometer Structures

Microelectronic Engineering 27, 83-86 (1995). (Proc. of the Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering (MNE), Davos, Switzerland, Sept. 26 - 29, 1994)

J. Gondermann | B. Spangenberg | T. Köster | B. Hadam | H. G. Roskos | H. Kurz | J. Brunner | P. Schittenhelm | G. Abstreiter | H. Gossner | I. Eisele

Fabrication of lateral npn-phototransistors with high gain and sub-µm spatial resolution

Appl. Phys. Lett. 66, (6), 751-753 (1995)

P. Baumgartner | C. Engel | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Germanium70Ge/74Ge isotope heterostructures: An approach to self-diffusion studies

Phys. Rev. B 51, (23), 16 817-16 821 (1995)

H. D. Fuchs | W. Walukiewicz | E. E. Haller | W. Dondl | R. Schorer | G. Abstreiter | A. I. Rudnev | A. V. Tikhomirov | V. I. Ozhogin

Growth and properties of high mobility two-dimensional hole gases in Ge on relaxed Si/SiGe, Ge/SiGe buffers and Ge substrates

J. of Crystal Growth 150, 1011-1014 (1995)
(Proc. of the 8th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Osaka, Japan, August 29 - September 2, 1994)

J. Nuetzel | C. M. Engelhardt | R. Wiesner | D. Többen | M. Holzmann | G. Abstreiter

In-plane-gate transistors fabricated from Si/SiGe heterostructures by focused ion beam implantation

Appl. Phys. Lett. 67 (11), 1579-1581 (1995)

D. Többen | D. K. D. Vries | A. D. Wieck | M. Holzmann | G. Abstreiter | F. Schäffler

Investigation of strain relaxation of Ge1-xSix epilayers on Ge(001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

Semicond. Sci. Technol. 10, 1621-1628 (1995).

J. H. Li | V. Holý | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Local epitaxy of Si/SiGe wires and dots

J. of Cryst. Growth 157, 270-275 (1995). (Proc. of E-MRS 1995 Spring Meeting, Strasbourg, France, May 22-26, 1995.)

J. Brunner | W. Jung | P. Schittenhelm | M. Gail | G. Abstreiter | J. Gonderman | B. Hadam | T. Koester | B. Spangenberg | H. G. Roskos | H. Kurz | H. Gossner | I. Eisele

Magnetic-Field induced Intersubband Resonances in AlGaAs/GaAs Quantum Wells

Europhysics Letters 30, 111-116 (1995)

C. Gauer | A. Wixforth | J. P. Kotthaus | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

MBE-growth of ternary SnGeSiGe superlattices

J. of Cryst. Growth 157, 400-404 (1995). (Proc. of E-MRS 1995 Spring Meeting, Strasbourg, France, May 22-26, 1995.)

W. Dondl | E. Silveira | G. Abstreiter

Molecular beam epitaxial grown Si1-xCx layers on Si(001) as a substrate for MOWCVD of diamond

J. of Cryst. Growth 157, 426-430 (1995). (Proc. of E-MRS 1995 Spring Meeting, Strasbourg, France, May 22-26, 1995.)

T. Gutheit | M. Heinau | H. J. Füsser | C. Wild | P. Koidl | G. Abstreiter

Nanometer resolved photocurrent and local minority carrier transport in GaAs p-n junctions

in: Proc. of the 22nd ICPS, Ed. David J.Lookwood, World Scientific, 249 (1995)

G. Zandler | G. Kolb | K. Karrai | G. Abstreiter | P. Vogl

One-dimensional transport of electrons in Si/Si0.7Ge0.3 heterostructures

Appl. Phys. Lett. 66, (7), 833-835 (1995)

M. Holzmann | D. Többen | G. Abstreiter | M. Wendel | H. Lorenz | J. P. Kotthaus | F. Schäffler

Optical anisotropy of Si/Ge superlattices: Resonant Raman scattering in in-plane geometry

Solid State Communications 93, (12), 1025-1029 (1995)

R. Schorer | G. Abstreiter | H. Kibbel | H. Presting | C. Tserbak | G. Theodorou

Optical near-field induced current microscopy

Ultramicroscopy 61, 299-304 (1995) (NFO-3, Brno, Czech Republic, May 9-11, 1995)

K. Karraï | G. Kolb | G. Abstreiter | A. Schmeller

Optical study of diffusion limitation in MBE growth of SiGe quantum wells

Semicond. Sci. Technol. 10, 319-325 (1995)

M. Gail | J. Brunner | J. Nuetzel | G. Abstreiter | J. Engvall | J. Olajos | H. Grimmeiss

Optically detected cyclotron resonance on GaAs/AlxGaAs1-x quantum wells and quantum wires

Phys. Rev. B 52 (15), 11 313-11 318 (1995)

D. M. Hofmann | M. Drechsler | C. Wetzel | B. K. Meyer | F. Hirler | R. Strenz | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Photodetector with subwavelength spatial resolution

Ultramicroscopy 57, 208-211 (1995).(Proc. of the 2nd Int. Conf. on Near Field Optics, Raleigh, USA, October 20-22, 1993.)

G. Kolb | C. Obermüller | K. Karraï | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Photoluminescence study of the crossover from two-dimensional to three-dimensional growth for Ge on Si(100)

Appl. Phys. Lett. 67 (9), 1292-1294 (1995)

P. Schittenhelm | M. Gail | J. Brunner | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Resonant inelastic light scattering by plasmons at the crossover from two- to one-dimensional behavior

Solid State Communications 93, (7), 569-574 (1995)

G. Schedelbeck | R. Strenz | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Room-temperature luminescence from Si/Ge single quantum well diodes grown by molecular beam epitaxy

Journal of Crystal Growth 157, 15-20 (1995)

H. Presting | T. Zinke | O. Brux | G. Abstreiter | H. Kibbel | M. Jaros

Room-temperature photoluminescence of GemSinGem structures

Appl. Phys. Lett. 66 (22), 2978-2980 (1995)

M. Gail | G. Abstreiter | J. Olajos | J. Engvall | H. Grimmeiss | H. Kibbel | H. Presting

Self-assembling InP/In0.48Ga0.52P quantum dots grown by MBE

Low Dimensional Structures prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates, Rottach-Egern, Germany, Feb. 20 - 24 (1995). Eds.: K. Eberl, P. M. Petroff, P. Demeester. Kluwer Academic Publishers, Dordrecht 1995. 59-67. (NATO ASI Ser.:E; Vol. 298).

A. Kurtenbach | K. Eberl | K. Brunner | G. Abstreiter

Self-organized MBE growth of Ge-rich SiGe-dots on Si(100)

J. of Cryst. Growth 157, 260-264 (1995). (Proc. of E-MRS 1995 Spring Meeting, Strasbourg, France, May 22-26, 1995.)

P. Schittenhelm | M. Gail | G. Abstreiter

Si/Si1-xGex multiquantum wells: a route to infrared detectors

Vibrational Spectroscopy 8, 109-119 (1995)

T. Fromherz | J. Nuetzel | H. Hertle | M. Helm | G. Bauer | G. Abstreiter

SiGe Quantum Wells on (110) Si Grown by Molecular Beam Epitaxy

J. of Crystal Growth 150, 1050-1054 (1995)
(Proc. of the 8th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Osaka, Japan, August 29 - September 2, 1994)

J. Brunner | M. Gail | G. Abstreiter | P. Vogl

SiGe quantum wells on (110) Si grown molecular beam epitaxy

J. Crystal Growth 150, 1050 (1995)

J. Brunner | M. Gail | G. Abstreiter | P. Vogl

SiGe Wires and Dots Grown by Local Epitaxy

J. of Crystal Growth 150, 1060-1064 (1995)
(Proc. of the 8th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, Osaka, Japan, August 29 - September 2, 1994)

J. Brunner | P. Schittenhelm | J. Gondermann | B. Spangenberg | B. Hadam | T. Köster | H. G. Roskos | H. Kurz | H. Gossner | I. Eisele | G. Abstreiter

Strain relaxation of Ge1-xSix buffer systems grown on Ge (001)

Appl. Phys. Lett. 67 (6), 789-791 (1995)

J. H. Li | V. Holy | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Strained Si1-xGex multi-quantum well waveguide structures on (110) Si

Appl. Phys. Lett. 66 (17), 2226-2228 (1995)

K. Bernhard-Höfer | A. Zrenner | J. Brunner | G. Abstreiter | F. Wittmann | I. Eisele

Time resolved photoluminescence of spatially direct and indirect transitions in GaAs/

F. Hirler, A. Zrenner, R. Strenz, G. Abstreiter, G. Böhm, and G. Weimann
Phys. Rev. B 51 (8), 5554-5557 (1995)

G. Abstreiter

Time-resolved photoluminescence of pseudomorphic SiGe quantum wells

Phys. Rev. B 52, 16 608-16 611 (1995)

A. Zrenner | B. Fröhlich | J. Brunner | G. Abstreiter

Transmitted radiation through a subwavelength-sized tapered optical fiber tip

Ultramicroscopy 61, 171-177 (1995) (NFO-3, Brno, Czech Republic, May 9-11, 1995)

C. Obermüller | K. Karraï | G. Kolb | G. Abstreiter

Transport properties of a Si/SiGe quantum point-contact in the presence of impurities

Phys. Rev. B 52, (7), 4704-4707 (1995)

D. Többen | D. A. Wharam | G. Abstreiter | J. P. Kotthaus | F. Schäffler

Angular dispersion of optical phonons in GaAs/AlAs superlattices studied by micro-Raman spectroscopy

Proc. of 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, August 15-19, (1994). Ed.: D. J. Lockwood. World Scientific, Singapore 1995. Vol. 2. 947-954.

