Martin Eickhoff

 
Year:

Martin Eickhoff is now professor at Justus-Liebig-Universität Gießen.

Publications

Accurate determination of optical bandgap and lattice parameters of Zn1–xMgxO epitaxial films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on a-plane sapphire

J. Appl. Phys. 113, 233512 (2013)

B. Laumer | F. Schuster | M. Stutzmann | A. Bergmaier | G. Dollinger | M. Eickhoff

Online Reference

Optical characterization of AlGaN/GaN quantum disc structures in single nanowires

physica status solidi (c), 7, 2233-2235 (2010)

L. Rigutti | F. Fortuna | M. Tchernycheva | A. D. L. Bugallo | G. Jacopin | F. H. Julien | F. Furtmayr | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Origin of energy dispersion in Al_xGa_(1-x)/GaN nanowire quantum discs with low Al content

Phys. Rev. B 82, 235308 (2010)

L. Rigutti | J. Teubert | G. Jacopin | F. Fortuna | M. Tchernycheva | A. D. L. Bugallo | F. H. Julien | F. Furtmayr | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Photocatalytic Cleavage of Self-Assembled Organic Monolayers by UV-Induced Charge Transfer from GaN Substrates

Advanced Materials 22, 2632 (2010)

J. Howgate | S. Schoell | M. Hoeb | W. Steins | B. Baur | S. Hertrich | B. Nickel | I. D. Sharp | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Photoluminescence polarization properties of single GaN nanowires containing AlxGa1-xN/GaN quantum discs

Phys. Rev. B 81 045411 (2010)

L. Rigutti | M. Tchernycheva | A. du Luna Bugallo | G. Jacopin | F. H. Julien | F. Furtmayr | M. Stutzmann | M. Eickhoff | R. Songmuang | F. Fortuna

Online Reference

Analysis of polarization-dependent photoreflectance studies for c-plane GaN films grown on a-plane sapphire

Phys. Status Solidi A 206, 773 (2009)

M. Röppischer | R. Goldhahn | C. Buchheim | F. Furtmayr | T. Wassner | M. Eickhoff | C. Cobet | N. Esser

Online Reference

GaN quantum dots as optical transducers for chemical sensors

Applied Physics Letters 94, 113108 (2009)

O. Weidemann | P. K. Kandaswamy | E. Monroy | G. Jegert | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Triple-twin domains in Mg doped GaN wurtzite nanowires: structural and electronic properties of this zinc-blende-like stacking

Nanotechnology 20 14574 (2009)

J. Arbiol | S. Estradé | J. D. Prades | A. Ciera | F. Furtmayr | C. Stark | A. Laufer | M. Stutzmann | M. Eickhoff | M. H. Gass | A. L. Bleloch | F. Peió | J. R. Morante

Online Reference

Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage

Sensors and Actuators B: Chemical 142 1 304-307 (2009)

A. Encabo | J. Howgate | M. Stutzmann | M. Eickhoff | M. A. Sánchez-García

Online Reference

Functionalization of 6H-SiC surfaces with organosilanes

APPLIED PHYSICS LETTERS 92 15 153301 (2008)

S. J. Schoell | M. Hoeb | I. D. Sharp | W. Steins | M. Eickhoff | M. Stutzmann | M. S. Brandt

Online Reference

Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy - The influence of Si- and Mg-doping

Journal of Applied Physics 104 034309 (2008)

F. Furtmayr | M. Vielemeyer | M. Stutzmann | S. Estradé | F. Peirò | J. R. Morante | M. Eickhoff

Online Reference

Optical properties of Si- and Mg-doped gallium nitride nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics 104 074309 (2008)

F. Furtmayr | M. Vielemeyer | M. Stutzmann | A. Laufer | B. K. Meyer | M. Eickhoff

Online Reference

The surface conductivity at the Diamond/Aqueous electrolyte interface

JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY 130 12 4177-4181 (2008)

