Functional Polymer Brushes on Hydrogenated Graphene

Chemistry of Materials 25, 466-470 (2013)

M. Seifert | A. H. R. Koch | F. Deubel | T. Simmet | L. Hess | M. Stutzmann | R. Jordan | J. A. Garrido | I. D. Sharp

Online Reference

Organic Functionalization of 3C-SiC Surfaces

ACS Appl. Mater. Interfaces, 5 (4), pp 1393–1399 (2013)

S. Schoell | M. Sachsenhauser | A. Oliveros | J. Howgate | M. Stutzmann | M. S. Brandt | C. Frewin | S. Saddow | I. D. Sharp

Online Reference

In vitro bio-functionality of gallium nitride sensors for radiation biophysics

Biochemical and Biophysical Research Communications 424 2 348-353 (2012)

M. Hofstetter | J. Howgate | M. Schmid | S. Schoell | M. Sachsenhauser | D. Adigüzel | M. Stutzmann | I. D. Sharp | S. Thalhammer

Online Reference

Surface analytical study of carbothermally reduced titania films for electrocatalysis application

Electrochimica Acta 71, 1-9 (2012)

C. Ruediger | F. Maglia | S. Leonardi | M. Sachsenhauser | I. D. Sharp | O. Paschos | J. Kunze

Download   

Surface functionalization of 6H-SiC using organophosphonate monolayers

Applied Physics Letters 100, 101601 (2012)

M. Auernhammer | S. Schoell | M. Sachsenhauser | K. C. Liao | J. Schwartz | I. D. Sharp | A. Cattani-Scholz

Download   

Ultrahigh gain AlGaN/GaN high energy radiation detectors

Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science 209 8 1562-1567 (2012)

Article Featured on Front Cover

J. Howgate | M. Hofstetter | S. Schoell | M. Schmid | S. Schäfer | I. Zizak | V. Hable | C. Greubel | G. Dollinger | S. Thalhammer | M. Stutzmann | I. D. Sharp

Online Reference

Development and characterization of EIS structures based on SiO2 micropillars and pores before and after their functionalization with phosphonate films

phys. stat. sol. (a) 208, 1333 (2011)

M. Hofmann | A. Cattani-Scholz | A. D. Mallorqui | I. D. Sharp | A. Fontcuberta i Morral | L. Moreno Codinachs

Online Reference

Development and evaluation of gallium nitride-based thin films for x-ray dosimetry

Physics in Medicine and Biology 56 3215 (2011) 

M. Hofstetter | J. Howgate | I. D. Sharp | M. Stutzmann | S. Thalhammer

Online Reference

Electrical passivation and chemical functionalization of SiC surfaces by chlorine termination

Applied Physics Letters 98, 182106 (2011)

S. Schoell | J. Howgate | M. Hoeb | M. Auernhammer | J. A. Garrido | M. Stutzmann | I. D. Sharp

Online Reference

Graphene Transistor Arrays for Recording Action Potentials from Electrogenic Cells

Advanced Materials 23, 5045 (2011)

L. Hess | M. Jansen | V. Maybeck | M. Hauf | M. Seifert | M. Stutzmann | I. D. Sharp | A. Offenhäusser | J. A. Garrido

Online Reference

High-transconductance graphene solution-gated field effect transistors

Applied Physics Letters 99, 033503 (2011)

L. Hess | M. Hauf | M. Seifert | F. Speck | T. Seyller | M. Stutzmann | I. D. Sharp | J. A. Garrido

Online Reference

Polymer brushes on graphene

Journal of the American Chemical Society 133, 10490 (2011)

M. Steenackers | A. M. Gigler | N. Zhang | F. Deubel | M. Seifert | L. Hess | C. H. Y. X. Lim | K. P. Loh | J. A. Garrido | R. Jordan | M. Stutzmann | I. D. Sharp

Online Reference

Strahlenbiophysik, Strahleneffekte, Dosimeter oder Biosensor?

Labor&More 4.11 p52-54 (2011)

M. Hofstetter | J. Howgate | I. D. Sharp | M. Schmid | M. Stutzmann | S. Thalhammer

Thermally induced alkylation of diamond

LANGMUIR 26, 18862 (2010).