R. Schorer | M. Zunke | G. Abstreiter | W. Klein | G. Weimann | M. P. Chamberlain

Condensation of Indirect Excitons in Coupled AlAs/GaAs Quantum Wells

Phys. Rev. Lett. 73 (2), 304-307 (1994)

L. V. Butov | A. Zrenner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Confined plasmons in shallow etched quantum wires

Semicond. Sci. Technol. 9, 399-403 (1994)

R. Strenz | V. Roßkopf | F. Hirler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Effects of microwave modulation and cyclotron resonance on the luminescence of GaAs/AlGaAs quantum wells and wires

Proc. of 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, August 15-19, (1994). Ed.: D. J. Lockwood. World Scientific, Singapore 1995. Vol. 2. 1659-1662.

D. M. Hofmann | M. Drechsler | C. Wetzel | P. Emanuelsson | B. K. Meyer | F. Hirler | G. Abstreiter | G. Tränkle | G. Weimann

Electron transport through antidot superlattices in Si/Si0.7Ge0.3 heterostructures

Phys. Rev. B 50, (12), 8853-8856 (1994)

D. Többen | M. Holzmann | S. Kühn | H. Lorenz | G. Abstreiter | J. P. Kotthaus | F. Schäffler

Evidence for the exciton condensation in coupled quantum wells at high magnetic fields

Proc. of the 11th Int. Conf. on High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors (SEMI MAG 94), Boston, USA, August 8-12, 1994. Ed.: D. Heiman. World Scientific, Singapore 1995. 328-331.

L. V. Butov | A. Zrenner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Excitonic luminescence from locally grown SiGe wires and dots

Appl. Phys. Lett. 64, (8), 994-996 (1994)

J. Brunner | T. S. Rupp | H. Gossner | R. Ritter | I. Eisele | G. Abstreiter

Fabrication of in-plane-gate transistor structures by focused-laser-beam-induced Zn-doping of modulation-doped GaAs/AlGaAs quantum wells

Appl. Phys. Lett. 64, (5), 592-594 (1994)

P. Baumgartner | K. Brunner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Field-effect induced electron channels in a Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure

J. Appl. Phys. 76 (6), 3917-3919 (1994)

M. Holzmann | D. Többen | G. Abstreiter | F. Schäffler

High Mobility 2D Hole Gases in Strained Ge Channels in Si Substrates Studied by Magnetotransport and Cyclotron Resonance

Solid State Electronics, Vol. 37, (Nrs. 4-6), 949-952 (1994).
(Proc. of the 6th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, MSS6, Garmisch-Partenkirchen, August 23 - 27, 1993)

C. M. Engelhardt | D. Többen | M. Aschauer | F. Schäffler | G. Abstreiter | E. Gornik

Hole energy levels and intersubband absorption in modulation-doped Si/Si1-xGex multiple quantum wells

Phys. Rev. B 50, (20), 15 073-15 085 (1994)

T. Fromherz | E. Koppensteiner | M. Helm | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

In-plane Raman scattering of (001)-Si/Ge superlattices: Theory and experiment

Phys. Rev. B 49, (8), 5406-5414 (1994)

R. Schorer | G. Abstreiter | S. D. Gironcoli | E. Molinari | H. Kibbel | H. Presting

Information on the confinement potential in GaAs/AlGaAs wires from magneto- luminescence experiments

Surface Science 305, 591-596 (1994).
(Proc. of the 10th Int. Conf. on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, EP2DS10, Newport, RI, USA, May 31 - June 4, 1993).

F. Hirler | R. Strenz | R. Küchler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Intersubband absorption in modulation doped p-type Si1-xGex quantum wells: theory and experiment

Superlattices and Microstructures, Vol. 15, (No. 3), 229-232 (1994)
(Proc. of the 7th Int. Conf. on Superlattices, Microstructures and Microdevices (ICSMM-7), Banff, Canada, Aug. 22 - 26, 1994.)

T. Fromherz | E. Koppensteiner | M. Helm | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Lateral npn-phototransistors with high gain and high spatial resolution fabricated by focused laser beam induced Zn doping of GaAs/AlGaAs quantum wells

Proc. of the 21st Int. Conf. on Compound Semiconductors, San Diego, USA, September 18 - 22, 1994. Ed.: Herb Goronkin and Umesh Mishra. IOP Publishing Ltd., 1995. 591-596. (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 141: Chapter 5).

P. Baumgartner | C. Engel | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Magneto-optics of two-dimensional hole systems in the extreme quantum limit

Phys. Rev. B 49 (19), 14054-14057 (1994)

L. V. Butov | A. Zrenner | M. Shayegan | G. Abstreiter | H. C. Manoharan

Magnetotransport of Electrons in Arrays of Antidots Imposed upon Si/Si0.7Ge0.3 Heterostructures

Proc. of the 11th Int. Conf. on High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors (SEMI MAG 94), Boston, USA, August 8-12, 1994. Ed.: D. Heiman. World Scientific, Singapore 1995. 480-483.

D. Többen | M. Holzmann | S. Kühn | H. Lorenz | G. Abstreiter | J. P. Kotthaus | F. Schäffler

Nanometer-resolved photocurrent and local minority carrier transport in GaAs P-N junctions

Proc. of 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, August 15-19, (1994). Ed.: D. J. Lockwood. World Scientific, Singapore 1995. Vol. 1. 249-252.

G. Zandler | G. Kolb | K. Karraï | G. Abstreiter | P. Vogl

Optical photodetector for near-field optics

Appl. Phys. Lett. 65, (24), 3090-3092 (1994)

G. Kolb | K. Karraï | G. Abstreiter

Phonons in semiconductor superlattices studied by in-plane Raman scattering

Philosophical Magazine B, 70, (3), 671-686 (1994). (A collection of papers to 60th birthday of Manuel Cardona.)

R. Schorer | G. Abstreiter

Photo- and electroluminescence in short-period Si/Ge superlattice structures

Semicond. Sci. Technol. 9, 2011-2016 (1994)
(Proc. of the 8th Winterschool in Mauterndorf, Febr. 14. - 18, 1994)

J. Olajos | J. Engvall | H. G. Grimmeiss | U. Menczigar | M. Gail | G. Abstreiter | H. Kibbel | E. Kasper | H. Presting

Photoluminescence and two-photon absorption of the biexciton state in a GaAs/AlGaAs single quantum dot

Proc. of 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, August 15-19, (1994). Ed.: D. J. Lockwood. World Scientific, Singapore 1995. Vol. 3. 1823-1826.

K. Brunner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Quantum Dots Formed by Interface Fluctuations in AlAs/GaAs Coupled Quantum Well Structures

Phys. Rev. Lett. 72 (21), 3382-3385 (1994)

A. Zrenner | L. V. Butov | M. Hagn | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Raman Scattering by Optical Phonons in Isotopic 70(Ge)n74(Ge)n Superlattices

Phys. Rev. Lett. 72, (10), 1565-1568 (1994)

J. Spitzer | T. Ruf | M. Cardona | W. Dondl | R. Schorer | G. Abstreiter | E. E. Haller

Relaxation and Radiative Decay of Excitons in GaAs Quantum Dots

Solid State Electronics, Vol. 37, (Nrs. 4-6), 1109-1112 (1994).
(Proc. of the 6th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, MSS6, Garmisch-Partenkirchen, August 23 - 27, 1993)

U. Bockelmann | K. Brunner | G. Abstreiter

Resonant inelastic light scattering by inter- and intrasubband excitations in shallow etched quantum dots and wires

Proc. of 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, August 15-19, (1994). Ed.: D. J. Lockwood. World Scientific, Singapore 1995. Vol. 3. 1831-1834.

R. Strenz | F. Hirler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Resonant-Raman-scattering study on short-period Si/Ge superlattices

Phys. Rev. B50, (24), 18 211-18 218 (1994)

R. Schorer | G. Abstreiter | H. Kibbel | H. Presting

Second-harmonic generation in asymmetric Si/SiGe quantum wells

Appl. Phys. Lett. 65, (23), 2969-2971 (1994)

M. Seto | M. Helm | Z. Moussa | P. Boucaud | F. H. Julien | J. M. Lourtioz | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Sharp-Line Photoluminescence and Two-Photon Absorption of Zero-Dimensional Biexcitons in a GaAs/AlGaAs Structure

Phys. Rev. Lett. 73, (8), 1138-1141 (1994)

K. Brunner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Sharp-line photoluminescence of excitons localized at GaAs/AlGaAs quantum well inhomogeneities

Appl. Phys. Lett. 64, (24), 3320-3322 (1994)

K. Brunner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Si/Ge Heterostructures for Device Applications

Proc. of the Int. Conf. on Advanced Microelectronic Devices and Processing (AMDP), March 3-5, 1994, Sendai, Japan. Komiyama Printing Co., Japan 1994. 663-667.