J. A. Garrido | A. Haertl | M. Dankerl | A. Reitinger | M. Eickhoff | A. Helwig | G. Muller | M. Stutzmann

Online Reference

Fabrication of freestanding GaN microstructures using AlN sacrificial layers

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 1 1 R10-R12 (2007)

E. Zaus | M. Hermann | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Gas Sensing Interactions at Hydrogenated Diamond Surfaces

Sensors Journal, IEEE 7 9 1349-1353 (2007)

A. Helwig | G. Müller | O. Weidemann | A. Haertl | J. A. Garrido | M. Eickhoff

Online Reference

Modulation spectroscopy of AlGaN/GaN heterostructures: The influence of electron-hole interaction

physica status solidi (a) 204 2 447-458 (2007)

R. Goldhahn | A. T. Winzer | A. Dadgar | A. Krost | O. Weidemann | M. Eickhoff

Online Reference

Stark shift of interband transitions in AlN/GaN superlattices

Applied Physics Letters 90 241906 (2007)

C. Buchheim | R. Goldhahn | A. T. Winzer | G. Gobsch | U. Rossow | D. Fuhrmann | A. Hangleiter | F. Furtmayr | M. Eickhoff

Online Reference

Catalytic activity of enzymes immobilized on AlGaN/GaN solution gate field-effect transistors

Applied Physics Letters 89 18 183901 (2006)

B. Baur | J. Howgate | H. G. vonRibbeck | Y. Gawlina | V. Bandalo | G. Steinhoff | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Direct biofunctionalization of semiconductors: A survey

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 203 14 3424-3437 (2006)

M. Stutzmann | J. A. Garrido | M. Eickhoff | M. S. Brandt

Online Reference

Electroreflectance spectroscopy of Pt/AlGaN/GaN heterostructures exposed to gaseous hydrogen

APPLIED PHYSICS LETTERS 88 2 024101 (2006)

A. T. Winzer | R. Goldhahn | G. Gobsch | A. Dadgar | A. Krost | O. Weidemann | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Impact of silicon incorporation on the formation of structural defects in AlN

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100 113531 (2006)

M. Hermann | F. Furtmayr | F. M. Morales | O. Ambacher | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Luminescence properties of highly Si-doped AlN

APPLIED PHYSICS LETTERS 88 7 071906 (2006)

E. Monroy | J. Zenneck | G. Cherkashinin | O. Ambacher | M. Hermann | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Nearly stress-free substrates for GaN homoepitaxy

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 293 2 462-468 (2006)

M. Hermann | D. Gogova | D. Siche | M. Schmidbauer | B. Monemar | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Recording of cell action potentials with AlGaN/GaN field-effect transistors (vol 86, pg 033901, 2005)

APPLIED PHYSICS LETTERS 89 1 019901 (2006)

G. Steinhoff | B. Baur | G. Wrobel | S. Ingebrandt | A. Offenhausser | A. Dadgar | A. Krost | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Chemical functionalization of GaN and AlN surfaces

APPLIED PHYSICS LETTERS 87 26 263901 (2005)

B. Baur | G. Steinhoff | J. Hernando | O. Purrucker | M. Tanaka | B. Nickel | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Highly Si-doped AlN grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

APPLIED PHYSICS LETTERS 86 19 192108 (2005)

M. Hermann | F. Furtmayr | A. Bergmaier | G. Dollinger | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Influence of thermal oxidation on the electronic properties of Pt Schottky contacts on GaN grown by molecular-beam epitaxy

APPLIED PHYSICS LETTERS 86 8 083507 (2005)

O. Weidemann | E. Monroy | E. Hahn | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Mn-rich clusters in GaN: Hexagonal or cubic symmetry?

