Aluminium arsenide cleaved-edge overgrown quantum wires

Appl. Phys. Lett. 87, 052101 (2005)

J. Moser | T. Zibold | D. Schuh | M. Bichler | F. Ertl | G. Abstreiter | M. Grayson | S. Roddaro | V. Pellegrini

Download   

Aluminum arsenide cleaved-edge overgrown quantum wires

Appl. Phys. Lett. 87, 052101 (2005)

J. Moser | T. Zibold | D. Schuh | M. Bichler | F. Ertl | G. Abstreiter | M. Grayson | S. Roddaro | V. Pellegrini

Design and optimization of vertical CEO-T-FETs with atomically precise ultrashort gates by simulation with quantum transport models

in: proc. of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, eds: J. Menéndez and Chris G. Van de Walle, AIP Conference Proc. 772, 1501-1502 (2005)

J. Höntschel | W. Klix | R. Stenzel | F. Ertl | G. Abstreiter

Anomalous-filling-factor-dependent nuclear-spin polarization in a 2D electron system

Phys. Rev. Lett. 92, 086802 (2004)

J. M. Smet | R. A. Deutschmann | F. Ertl | W. Wegscheider | G. Abstreiter | K. V. Klitzing

Resonant tunneling between parallel 1D quantum wires and adjoining 2D electron reservoirs

Physica E 22, 292-295 (2004)

F. Ertl | S. Roth | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Anisotropic high-mobility quantum Hall transport: two-dimensional electrons subject to few millikelvins and misoriented substrates

in: Physics of Semiconductors 2002, Institute of Physics Conference Series 171, eds.: A. R. Long, and J. H. Davies, Institute of Physics Publishing Bristol, E2.2 (2003).

F. Ertl | O. Jaeger | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter | E. Schuberth | C. Probst | W. Wegscheider

Device characterictics of vertical field effect transistors with ultra-short InGaAs/GaAs channels

in: Compound Semiconductors 2001, Institute of Physics Conference Series 170, eds.: Y. Arakawa, Y. Hirayama, K. Kishino, and H. Yamaguchi, Institute of Physics Publishing Bristol, 295-299 (2002)

F. Ertl | R. A. Deutschmann | D. Schuh | M. Bichler | G. Abstreiter

Gate-voltage control of spin interactions between electrons and nuclei in a semiconductor

Nature 415, 281-286 (2002)

J. H. Smet | R. A. Deutschmann | F. Ertl | W. Wegscheider | G. Abstreiter | K. V. Klitzing

Low temperature properties of the p-type surface conductivity of diamond

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 11 3-6 351-354 (2002)

C. E. Nebel | F. Ertl | C. Sauerer | M. Stutzmann | C. F. O. Graeff | R. Bergonzo | O. A. Williams | R. B. Jackman

Vertical field effect transistors realized by cleaved-edge overgrowth

Physica E 13, 920-924 (2002)

F. Ertl | T. Asperger | R. A. Deutschmann | W. Wegscheider | M. Bichler | G. Böhm | G. Abstreiter

Hydrogen-induced transport properties of holes in diamond surface layers

APPLIED PHYSICS LETTERS 79 27 4541-4543 (2001)

C. E. Nebel | C. Sauerer | F. Ertl | M. Stutzmann | C. F. O. Graeff | P. Bergonzo | O. A. Williams | R. Jackman

Low temperature surface conductivity of hydrogenated diamond

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 186 2 241-247 (2001)

C. Sauerer | F. Ertl | C. E. Nebel | M. Stutzmann | P. Bergonzo | O. A. Williams | R. A. Jackman

Simulation of vertical CEOFETs by a coupled solution of the Schrödingers equation with a hydrodynamic transport model

in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001, Springer Conference Proceedings,
eds.: D. Tsoukalas, and C. Tsamis, Springer Berlin, pp. 222 (2001)

J. Höntschel | R. Stenzel | W. Klix | F. Ertl | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter

Investigation of conductance fluctuations in quantum wires fabricated by cleaved edge overgrowth

in: Proc. of the 25th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka (2000);
eds.: N. Miura and T. Ando (Springer Proceedings 87), page 1027-1028 (2001)

F. Ertl | M. Rother | W. Wegscheider | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter

Quantum wires as Luttinger liquids: experiment

Adv. in Sol. State Phys. Vol. 40, ed.: B. Kramer (Vieweg, Braunschweig/Wiesbaden) 97-116 (2000)

W. Wegscheider | M. Rother | F. Ertl | R. A. Deutschmann | M. Bichler | G. Abstreiter