G. Abstreiter

Silicon/Germanium Quantum Structures

Special Issue of Solid State Communications on „Highlights in Condensed-Matter Physics and Materials Science“, 92, (1), 5-10 (1994).

G. Abstreiter

Single-Particle Excitations in Quasi-Zero- and Quasi-One-Dimensional Electron Systems

Phys. Rev. Lett. 73, (22), 3022-3025 (1994)

R. Strenz | U. Bockelmann | F. Hirler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Systematic Study of Intersubband Absorption in Modulation-Doped p-Type Si/Si1-xGex Quantum Wells

Solid State Electronics, Vol. 37, (Nrs. 4-6), 941-944 (1994).
(Proc. of the 6th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, MSS6, Garmisch-Partenkirchen, August 23 - 27, 1993)

T. Fromherz | E. Koppensteiner | M. Helm | G. Bauer | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Vibrational Properties of Isotopic 70Gen74Gen Superlattices

Proc. of 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, August 15-19, (1994). Ed.: D. J. Lockwood. World Scientific, Singapore 1995. Vol. 2. 971-974.

J. Spitzer | T. Ruf | M. Cardona | C. Grein | W. Dondl | R. Schorer | G. Abstreiter | E. E. Haller

Vibrational Properties of Si/Ge Superlattices: Theory and in-plane Raman Scattering Experiments

Solid State Electronics, Vol. 37, (Nrs. 4-6), 757-760 (1994).
(Proc. of the 6th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, MSS6, Garmisch-Partenkirchen, August 23 - 27, 1993)

R. Schorer | G. Abstreiter | S. D. Gironcoli | E. Molinari | H. Kibbel | E. Kasper

Condensation of Indirect Excitons in Coupled AlAs/GaAs Quantum Wells

J. de Physique IV, Vol. 3 ,167-170 (1993).
(Proc. of the 3rd Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined Systems, OECS, Montpellier, Aug. 30 - Sept. 2, 1993)

L. V. Butov | A. Zrenner | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Enhanced Band-gap Luminescence in strain-symmetrized (Si)m/(Ge)n Superlattices

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 298, 33-44 (1993). "Silicon-Based Optoelectronic Materials". Eds.: M. A. Tischler, R. T. Collins, M. L. W. Thewalt and G. Abstreiter. MRS, Pittsburg, 1993.

U. Menczigar | G. Abstreiter | H. Kibbel | H. Presting | E. Kasper

Enhanced band-gap luminescence in strain-symmetrized (Si)m/(Ge)n superlattices

Phys. Rev. B47, (7), 4099-4102 (1993)

U. Menczigar | G. Abstreiter | J. Olajos | H. Grimmeiss | H. Kibbel | H. Presting | E. Kasper

High mobility two-dimensional electron gases in Si/Si1-xGex heterostructures grown by MBE

J. of Crystal Growth 127, 421-424 (1993)

D. Többen | F. Schäffler | M. Besson | C. M. Engelhardt | A. Zrenner | G. Abstreiter | E. Gornik

High Resolution X-Ray Diffraction Investigations of Si/SiGe Quantum Well Structures and Si/Ge Short-Period Superlattices

Acta Physica Polonica A 84, (3), 475-489 (1993).
(Proc. of the XXII Int. School of Semiconducting Compounds, 1993, Jaszowiec.)

G. Bauer | E. Koppensteiner | P. Hamberger | J. Nuetzel | G. Abstreiter | H. Kibbel | H. Presting | E. Kasper

How to convert group-IV semiconductors into light emitters

Physica Scripta T49, 476 (1993)

P. Vogl | M. Rieger | J. A. Majewski | G. Abstreiter

How to Convert Group-IV Semiconductors into Light Emitters

Physica Scripta T49, 476-482 (1993)
(Proc. of 13th EPS, Regensburg, March 19 - April 2, 1993)

P. Vogl | M. M. Rieger | J. A. Majewski | G. Abstreiter

Influence of growth conditions on the photoluminescence of pseudomorphic MBE grown

J. Brunner, U. Menczigar, M. Gail, E. Friess, and G. Abstreiter
J. of Crystal Growth 127, 443-446 (1993)

G. Abstreiter

Interface mode in Si/Ge superlattices: Theory and experiments

Phys. Rev. B 48, (12), 8959-8962 (1993)

S. D. Gironcoli | E. Molinari | R. Schorer | G. Abstreiter

Intersubband Absorption in Modulation Doped p-type Si/Si1-xGex Quantum Wells:

T. Fromherz, E. Koppensteiner, M. Helm, G. Bauer, J. F. Nützel, and G. Abstreiter
Proc. of the 5th Int Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM’93),
Aug. 29 - Sept. 1, 1993, Chiba, Japan. 410-412.

G. Abstreiter

Investigation of the relaxation of excess carriers in SiGe-heterostructures by photothermal measurement

Applied Surface Science 63, 260-265 (1993)

H. D. Geiler | S. Krügel | J. Nuetzel | E. Friess | G. Abstreiter

Luminescence Studies of Confined Excitons in Pseudomorphic Si/SiGe Quantum Wells Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

J. Vac. Sci. Technol. B 11, (3), 1097-1100 (1993)

J. Brunner | J. Nuetzel | M. Gail | U. Menczigar | G. Abstreiter

Luminescence studies of MBE grown Si/SiGe quantum wells

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 298, 21-26 (1993). "Silicon-Based Optoelectronic Materials". Eds.: M. A. Tischler, R. T. Collins, M. L. W. Thewalt and G. Abstreiter. MRS, Pittsburg, 1993.

M. Gail | J. Brunner | U. Menczigar | A. Zrenner | G. Abstreiter

Micro-Raman scattering in ultrathin layer superlattices: evidence of zone centre anisotropy of optical phonons

Phys. Rev. B47, (3), 1483-1488 (1993)

G. Scamarcio | M. Haines | G. Abstreiter | E. Molinari | S. Baroni | A. Fischer | K. Ploog

Photoluminescence from GaAs/AlGaAs quantum wires and quantum dots

J. de Physique IV, Vol. 3, 107-114 (1993).
(Proc. of the 3rd Int. Conf. on Optics of Excitons-Confined Systems, OECS, Montpellier, Aug. 30 - Sept. 2, 1993)

K. Brunner | U. Bockelmann | G. Abstreiter | M. Walther | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Photoluminescence lineshape of narrow n-type modulation-doped quantum wells

Semicond. Sci. Technol. 8, 88-91 (1993)

R. Küchler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Physics and Perspectives of Si/Ge Heterostructures and Superlattices

Physica Scripta T49, 42-45 (1993)
(Proc. of 13th EPS, Regensburg, March 19 - April 2, 1993)

G. Abstreiter

Properties of Sn/Ge superlattices

Semicond. Sci. Technol. 8, S6-S8 (1993)

G. Abstreiter | J. Olajos | R. Schorer | P. Vogl | W. Wegscheider

Raman scattering of *-Sn/Ge superlattices on Ge (001)

J. Vac. Sci. Technol. B 11 (3), 1069-1072 (1993)

R. Schorer | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Sn and Sb segregation and their possible use as surfactant for short-period Si/Ge superlattices

J. of Crystal Growth 127, 440-442 (1993)

W. Dondl | G. Lütjering | W. Wegscheider | J. Wilhelm | R. Schorer | G. Abstreiter

Spatially direct and indirect optical transitions in shallow etched GaAs/AlGaAs wires, dots and antidots

G. Weimann
Semicond. Sci. Technol. 8, 617-621 (1993)

F. Hirler | R. Strenz | R. Küchler | G. Abstreiter | G. Böhm | J. Smoliner | G. Tränkle

Band gap luminescence in pseudomorphic Si1-xGex quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Thin Solid Films 222, 27-29 (1992)

J. Brunner | U. Menczigar | M. Gail | E. Friess | G. Abstreiter

Band-gap of strain-symmetrized, short-period Si/Ge superlattices

Phys. Rev. B 46, (19), 12 857 - 12 860 (1992)

J. Olajos | J. Engvall | H. G. Grimmeiss | U. Menczigar | G. Abstreiter | H. Kibbel | E. Kasper | H. Presting

Boron-Doped Silicon/Germanium Superlattices and Heterostructures

Thin Solid Films 222, 150-153 (1992)

J. Nuetzel | F. Meier | E. Friess | G. Abstreiter

Douple wavelength selective GaAs/AlGaAs infrared detector device

Appl. Phys. Lett. 60, (16), 2011-2013 (1992)

A. Köck | E. Gornik | G. Abstreiter | G. Böhm | M. Walther | G. Weimann

Electron intersubband absorption in modulation and well-doped Si/Si1-xGex multiple quantum wells

Thin Solid Films, 222, 20-23 (1992)

H. Hertle | F. Schäffler | A. Zrenner | E. Gornik | G. Abstreiter

Electronic structure and optical properties of short-period ?-SnnGen superlattices

Surface Science 267, 83-86 (1992)

P. Vogl | J. Olajos | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Engineering the future of electronics

Physics World, Vol.5, (3), 36-39 (March 1992)

G. Abstreiter

Fabrication and properties of epitaxially stabilized Ge/*-Sn heterostructures on Ge(001).