APPLIED PHYSICS LETTERS 86 13 131927 (2005)

G. Martinez-Criado | A. Somogyi | S. Ramos | J. Campo | R. Tucoulou | M. Salome | J. Susini | M. Hermann | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

Recording of cell action potentials with AlGaN/GaN field-effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS 86 3 033901 (2005)

G. Steinhoff | B. Baur | G. Wrobel | S. Ingebrandt | A. Offenhausser | A. Dadgar | A. Krost | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Direct observation of Mn clusters in GaN by X-ray scanning microscopy

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 43 6A L695-L697 (2004)

G. Martinez-Criado | A. Somogyi | M. Hermann | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

Electron injection-induced effects in Mn-doped GaN

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96 6 3556-3558 (2004)

W. Burdett | O. Lopatiuk | L. Chernyak | M. Hermann | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

High quality heteroepitaxial AlN films on diamond

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96 1 895-902 (2004)

G. Vogg | C. R. Miskys | J. A. Garrido | M. Hermann | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

Influence of crystal defects on the piezoresistive properties of 3C-SiC

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96 5 2878-2888 (2004)

M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

Influence of crystal quality on the electronic properties of n-type 3C-SiC grown by low temperature low pressure chemical vapor deposition

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95 12 7908-7917 (2004)

M. Eickhoff | H. Moller | J. Stoemenos | S. Zappe | G. Kroetz | M. Stutzmann

Online Reference

Photoreflectance studies of (A1)Ga- and N-face AlGaN/GaN heterostructures

THIN SOLID FILMS 450 1 155-158 (2004)

C. Buchheim | A. T. Winzer | R. Goldhahn | G. Gobsch | O. Ambacher | A. Link | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

Piezoresistive properties of single crystalline, polycrystalline, and nanocrystalline n-type 3C-SiC

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96 5 2872-2877 (2004)

M. Eickhoff | M. Moller | G. Kroetz | M. Stutzmann

Online Reference

Structural and interface properties of an AlN diamond ultraviolet light emitting diode

APPLIED PHYSICS LETTERS 85 17 3699-3701 (2004)

C. R. Miskys | J. A. Garrido | M. Hermann | M. Eickhoff | C. E. Nebel | M. Stutzmann | G. Vogg

Online Reference

AlN/diamond heterojunction diodes

APPLIED PHYSICS LETTERS 82 2 290-292 (2003)

C. R. Miskys | J. A. Garrido | C. E. Nebel | M. Hermann | O. Ambacher | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

AlN/Diamond np-junctions

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 12 10-11 1873-1876 (2003)

C. E. Nebel | C. R. Miskys | J. A. Garrido | M. Hermann | O. Ambacher | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

AlxGa1-xN - A new material system for biosensors

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS 13 11 841-846 (2003)

G. Steinhoff | O. Purrucker | M. Tanaka | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures

phys. stat. sol. (c) 0, 1908-1918 (2003) (review article)

M. Eickhoff | J. Schalwig | G. Steinhoff | O. Weidemann | L. Görgens | R. Neuberger | M. Hermann | B. Baur | G. Müller | O. Ambacher | M. Stutzmann

Online Reference

Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures - Part A: Polarization

phys. stat. sol. (c) 0, 1878-1907 (2003) (review article)

O. Ambacher | M. Eickhoff | A. Link | M. Hermann | M. Stutzmann | F. Bernardini | V. Fiorentini | Y. Smorchkova | J. Speck | U. Mishra | W. Schaff | V. Tilak | L. F. Eastmann

Hydrosilylation of crystalline silicon (111) and hydrogenated amorphous silicon surfaces: A comparative X-ray photoelectron spectroscopy study

J. Appl. Phys. 94, 2289-2294 (2003)

A. Lehner | G. Steinhoff | M. S. Brandt | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Hydrosilylation of crystalline silicon (111) and hydrogenated amorphous silicon surfaces: A comparative x-ray photoelectron spectroscopy study

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94 4 2289-2294 (2003)

A. Lehner | G. Steinhoff | M. S. Brandt | M. Eickhoff | M. Stutzmann

Online Reference

Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd : GaN Schottky diodes

APPLIED PHYSICS LETTERS 83 4 773-775 (2003)

O. Weidemann | M. Hermann | G. Steinhoff | H. Wingbrant | A. L. Spetz | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS 83 1 177-179 (2003)

