TUM Technische Universit�t M�nchen
WALTER SCHOTTKY INSTITUTE Fundamental research in semiconductor electronics - WSI
Home > People > Profile

Moritz Hauf

 
Room: S109
Category: Doctoral Candidates
Phone: 11521
Email: Moritz.Hauf(at)wsi.tum.de

Publications

Nanoscale friction mechanisms at solid-liquid interfaces

Angewandte Chemie, International Edition, accepted (2013).

B. N. Balzer | M. Gallei | M. Hauf | M. Stallhofer | L. Wiegleb | A. Holleitner | M. Rehahn | T. Hugel |

Online Reference

Charge state manipulation of qubits in diamond

Nature Communications 3, 729 (2012)

B. Grotz | M. Hauf | M. Dankerl | B. Naydenov | S. Pezzagna | J. Meijer | F. Jelezko | J. Wrachtrup | M. Stutzmann | F. Reinhard | J. A. Garrido

Online Reference

Diamond solution-gated field effect transistors: Properties and bioelectronic applications

physica status solidi (a)

M. Dankerl | M. Hauf | M. Stutzmann | J. A. Garrido

Online Reference

Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond

Phys. Rev. B 83, 081304(R) (2011)

M. Hauf | B. Grotz | B. Naydenov | M. Dankerl | S. Pezzagna | J. Meijer | F. Jelezko | J. Wrachtrup | M. Stutzmann | F. Reinhard | J. A. Garrido

Online Reference

Graphene Transistor Arrays for Recording Action Potentials from Electrogenic Cells

Advanced Materials 23, 5045 (2011)

L. Hess | M. Jansen | V. Maybeck | M. Hauf | M. Seifert | M. Stutzmann | I. D. Sharp | A. Offenhäusser | J. A. Garrido

Online Reference

High-transconductance graphene solution-gated field effect transistors

Applied Physics Letters 99, 033503 (2011)

L. Hess | M. Hauf | M. Seifert | F. Speck | T. Seyller | M. Stutzmann | I. D. Sharp | J. A. Garrido

Online Reference

Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistor Array for Sensing Applications

Advanced Functional Materials 20, 3117–3124 (2010)

M. Dankerl | M. Hauf | A. Lippert | L. Hess | S. Birner | I. D. Sharp | A. Mahmood | P. Mallet | J. Y. Veuillen | M. Stutzmann | J. A. Garrido

Download   Online Reference

Low-frequency noise in diamond solution-gated field effect transistors

Applied Physics Letters 97, 093504 (2010)

M. Hauf | L. Hess | J. Howgate | M. Dankerl | M. Stutzmann | J. A. Garrido

Online Reference

Photoconductance of a submicron oxidized line in surface conductive single crystalline diamond

Appl. Phys. Lett. 97, 111107 (2010).

M. Stallhofer | M. Seifert | M. Hauf | G. Abstreiter | M. Stutzmann | J. A. Garrido | A. Holleitner

Online Reference

Diamond transistor array for extracellular recording from electrogenic cells

Adv. Funct. Mater. 19, 2915–2923 (2009)

M. Dankerl | B. Hofmann | S. Eick | M. Hauf | S. Ingebrandt | A. Offenhäuser | M. Stutzmann | J. A. Garrido

Online Reference

start search
 
TUM Technische Universität München TUM Technische Universität München Physik Department Elektrotechnik und Informationstechnik TUM Technische Universität München
 

News at the WSI

01 Apr 2013

Prof. Dr. Jonathan J. Finley new head of chair E24 - Prof. Dr. Gerhard Abstreiter new director of TUM-IAS   more

07 Jan 2013

Bavarian Academy of Sciences awards Robert-Sauer prize to Dr. Ulrich Rant   more

29 Oct 2012

Anouncement: A scientific symposium in memory of Professor Dr. Frederick Koch on November 23.   more

25 Sep 2012

ERC Grant for Prof. Alexander Holleitner (WSI and Physik-Department, TUM)   more

14 Sep 2012

Best Student paper award for Tobias Gruendl   more

 
 
to top print