J. of Crystal Growth 123, 75-94 (1992)

W. Wegscheider | J. Olajos | U. Menczigar | W. Dondl | G. Abstreiter

High-electron-mobility Si/SiGe heterostructures: influence of the relaxed SiGe buffer layer

Semicond. Sci. Technol. 7, 260-266 (1992)

F. Schäffler | D. Többen | H. J. Herzog | G. Abstreiter | B. Holländer

In-plane Raman scattering of [001]-grown Si/Ge superlattices

Thin Solid Films, 222, 269-273 (1992)

R. Schorer | W. Wegscheider | K. Eberl | E. Kasper | H. Kibbel | G. Abstreiter

Inelastic light scattering of electronic excitations in quantum wells

Intersubband Transitions in Quantum Wells. Eds.: E. Rosench, B. Vinter and B. Levine. Plenum Press, N.Y., 1992. 261-262. (NATO ASI Ser.: B; 288).

G. Abstreiter

Interband absorption in ?-Sn/Ge short-period superlattices

Appl. Phys. Lett. 61 (26), 3130-3132 (1992)

J. Olajos | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Interface-phonon dispersion and confined-optical-mode selection rules of GaAs/AlAs superlattices studied by micro-Raman spectroscopy

Phys. Rev. B46, Nr. 7, 4071-4076 (1992)

R. Heßmer | A. Huber | T. Egeler | M. Haines | G. Tränkle | G. Weimann | G. Abstreiter

Intersubband absorption in the conduction band of Si/Si1-xGex multiple quantum wells

Intersubband Transitions in Quantum Wells. Eds.: E. Rosencher, B. Vinter and B. Levine. Plenum Press, N.Y. 1992. 253-260. (NATO ASI Ser.: B; 288)

H. Hertle | F. Schäffler | A. Zrenner | E. Gornik | G. Abstreiter

Luminescence Properties of GaAs Quantum Wells, Wires, Dots and Antidots

Optical Phenomena in Semiconductor Structures of Reduced Dimensions, Yountville, CA, USA, July 27-31, 1992. Eds.: D. J. Lockwood and A. Pinczuk Kluwer Academic Publishers, Dordrecht 1993. 327-335. (NATO ASI Ser.: E; 248).

G. Abstreiter | G. Böhm | K. Brunner | F. Hirler | R. Strenz | G. Weimann

Magneto-Luminescence and Magneto-Luminescence Excitation Spectroscopy in Strained Layer Heterostructures

Solid-State Science 101: High Magnetic Fields in Semiconductor Physics III.
Ed.: G. Landwehr. Springer-Verlag, Berlin 1992. 514-518.

R. Küchler | P. Hiergeist | G. Abstreiter | J. P. Reithmaier | H. Riechert | R. Lösch

Magnetotransport measurements and low-temperature scattering times of electron gases in high-quality Si/Si1-xGex heterostructures

Phys. Rev. B46, (7), 4344-4347 (1992)

D. Többen | F. Schäffler | A. Zrenner | G. Abstreiter

Magnetotransport studies of remote doped Si/Si1-xGex heterostructures grown on relaxed SiGe buffer layers

Thin Solid Films, 222, 15-19 (1992)

D. Többen | F. Schäffler | A. Zrenner | G. Abstreiter

Observation of Interface Plasmon Modes in (GaAl)As Heterostructures by Raman Spectroscopy

Proc. of 21th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Beijing, China, August 10-14, (1992). Eds.:Ping Jiang and Hou-Zhi Zheng.World Scientific,Singapore 1992.Vol. 1.769-772.

M. Haines | T. Egeler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Weimann

Optical characterization of GaAs/AlGaAs nanostructures fabricated by focussed laser beam induced thermal interdiffusion

Surface Science 267, 218-222 (1992)

K. Brunner | G. Abstreiter | M. Walther | G. Böhm | G. Tränkle

Optical transitions in strained Ge/Si superlattices

Thin Solid Films 222, 246-250 (1992)

U. Schmid | J. Humlícek | F. Lukes | M. Cardona | H. Presting | H. Kibbel | E. Kasper | K. Eberl | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Phosphorous doping in low temperature silicon molecular beam epitaxy

Appl. Phys. Lett. 60, (18), 2237-2239 (1992)

E. Friess | J. Nuetzel | G. Abstreiter

Photoluminescence from a Single GaAs/AlGaAs Quantum Dot

Phys. Rev. Lett. 69, (22), 3216-3219 (1992)

K. Brunner | U. Bockelmann | G. Abstreiter | M. Walther | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Photoluminescence studies of Si/Si1-xGex quantum wells and SimGen superlattices

Thin Solid Films, 222, 227-233 (1992)

U. Menczigar | J. Brunner | E. Friess | M. Gail | G. Abstreiter | H. Kibbel | H. Presting | E. Kasper

Ramanscattering in Semiconductor Microstructures

Proc. of the 13th Int. Conf. on Raman Spectroscopy, Würzburg, 31 August-4 September, 1992. Eds.: W. Kiefer, M. Cardona, G. Schaack, F. W. Schneider, H. W. Schrötter. John Wiley & Sons, Chichester 1992. 9-12.

G. Abstreiter

Sharp Doping profiles and two-dimensional electron systems in Ge based heterostructures

Surface Science 267, 90-93 (1992)

J. Wilhelm | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Si/Ge Heterostructures and Superlattices: Bandstructure, Optical and Electronic Properties

Proc. of the 7th Int. Winter School Mauterndorf, Austria, February 24-28, 1992.
Solid-State Sciences 111: Low-Dimensional Electronic Systems. Eds.: G. Bauer, F. Kuchar and H. Heinrich. Springer-Verlag, Berlin 1992. 323-332.

G. Abstreiter

Silicon based heterostructures, quantum wells and superlattices

Proc. of 21th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Beijing, China, August 10-14, (1992). Eds.: Ping Jiang and Hou-Zhi Zheng. World Scientific, Singapore 1992. Vol. 1. 827-834.

G. Abstreiter | J. Brunner | F. Meier | U. Menczigar | J. Nuetzel | R. Schorer | D. Többen

Spatially direct and indirect optical transitions in GaAs/AlGaAs nanostructures of different dimensionalities

Proc. of 21th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Beijing, China, August 10-14, (1992). Eds.: Ping Jiang and Hou-Zhi Zheng. World Scientific, Singapore 1992. Vol. 2. 1104-1107.

R. Strenz | F. Hirler | R. Küchler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Spatially direct and indirect optical transitions in shallow etched GaAs/AlGaAs quantum wires

G. Weimann
Surface Science 263, 536-540 (1992)

F. Hirler | R. Küchler | R. Strenz | G. Abstreiter | G. Böhm | J. Smoliner | G. Tränkle

Temperature Distribution in Si-MOSFET's Studied by Micro Raman Spectroscopy

IEEE Transactions on Electron Devices 39, (4), 858-863 (April 1992)

R. Ostermeir | K. Brunner | G. Abstreiter | W. Weber

Zone Centre Anisotropy of Optical Phonons in Ultra-Thin Layer Superlattices Observed by Micro-Raman Spectroscopy

Proc. of 21th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Beijing, China, August 10-14, (1992). Eds.: Ping Jiang and Hou-Zhi Zheng. World Scientific, Singapore 1992. Vol. 1. 863-866.

G. Scamarcio | M. Haines | G. Abstreiter | E. Molinari | S. Baroni | K. Ploog

Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 220, 135-140 (1991). "Silicon Molecular Beam Epitaxy". Eds.: J.C. Bean, S.S. Iyer and K.L. Wang. MRS, Pittsburg, 1991.

W. Wegscheider | K. Eberl | G. Abstreiter | H. Cerva | H. Oppolzer

Group IV Element (Si, Ge and ?-Sn) Superlattices - Low Temperature MBE

J. of Crystal Growth 111, 882-888 (1991)

K. Eberl | W. Wegscheider | G. Abstreiter

High Electron Mobility in Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Well Structures

Appl. Phys. Lett. 59, (25), 3318-3320 (1991)

G. Schuberth | F. Schäffler | M. Besson | G. Abstreiter | E. Gornik

High Resolution Imaging of Twin Intersections in Si/Ge Superlattices on Ge (001) Substrates

Proc. of the 7th Int. Conf. on Microscopy of Semiconducting Materials, Oxford, March 25-28, 1991. IOP Publishing Ltd, 1991. 21-26. (Inst. Phys. Conf. Ser. 117; Section 1).)