G. Steinhoff | M. Hermann | W. J. Schaff | L. F. Eastman | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

GaN-based heterostructures for sensor applications

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 11 3-6 886-891 (2002)

M. Stutzmann | G. Steinhoff | M. Eickhoff | O. Ambacher | C. E. Nebel | J. Schalwig | R. Neuberger | G. Muller

Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures

SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL 87 3 425-430 (2002)

J. Schalwig | G. Muller | M. Eickhoff | O. Ambacher | M. Stutzmann

Group III-nitride-based gas sensors for combustion monitoring

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED 93 1-3 207-214 (2002)

J. Schalwig | G. Muller | M. Eickhoff | O. Ambacher | M. Stutzmann

Hydrogen response mechanism of Pt-GaN Schottky diodes

APPLIED PHYSICS LETTERS 80 7 1222-1224 (2002)

J. Schalwig | G. Muller | U. Karrer | M. Eickhoff | O. Ambacher | M. Stutzmann | L. Gorgens | G. Dollinger

Online Reference

Observation of ion-induced changes in the channel current of high electron mobility AlGaN/GaN

Mat. Sci.& Eng. B93, 143-146 (2002)

R. Neuberger | G. Müller | M. Eickhoff | O. Ambacher | M. Stutzmann

Observation of ion-induced changes in the channel current of high electron mobility AlGaN/GaN transistors (HEMT)

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED 93 1-3 143-146 (2002)

R. Neuberger | G. Muller | M. Eickhoff | O. Ambacher | M. Stutzmann

Pyroelectric properties of Al(In)GaN/GaN hetero- and quantum well structures

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 14 13 3399-3434 (2002)

O. Ambacher | J. Majewski | C. Miskys | A. Link | M. Hermann | M. Eickhoff | M. Stutzmann | F. Bernardini | V. Fiorentini | V. Tilak | B. Schaff | L. F. Eastman

Pyroelectric properties of Al(In)GaN/GaN hetero- and quantum well structures

J. Phys.: Condens. Matter 14, 3399 (2002)

O. Ambacher | J. Majewski | C. Miskys | A. Link | M. Hermann | M. Eickhoff | M. Stutzmann | F. Bernardini | V. Fiorentini | V. Tilak | B. Schaff | L. F. Eastman

Download   

Piezoresistivity of AlxGa1-xN layers and AlxGa1-xN/GaN heterostructures

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90 7 3383-3386 (2001)

M. Eickhoff | O. Ambacher | G. Krotz | M. Stutzmann

Playing with polarity

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 228 2 505-512 (2001)

M. Stutzmann | O. Ambacher | M. Eickhoff | U. Karrer | A. L. Pimenta | R. Neuberger | J. Schalwig | R. Dimitrov | P. J. Schuck | R. D. Grober

Wetting behaviour of GaN surfaces with Ga- or N-face polarity

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 228 2 519-522 (2001)

M. Eickhoff | R. Neuberger | G. Steinhoff | O. Ambacher | G. Muller | M. Stutzmann

TUM Technische Universität München TUM Technische Universität München Physik Department Elektrotechnik und Informationstechnik TUM Technische Universität München
 

Events & News

17 Jan 2018

ERC Consolidator Grant for Gregor Koblmüller   more

10 Aug 2017

Best Poster Awards for Ganpath Veerabathran and Alexander Andrejew at iNOW 2017   more

27 Jun 2017

Best Poster Award at Nanowire Week for Jochen Bissinger   more

15 Mar 2017

Dr. Kai Müller admitted to the “Junges Kolleg” of the Bavarian Academy of Sciences   more

27 Feb 2017

Two-photon pulses from a single two-level system   more

Seminars

January 26, 2018

Reliability of hexagonal boron nitride dielectric stacks for CMOS applications   more

January 23, 2018

Helical states, spin-orbit coupling, and phase-coherent transport in InAs nanowires   more

January 16, 2018

New insights into novel (and conventional) materials using polarization-sensitive infrared magneto-spectroscopy   more