W. Wegscheider | K. Eberl | G. Abstreiter | H. Cerva | H. Oppolzer

Inelastic Light Scattering in Semiconductor Quantum Structures

Highlights in Condensed Matter Physics and Future Prospects.
Ed.: L. Esaki. Plenum Press, N.Y., 1991. 191-207. (NATO ASI Ser.: B; 285).

G. Abstreiter

Infrared Optical Properties and Band Structure of *-Sn/Ge Superlattices on Ge Substrates

Phys. Rev. Lett. 67, (22), 3164-3167 (1991)

J. Olajos | P. Vogl | W. Wegscheider | G. Abstreiter

Integrated wavelength-selective GaAs/AlGaAs multi-quantum-well detectors

Semicond. Sci. Technol. 6, C128-129 (1991)

A. Köck | E. Gornik | G. Abstreiter | G. Böhm | M. Walther | G. Weimann

Interface Phonons in GaAs/AlAs Superlattices Studied by Micro-Raman Spectroscopy

Superlattices and Microstructures, 9, (3), 309-311 (1991)

A. Huber | T. Egeler | W. Ettmüller | H. Rothfritz | G. Tränkle | G. Abstreiter

Intersubband Absorption and Real Space Electron Transfer in GaAs Quantum Wells

Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications. Eds.: L.L. Chang, E. E. Mendez and C. Tejedor.Plenum Press, N.Y., 1991. 505-513. (NATO ASI Ser.: B; 277).

G. Abstreiter | M. Besson | R. Heinrich | A. Köck | W. Schlapp | G. Weimann | R. Zachai

Intersubband Absorption in the Conduction Band of Si/Si1-xGex Multiple Quantum Wells

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 220, 379-381 (1991), "Silicon Molecular Beam Epitaxy",
Eds.: J.C. Bean, S.S. Iyer, and K.L. Wang. MRS, Pittsburg, 1991.

H. Hertle | G. Schuberth | E. Gornik | G. Abstreiter | F. Schäffler

Intersubband Absorption in the Conduction Band of Si/Si1-xGex Multiple Quantum Wells

Appl. Phys. Lett. 59, (23), 2977-2979 (1991)

H. Hertle | G. Schuberth | E. Gornik | G. Abstreiter | F. Schäffler

Micro-Raman Spectroscopy for Characterization of Semiconductor Devices

Appl. Surf. Science 50, p. 73-78 (1991)

G. Abstreiter

Micro-Raman spectroscopy for large in-plane wave vector excitations in quantum-well structures

Light scattering in semiconductor structures and superlattices. Eds.: D. J. Lockwood and J. F. Young. Plenum Press, N.Y., 1991. 561-569. (NATO ASI Ser.:B; 273).

G. Abstreiter | S. Beeck | T. Egeler | A. Huber

Microscopic symmetry properties of (001) Si/Ge monolayer superlattices

Phys. Rev. B43, (6), 5188-5191 (1991)

K. Eberl | W. Wegscheider | R. Schorer | G. Abstreiter

Optical Properties of Type I and Type II GaAs/AlGaAs Nanostructures

Physics of Nanostructures, 301-308, Proc. of SUSSP38, St. Andrews, July-August 1991,
Eds. J.H. Davies and A.R. Long

K. Brunner | F. Hirler | G. Abstreiter | G. Böhm | G. Tränkle | G. Weimann

Photoreflectance and Resonant Raman Scattering in Short Period Si/Ge Superlattices on Ge (001) and Si (001)

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 220, 361-366 (1991)"Silicon Molecular Beam Epitaxy",
Eds.: J.C. Bean, S.S. Iyer, and K.L. Wang. MRS, Pittsburg, 1991.

U. Menczigar | K. Eberl | G. Abstreiter

Raman-microanalysis of strain and crystal orientation in laser-crystallized silicon

Fresenius J Anal Chem, 341, 166-170 (1991)

G. Kolb | T. Salbert | G. Abstreiter

Raman-Microprobe Study of Stress and Crystal Orientation in Laser-Crystallized Silicon

J. Appl. Phys. 69, (5), 3387-3389 (1991)

G. Kolb | T. Salbert | G. Abstreiter

Reduction of mirror temperature in GaAs/AlGaAs quantum well laser diodes with segmented contacts

Appl. Phys. Lett. 58, 1007-1009 (1991)

F. U. Herrmann | S. Beeck | G. Abstreiter | C. Hanke | C. Hoyler | L. Korte

Resonant Tunneling of Holes in Si/Si1-xGex Quantum Well Structures

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 220, 409-411 (1991), "Silicon Molecular Beam Epitaxy",
Eds.: J.C. Bean, S.S. Iyer, and K.L. Wang. MRS, Pittsburg, 1991.

G. Schuberth | G. Abstreiter | E. Gornik | F. Schäffler | J. F. Luy

Resonant Tunneling of Holes in Si/SixGe1-x Quantum-Well Structures

Phys. Rev. B43, (3), 2280-2284 (1991)

G. Schuberth | G. Abstreiter | E. Gornik | F. Schäffler | J. F. Luy

Stability and interdiffusion of short-period Si/Ge strained layer superlattices

J. Vac. Sci. Technol. B9, (4), 2045-2047 (1991)

E. Friess | R. Schorer | K. Eberl | G. Abstreiter

Strained layer heterostructures and superlattices based on group IV elements

Condensed Systems of Low-Dimensionality. Eds. J.L. Beeby, P. K. Bhattacharya, P. Ch. Gravelle, F. Koch and D. J. Lockwood. Plenum Press, N.Y., 1991. 471-480. (NATO ASI Ser.: B; 253).

G. Abstreiter | K. Eberl | E. Friess | U. Menczigar | W. Wegscheider

Structural Stability of Short-Period Si/Ge Superlattices Studied with Raman Spectroscopy

Phys. Rev. B44, (4), 1772-1781 (1991)

R. Schorer | E. Friess | K. Eberl | G. Abstreiter

Symmetry Properties of Short Period (001) Si/Ge Superlattices

Superlattices and Microstructures, 9, (1), 31-33 (1991)

K. Eberl | W. Wegscheider | G. Abstreiter | H. Cerva | H. Oppolzer

Anisotropic Plasmon Dispersion in a Lateral Quantum-Wire Superlattice

W. Schlapp
Phys. Rev. Lett. 65, (14), 1804-1807 (1990)

T. Egeler | G. Abstreiter | G. Weimann | T. Demel | D. Heitmann | P. Grambow

Band Offset in Elastically Strained InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells determined by Optical Absorption and Electronic Raman Scattering

Appl. Phys. Lett. 56, (6), 536-538 (1990)

J. P. Reithmaier | R. Höger | H. Riechert | A. Heberle | G. Abstreiter | G. Weimann

Confinement of Light Hole Valence-Band States in Pseudomorphic InGaAs/Ga(Al)As Quantum Wells

Appl. Phys. Lett. 57, (10), 957-959 (1990)

J. P. Reithmaier | R. Höger | H. Riechert | P. Hiergeist | G. Abstreiter

Grating Coupler Effects on Inelastic Light Scattering by Plasmons in Micro Structured GaAs MQW Systems

Surface Science 229, 391-393 (1990)

T. Egeler | G. Abstreiter | G. Weimann | T. Demel | D. Heitmann | W. Schlapp

Growth and Characterization of Ultrathin SimGen Strained Layer Superlattices

Proc. of Esprit Conference, Brussels (1990). Kluwer Academic Publishers, 1990. 865-882.

H. Presting | H. Kibbel | E. Kasper | M. Jaros | G. Abstreiter

High Resolution Micro Raman Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Quantum Well Lasers in the Low Power Range

Proc. of the 17th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, Jersey, September 24-27, 1990. IOP Publishing Ltd., 1990. 561-566. (Inst. Phys. Conf. Ser. 112; Chapter 8).

S. Beeck | F. U. Herrmann | G. Abstreiter | C. Hanke | L. Korte

Highly Strained ?-Sn/Ge Superlattices - New Man-made Semiconductors

Proc. of the 20th Int.Conf. on the Physics of Semiconductors, Thessaloniki, Aug. 6-10, 1990.
Eds.: E.M. Anastassakis and J. D. Joannopoulos. World Scientific, Singapore 1990. 1685-1688.

W. Wegscheider | K. Eberl | U. Menczigar | J. Olajos | G. Abstreiter | P. Vogl

Inelastic Light Scattering by Electrons in Microstructured Quantum Wells

Solid State Sciences 97: Localization and Confinement of Electrons in Semiconductors
Eds.: F. Kuchar, H. Heinrich, G. Bauer. Springer-Verlag, Berlin 1990. 60-69.

G. Abstreiter | T. Egeler

Local Temperature Distribution in Si-MOSFET`s Studied by Micro-Raman Spectroscopy

Proc. of the 20th ESSDERC, Nottingham, 1990, Bristol: Hilger, 591-594 (1990)
eds. Eccleston et .al.

R. Ostermeir | K. Brunner | G. Abstreiter | W. Weber

Negative Infrared Photoconductivity in Narrow GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well Strucutres

Surface Science 228, 465-467 (1990)

R. Heinrich | R. Zachai | M. Besson | T. Egeler | G. Abstreiter | W. Schlapp | G. Weimann

New Relaxation Mechanism in Short Period Si/Ge Strained-Layer Superlattices

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 183, 155-160 (1990)

W. Wegscheider | K. Eberl | G. Abstreiter | H. Cerva | H. Oppolzer

Novel Relaxation Process in Strained Si/Ge Superlattices Grown on Ge (001)

Appl. Phys. Lett. 57, (15), 1496-1498 (1990)

W. Wegscheider | K. Eberl | G. Abstreiter | H. Cerva | H. Oppolzer

Optical Properties of Short Period Si/Ge Superlattices Grown on (001) Ge Studied with Photoreflectance

in "Physical Concepts of Materials for Novel Optoelectronic Device Applications I:
Materials Growth and Characterization", ed. M. Razeghi,
Proc. of the SPIE `90, Vol. 1361, 282, Aachen

U. Menczigar | M. Dahmen | R. Zachai | K. Eberl | G. Abstreiter

Photoluminescence in Short Period Si/Ge Strained Layer Superlattices Grown on Si and Ge Substrates

Surface Science 228, 267-269 (1990)

R. Zachai | K. Eberl | G. Abstreiter | E. Kasper | H. Kibbel

Photoluminescence in Short-Period Si/Ge Strained-Layer Superlattices

Phys. Rev. Lett. 64, (9), 1055-1058 (1990)

R. Zachai | K. Eberl | G. Abstreiter | E. Kasper | H. Kibbel

Plasmon Excitations in lateral GaAs/(AlGa)As Quantum Wire Superlattices

Proc. of the 20th Int.Conf. on the Physics of Semiconductors, Thessaloniki, Aug. 6-10, 1990.
Eds.: E.M. Anastassakis and J. D. Joannopoulos. World Scientific, Singapore 1990. 2359-2362.

T. Egeler | G. Abstreiter | G. Weimann | T. Demel | D. Heitmann | W. Schlapp

Relevant Scattering Processes, Band Gap Renormalization and Moss-Burstein shift in Modulation Doped Narrow GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells

Surface Science 229, 398-401 (1990)

U. Bockelmann | P. Hiergeist | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Single-crystal Sn/Ge Superlattices on Ge Substrates: Growth and Structural Properties

Appl. Phys. Lett. 57, (9), 875-877 (1990)

W. Wegscheider | K. Eberl | U. Menczigar | G. Abstreiter

Single-Particle and Transport Scattering Times in Narrow GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Wells

Phys. Rev. B41, (11), 7864-7867 (1990)

U. Bockelmann | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Strain and Confinement Effects on Optical Phonons in Short Period (100) Si/Ge Superlattices

Solid State Communications 73, (3), 203-207 (1990)

E. Friess | K. Eberl | U. Menczigar | G. Abstreiter

Strain Effects on Valence Band States of Pseudomorphic InGaAs/Ga(Al)As Multiple Quantum Wells

Proc. of the 17th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, Jersey, 1990. IOP Publishing Ltd., 1990. 197-200. (Inst. Phys. Conf. Ser. 112; Chapter 4).

J. P. Reithmaier | H. Riechert | O. Heinrich | P. Hiergeist | G. Abstreiter

Supergitter und Heterostrukturen - Chancen für neue Bauelemente

Siemens Zeitschrift, Spezial (Herbst 1990), p. 38-41

G. Abstreiter

Confined Optical Modes in Short Period (110) Si/Ge Superlattices

Solid State Communications 69, (9), 899-903 (1989)

E. Friess | H. Brugger | K. Eberl | G. Krötz | G. Abstreiter

Improvement of Structural Properties of Si/Ge Superlattices

Thin Solid Films 183, 95-103 (1989)

K. Eberl | E. Friess | W. Wegscheider | U. Menczigar | G. Abstreiter

Investigations of GaAs/AlGaAs Quantum Well lasers by Micro Raman Spectroscopy

C. Hoyler, and L. Korte
Proc. of the 19th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC), Berlin 1989. 508-511.

S. Beeck | T. Egeler | G. Abstreiter | H. Brugger | P. W. Epperlein | D. J. Webb | C. Hanke

Local Operating Temperatures in GaAs Quantum Well Lasers

Proc. of the 16th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, Karuizawa, Japan, September 25-29, 1989. Ed.: T. Ikoma and H. Watanabe. IOP Publishing Ltd., 1990. 771-776. (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 106: Chapter 10).

H. Brugger | P. W. Epperlein | S. Beeck | G. Abstreiter

Phonons and Optical Properties of Si/Ge Superlattices

Spectroscopy of Semiconductor Microstructures, Venice, Italy, May 9-13, 1989.
Eds.: G. Fasol, A. Fasolino, and P. Lugli. Plenum Press, N.Y. 1989. 165-174.
(NATO ASI Ser.: B; 206).

G. Abstreiter | K. Eberl | E. Friess | U. Menczigar | W. Wegscheider | R. Zachai

Picosecond Intersubband Spectroscopy

Superlattices and Microstructures 5, (4), 569-574 (1989)

A. Seilmeier | M. Wörner | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Plasmon Excitations in Layered 2D Electron Gas Systems with Large In-Plane Wave Vector

Superlattices and Microstructures 5, (1), 123-126 (1989)

T. Egeler | S. Beeck | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Realization of Short Period Si/Ge Strained-Layer Superlattices

Heterostructures on Silicon: One Step Further with Silicon. Eds.: Y.I. Nissim and E. Rosencher. Kluwer Academic Publishers, 1989. 153-160. (NATO ASI Ser.: E; 160).

K. Eberl | W. Wegscheider | E. Friess | G. Abstreiter

Si-Ge Strained Layer Superlattices

Thin Solid Films 183, 1-8 (1989)

G. Abstreiter

Silicon/Germanium Strained Layer Superlattices

J. of Crystal Growth 95, 431-438 (1989)

G. Abstreiter | K. Eberl | E. Friess | W. Wegscheider | R. Zachai

Spectroscopy of Free Carrier Excitations in Semiconductor Quantum Wells

Topics in Applied Physics 66: Light Scattering in Solids V.
Eds.: M. Cardona, G. Güntherodt. Springer-Verlag, Berlin 1989. 153-211.

A. Pinczuk | G. Abstreiter

Strain at Si-Si02 Interfaces Studied by Micro-Raman Spectroscopy

Appl. Surf. Science 39, 116-126 (1989)

K. Brunner | G. Abstreiter | B. O. Kolbesen | H. W. Meul

Annealing Effects in short period Si-Ge strained layer superlattices

Semicond. Sci. Technol. 3, 1166-1170 (1988)

H. Brugger | E. Friess | G. Abstreiter | E. Kasper | H. Kibbel

Direct Observation of Intersubband Relaxation in Narrow Multiple Quamtum Well Structures

Solid-State Electronics 31, 767-770 (1988)

A. Seilmeier | H. J. Hübner | M. Wörner | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Electronic Excitations in Narrow GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Well Structures

Surface Science 196, 613-618 (1988)

G. Abstreiter | T. Egeler | S. Beeck | A. Seilmeier | H. J. Hübner | G. Weimann | W. Schlapp

Interface Roughness Scattering and Electron Mobilities in Thin GaAs Quantum Wells

Europhys. Letters 6, (2), 183-188 (1988)

R. Gottinger | A. Gold | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Strain Adjustment in Si/SiGe Superlattices

Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Vol. 102, 393-403 (1988)

E. Kasper | H. J. Herzog | H. Jorke | G. Abstreiter

Symmetrically strained Si/Ge superlattices on Si substrates

Phys. Rev. B38, (5), 3599-3601 (1988)

E. Kasper | H. Kibbel | H. Jorke | H. Brugger | E. Friess | G. Abstreiter

Intersubband Relaxation in GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Well Structures Observed Directly by an Infrared Bleacing Technique

Phys. Rev. Lett. 59, (12), 1345-1348 (1987)

A. Seilmeier | H. J. Hübner | G. Abstreiter | G. Weimann | W. Schlapp

Pseudomophic growth of SixGe1-x on GaAs (110)

Semicond. Sci. Technol. 2, 561-567 (1987)

K. Eberl | G. Krötz | T. Wolf | F. Schäffler | G. Abstreiter

Raman Spectroscopy for the Study of Semiconductor Heterostructures and Superlattices

Physics and Applications of Quantum Wells and Superlattices. Eds.: E.E. Mendez and K. von Klitzing. Plenum Press, N.Y. 1987. 301-315.
(NATO ASI Ser.: B; 170).

G. Abstreiter

Si-Ge Strained Layer Superlattices

Journal de Physique C5, (11), 321-327 (1987).
Proc. of the 3rd Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, Montpellier, France, July 6-10, 1987. Eds.: A. Raymond and P. Voisin. Les Editions de Physique, Les Ulis 1987.

H. Brugger | G. Abstreiter

Silicon-Germanium Superlattices

SPIE, Vol. 792, Quantum Well and Superlattice Physics, 77-85 (1987)

G. Abstreiter | H. Brugger | K. Eberl | R. Zachai

Strained Layer Si/SiGe Superlattices

Superlattices and Microstructures 3, (2), 141-146 (1987)

E. Kasper | H. J. Herzog | H. Jorke | G. Abstreiter

Structural, Compositional, and Optical Properties of Ultrathin Si/Ge Superlattices

Journal de Physique C5, 329-332 (1987)

K. Eberl | G. Krötz | R. Zachai | G. Abstreiter

Dispersion of Folded Phonons in Si/SixGe1-x Superlattices

Superlattices and Microstructures 2, (5), 451-454 (1986)

H. Brugger | H. Reiner | G. Abstreiter | H. Jorke | H. J. Herzog | E. Kasper

Electric Subbands in Si/SiGe Strained Layer Superlattices

Z. Physik B64, 137-143 (1986)

C. Zeller | G. Abstreiter

Electric-field-induced Raman scattering:Resonance, temperature, and screening effects

Phys. Rev. B34, (6), 4017-4025 (1986)

F. Schäffler | G. Abstreiter

Equally Strained Si/SiGe Superlattices on Si Substrates

Mat. Res. Soc. Symp., Vol. 56, 347-357 (1986)

E. Kasper | H. J. Herzog | H. Daembkes | G. Abstreiter

Folded acoustic phonons in Si/SixGe1-x Superlattices

Phys. Rev. B33, 5928-5930 (1986)

H. Brugger | G. Abstreiter | H. Jorke | H. J. Herzog | E. Kasper

Inelastic Light Scattering by Electronic Excitations in Semiconductor Heterostructures

IEEE QE22, 1771-1784 (1986)

G. Abstreiter | R. Merlin | A. Pinczuk

Internal Photoemission - A Suitable Method for Determining Band Offsets in Semiconductor Heterostructures

Surface Science 174, 312-317 (1986)

G. Abstreiter | U. Prechtel | G. Weimann | W. Schlapp

Light Scattering in Novel Layered Semiconductor Structures

Festkörperprobleme (Advances in Solid State Physics) 26, 41-53 (1986).
Ed.: P. Grosse. Vieweg, Braunschweig 1986.

G. Abstreiter

Optical and Electronic Properties of Si/SiGe Superlattices

Solid State Sciences 67: Two-Dimensional Systems:Physics and New Devices.
Eds.: G. Bauer, F. Kuchar, and H. Heinrich. Springer-Verlag, Berlin 1986. 130-139.

G. Abstreiter | H. Brugger | T. Wolf | R. Zachai | C. Zeller

Raman Scattering at Interfaces

Optical Properties of Narrow-Gap Low-Dimensional Structures. Eds.: C.M. Sotomayor Torres, J. C. Portal, J.C. Maan, R.A. Stradling.
Plenum Press, N.Y.1986. 269-278. (NATO ASI Ser.: B; 152).

G. Abstreiter

Raman Scattering for Studies of Semiconductor-Heterostructures and Superlattices

Proc. of the 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductor, Stockholm, Sweden, August 11-15, 1986. Ed.: O. Engström. World Scientific, Singapore 1987. Vol. 1, 739-746.

G. Abstreiter | H. Brugger

Semiconductor Heterostructures

Siemens Forsch- und Entwickl.-Ber. Bd. 15, (6), 312-318 (1986)

G. Abstreiter

Two-Dimensional Electron Systems in Si/SixGe1-x Strained-Layer Superlattices

Surface Science 174, 640-645 (1986)

G. Abstreiter | H. Brugger | T. Wolf | H. Jorke | H. J. Herzog

Formation of metal-semiconductor interfaces: From the submonolayer regime to the real Schottky barrier

J. Vac. Sci. Technol. B3, (4), 1184-1189 (1985)

F. Schäffler | G. Abstreiter

Internal Photoemission in GaAs/(AlxGa1-x)As Heterostructures

Physica 134B, 433- 438 (1985)

G. Abstreiter | U. Prechtel | G. Weimann | W. Schlapp

Light scattering in semiconductor heterostructures

Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Heterostructures. Eds.: L. L. Chang and K. Ploog. Martinus Nijhoff Publishers, Dordrecht 1985. 425-459.(NATO ASI Ser.: E; 87).

G. Abstreiter

Light scattering studies of semiconductor heterostructures

J. Vac. Sci. Technol. B3, (2), 683-686 (1985)

G. Abstreiter

Phonon Properties of SixGe1-x Strained Overlayers on (110) GaAs

Journal de Physique, MRS Europe, 209-212 (1985)
Proc. of MRS-Europe Spring Conf. on Semiconductor Quantum Well Structures and Superlattices VI, Strasbourg, France, May 13-15, 1985. Eds.: K. Ploog and N. T. Linh. Les Editions de Physique, Les Ulis 1985. 209-212.

H. Brugger | G. Abstreiter

Raman Scattering by Free Carriers in Semiconductor Heterostructures

Proc. of the Winter School on Heterojunctions and Semiconductor Superlattices, Les Houches, France, March 12-21, 1985. Eds.: G. Allan, G. Bastard, N. Boccara, M. Lannoo, and M. Voos. Springer-Verlag, Berlin 1986. 99-107.

G. Abstreiter

Strain-Induced Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped Si/SixGe1-x Superlattices

Phys. Rev. Lett. 54, (22), 2441-2444 (1985)

G. Abstreiter | H. Brugger | T. Wolf | H. Jorke | H. J. Herzog

Tunable electroluminescence in GaAs-doping multilayer structures

J. Vac. Sci. Technol. B3, (2), 623 (1985)

G. Abstreiter | H. Kirchstetter | K. Ploog

Hole sub-bands on silicon surfaces

J. Phys. C:Solid State Phys. 17, 1617-1631 (1984)

M. Baumgartner | G. Abstreiter | E. Bangert

In Situ Investigation of Band Bending during Formation of GaAs-Ge Heterostructures

Phys. Rev. Lett. 52, (2), 141- 144 (1984)

H. Brugger | F. Schäffler | G. Abstreiter

Inelastic Light Scattering in Semiconductor Heterostructures

Festkörperprobleme (Advances in Solid State Physics) 24, 291-309 (1984)
Ed.: P. Grosse. Vieweg, Braunschweig 1984.

G. Abstreiter

Interaction between Electronic and Phonon Raman Scattering in Hole Space Charge Layers on Silicon

Surface Science 142, 357-360 (1984)

M. Baumgartner | G. Abstreiter

Light Scattering by Free Carrier Excitations in Semiconductors

Topics in Applied Physics 54: Light Scattering in Solids IV.
Eds.: M. Cardona and G. Güntherodt. Springer-Verlag, Berlin 1984. 5-150.

G. Abstreiter | M. Cardona | A. Pinczuk

Luminescence and Inelastic Light Scattering in GaAs Doping Superlattices

Solid-State Sciences 53: Two-Dimensional Systems, Heterostructures, and Superlattices.
Eds.: G. Bauer, F. Kuchar, and H. Heinrich. Springer-Verlag, Berlin 1984. 232-239.

G. Abstreiter

Raman Spectroscopy of Semiconductor Surfaces and Heterostructures

Proc. of the 9th Int.Conf. on Raman Spectroscopy, Tokyo, August 27 - September 1, 1984. 386-387 (1984)

G. Abstreiter

Resonant Tunneling in Doping Quantum Well Structures

Surface Science 142, 456-459 (1984)

C. Zeller | G. Abstreiter | K. Ploog

Resonant tunneling in MBE-grown pnp-GaAs quantum well structures

Inst. Phys. Conf. Ser. No. 74, Chapter 5, 339-344 (1984)
Proc. of the 11th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, Biarritz, France, September 26-28, 1984. Ed.: B. de Cremoux. Adam Hilger Ltd, Bristol 1985.

U. Prechtel | C. Zeller | G. Abstreiter | K. Ploog

Surface Barrier Formation on (110) GaAs Studied with Raman Spectroscopy

Proc. of the 17th Int.Conf. on the Physics of Semiconductors, San Francisco, USA, August 6-10, 1984. Eds.: J. D. Chadi and W.A. Harrison. Springer-Verlag, N.Y. 1985. 205-208.

F. Schäffler | H. Brugger | G. Abstreiter

Fermi Level Pinning on Clean and Covered GaAs (110) Surfaces Studied by Electric-Field Induced Raman Scattering

Chemical Physics 33: Surface Studies with Lasers, 131-134 (1983). Eds.: F. R. Aussenegg, A. Leitner, M. E. Lippitsch. Springer-Verlag, Berlin 1983.

F. Schäffler | G. Abstreiter

Quantization of Photo-excited carriers in GaAs Doping Superlattices

Physica 117B & 118B, 729-731 (1983)

C. Zeller | B. Vinter | G. Abstreiter | K. Ploog

Subband Energies in Accumulation Layers on InP

Solid State Communications 47, (8), 651-654 (1983)

G. Abstreiter | R. Huber | G. Tränkle | B. Vinter

Inelastic Light Scattering in Hole-Accumulation Layers on Silicon

Solid State Communications 44, (5), 673-676 (1982)

G. Abstreiter | U. Claessen | G. Tränkle

Quantization of Photoexcited Electrons in GaAs nipi-Crystals

Surface Science 113, 479-480 (1982)

G. Abstreiter | G. H. Döhler | H. Künzel | D. Olego | K. Ploog | R. Ruden | H. J. Stolz

Quasi-two-dimensional photoexcited carriers in GaAs doping superlattices

Phys. Rev. B26, (4), 2124-2132 (1982)

C. Zeller | B. Vinter | G. Abstreiter | K. Ploog

The Influence of Temperature and Incident Light Intensity on Single Particle and Collective Excitations in Multilayer Structures

Surface Science 113, 85-88 (1982)

C. Zeller | G. Abstreiter | K. Ploog

Observation of Tunable Band Gap and Two-Dimensional Subbands in a Novel GaAs Superlattice

Phys. Rev. Lett. 47, (12), 864-867 (1981)
Raman spectroscopy as a surface sensitive technique on semiconductors,
H.J. Stolz and G. Abstreiter
J. Vac. Sci. Technol. 19, (3), 380-382 (1981)

G. H. Döhler | H. Künzel | D. Olego | K. Ploog | P. Ruden | H. J. Stolz | G. Abstreiter

Study of GaAs-AlxGa1-xAs Multilayer Systems by Resonant Inelastic Light Scattering Techniques

Inst. Phys. Conf. Ser. No. 56: Chapter 9, 741-749 (1981)
Proc. of the 13th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, Vienna, September 22-24, 1980. Ed.: H. W. Thim. Institute of Physics, Bristol 1981.

G. Abstreiter | C. Zeller

Determination of Existing Stress in Silicon Films on Sapphire Substrate Using Raman Spectroscopy

Solid-State Electronics 23, 31-33 (1980)

T. Englert | G. Abstreiter | J. Pontcharra

Dynamical effects of the interaction between 4f electrons and optical phonons in rare-earth hydroxides, especially in Tb(OH)3 and Nd(OH)3

J. Phys. C: Solid State Phys. 13, 4545-4564 (1980)

K. Ahrens | H. Gerlinger | H. Lichtblau | G. Schaack | G. Abstreiter | S. Mroczkowski

Electronic Properties of the Two-Dimensional System at GaAs/Alx-Ga1-xAs Interfaces

Surface Science 98, 117-125 (1980)

G. Abstreiter

Magnetic "Bragg" Scattering in Antiferromagnets Observed through Raman Scattering from Phonons

J. of Magnetism and Magn. Mat. 15-18, 777-778 (1980)

G. Güntherodt | G. Abstreiter | W. Bauhofer | G. Benedek | E. Anastassakis

Raman Scattering in a Magnetic Semiconductor

J. of Magnetism and Magn. Mat. 15-18, 821-822 (1980)

G. Güntherodt | R. Merlin | G. Abstreiter

Raman-, LEED- and Auger Spectroscopy of Clean and Oxidized (110) -GaAs -Surfaces

J. Phys. Soc. Japan 49, Suppl. A, 1101-1104 (1980). Eds.: S. Tanaka, Y. Toyozawa.
Proc. of the 15th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Kyoto, September 1-5, 1980.

H. J. Stolz | G. Abstreiter

Surface Band bending on Clean and Oxidized (110) - GaAs Studied by Raman Spectroscopy

Solid State Communications 36, 857-860 (1980)

H. J. Stolz | G. Abstreiter

Coupled Plasmon-L0 Phonon Modes and Lindhard-Mermin Dielectric Function of n-GaAs

Solid State Communications 30, 703-707 (1979)

G. Abstreiter | R. Trommer | M. Cardona | A. Pinczuk

Effects of Uniaxial Stress on the Cyclotron Resonance in Inversion Layers on Si (100)

Solid State Communications 32, 655-658 (1979)

P. Stallhofer | J. P. Kotthaus | G. Abstreiter

Phonon Raman Scattering from Spin Superstructures: Magnetic "Bragg" Scattering

J. of Magnetism and Magn. Mat. 13, 187-188 (1979)

G. Güntherodt | R. Merlin | W. Bauhofer | G. Abstreiter

Resonance Enhancement of Raman Scattering by Electron-Gas Excitations of n-GaAs

Solid State Communications 30, 429-432 (1979)

A. Pinczuk | G. Abstreiter | R. Trommer | M. Cardona

Raman Spectroscopy - A Versatile Tool for Characterization of Thin Films and Heterostructures of GaAs and AlxGa1-xAs

Applied Physics 16, 345-352 (1978)

G. Abstreiter | E. Bauser | A. Fischer | K. Ploog

Anti-Stokes Luminescence in Europium Monochalcogenides

Solid State Communications 22, 609-613 (1977)

R. Merlin | R. Tsu | G. Güntherodt | G. Abstreiter | M. W. Shafer

Forbidden Raman Scattering by L0 Phonons in GaAs

Proc. of the 2nd Int. Conf. on Lattice Dynamics, Paris, September 5-9, 1977.
Ed.: M. Balkanski. Flammarion, Paris 1978. 189-191.

R. Trommer | G. Abstreiter | M. Cardona

Raman Scattering by Wavevector Dependent Coupled Plasmon - L0 Phonons of n-GaAs

Solid State Communications 21, 959-962 (1977)

A. Pinczuk | G. Abstreiter | R. Trommer | M. Cardona

Raman Scattering Studies of Coupled Plasmon-L0 Phonon Modes in n-GaAs

Proc. of the 2nd Int. Conf. on Lattice Dynamics, Paris, September 5-9, 1977.
Ed.: M. Balkanski. Flammarion, Paris 1978. 191-192.

G. Abstreiter | A. Pinczuk | R. Trommer | M. Cardona

Cyclotron resonance of electrons in surface space-charge layers on silicon

Phys. Rev. B14, (6), 2480-2493 (1976)

G. Abstreiter | J. P. Kotthaus | J. F. Koch | G. Dorda

Electrons in a Surface Space Charge Layer on Germanium-Shubnikov-de Haas Oscillations and Cyclotron Resonance

Solid State Communications 18, 1397-1399 (1976)

W. Weber | G. Abstreiter | J. F. Koch

Frequency dependence of surface cyclotron resonance in Si

Phys. Rev. B14, (6), 2494-2497 (1976)

G. Abstreiter | J. F. Koch | P. Goy | Y. Couder

Raman Scattering by Longitudinal Modes in Opaque n-GaAs

Proc. of the 13th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Rome, August 30 - September 3, 1976. Ed.: F. G. Fumi. Tipografia Marves, Rome 1976. 779-782.

G. Abstreiter | A. Pinczuk | R. Trommer | R. Tsu

Cyclotron Resonance of Localized Electrons on a Si Surface

Phys. Rev. Lett. 34, (3), 151-154 (1975)

J. P. Kotthaus | G. Abstreiter | J. F. Koch | R. Ranvaud

Cyclotron Resonance of Electrons in an Inversion Layer on Si

Phys. Rev. Lett. 32, (3), 104-107 (1974)

G. Abstreiter | P. Kneschaurek | J. P. Kotthaus | J. F. Koch

Subharmonic Structure of Cyclotron Resonance in an Inversion Layer on Si

Solid State Communications 15, 517-519 (1974)

J. P. Kotthaus | G. Abstreiter | J. F. Koch

Influence of electron capture decay of 57Co on the Mössbauer emission spectrum of hydrated cobalt chlorides

J. Chem Phys. 59, (7), 3831-3834 (1973)

J. M. Friedt | G. K. Shenoy | G. Abstreiter | R. Poinsot

Nuclear parameters of the 140 keV Mössbauer level in 99Tc from Mössbauer spectroscopy

J. Phys. A6, L144-L147 (1973)

G. K. Shenoy | G. Abstreiter | G. M. Kalvius | K. Schwochau | K. H. Linse

TUM Technische Universität München TUM Technische Universität München Physik Department Elektrotechnik und Informationstechnik TUM Technische Universität München
 

Events & News

13 Jul 2016

Best Poster Award at HeFIB for Julian Klein   more

04 Jul 2016

CSW 2016 Best Paper Award for Bernhard Loitsch   more

14 Jun 2016

Poster Award at 10th IGSSE Forum in Raitenhaslach   more

21 Mar 2016

IBM Ph.D. Fellowship for Bernhard Loitsch   more

07 Jan 2016

Arnold Sommerfeld Prize 2015 for Gregor Koblmueller!   more

Seminars

August 03, 2016

Synthesis and application of transition metal dichalcogenides by atomic layer deposition   more

August 01, 2016

Spin correlation effects in half-metallic HgCr2Se4   more

July 22, 2016

Heat flow and defects in semiconductors   more