M. Hoeb | M. Auernhammer | S. Schoell | M. S. Brandt | J. A. Garrido | M. Stutzmann | I. D. Sharp

Online Reference

Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistor Array for Sensing Applications

Advanced Functional Materials 20, 3117–3124 (2010)

M. Dankerl | M. Hauf | A. Lippert | L. Hess | S. Birner | I. D. Sharp | A. Mahmood | P. Mallet | J. Y. Veuillen | M. Stutzmann | J. A. Garrido

Download   Online Reference

Photocatalytic Cleavage of Self-Assembled Organic Monolayers by UV-Induced Charge Transfer from GaN Substrates

Advanced Materials 22, 2632 (2010)

J. Howgate | S. Schoell | M. Hoeb | W. Steins | B. Baur | S. Hertrich | B. Nickel | I. D. Sharp | M. Stutzmann | M. Eickhoff

Online Reference

Real-time x-ray response of biocompatible solution gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices

Applied Physics Letters 96, 092110 (2010)

M. Hofstetter | J. Howgate | I. D. Sharp | M. Funk | M. Stutzmann | H. Paretzke | S. Thalhammer

Online Reference

Structured polymer brushes on silicon carbide

CHEMISTRY OF MATERIALS 22 272 (2010)

M. Steenackers | I. D. Sharp | K. Larsson | N. A. Hutter | M. Stutzmann | R. Jordan

Online Reference

Size-distribution evolution of ion-beam-synthesized nanocrystals in silica

PHYSICAL REVIEW B 80 134121 (2009)

C. W. Yuan | D. O. Yi | I. D. Sharp | S. J. Shin | C. Y. Liao | J. Guzman | J. W. Ager III | E. E. Haller | D. C. Chrzan

Online Reference

Theory of nanocluster size distributions from ion beam synthesis

PHYSICAL REVIEW LETTERS 102 146101 (2009)

C. W. Yuan | D. O. Yi | I. D. Sharp | S. J. Shin | C. Y. Liao | J. Guzman | J. W. Ager III | E. E. Haller | D. C. Chrzan

Online Reference

Electronic properties of self-assembled alkyl monolayers on Ge surfaces

APPLIED PHYSICS LETTERS 92 223306 (2008)

I. D. Sharp | S. Schoell | M. Hoeb | M. S. Brandt | M. Stutzmann

Online Reference

Functionalization of 6H-SiC surfaces with organosilanes

APPLIED PHYSICS LETTERS 92 15 153301 (2008)

S. J. Schoell | M. Hoeb | I. D. Sharp | W. Steins | M. Eickhoff | M. Stutzmann | M. S. Brandt

Online Reference

Modeling nucleation and growth of encapsulated nanocrystals: Kinetic Monte Carlo simulation and rate theory

PHYSICAL REVIEW B 78 245415 (2008)

D. O. Yi | M. H. Jhon | I. D. Sharp | Q. Xu | C. W. Yuan | C. Y. Liao | J. W. Ager III | E. E. Haller | D. C. Chrzan

Online Reference

Non-magnetic compensation in ferromagnetic Ga1-xMnxAs and Ga1-xMnxP synthesized by ion implantation and pulsed-laser melting

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103 123906 (2008)

M. A. Scarpulla | P. R. Stone | I. D. Sharp | E. E. Haller | O. D. Dubon | J. W. Beeman | K. M. Yu

Online Reference

Kinetics of visible light photo-oxidation of Ge nanocrystals: Theory and in situ measurement

APPLIED PHYSICS LETTERS 90 163118 (2007)

I. D. Sharp | Q. Xu | C. W. Yuan | J. W. Beeman | J. W. Ager III | D. C. Chrzan | E. E. Haller

Online Reference

Self- and foreign-atom diffusion in semiconductor isotope heterostructures Part II: Experimental results for silicon

PHYSICAL REVIEW B 75 035211 (2007)

H. Bracht | H. H. Silvestri | I. D. Sharp | E. E. Haller

Online Reference

Compositional tuning of magnetism and electronic transport in Ga1-xMnxP

SOLID STATE COMMUNICATIONS 140 443 (2006)

R. Farshchi | M. A. Scarpulla | P. R. Stone | K. M. Yu | H. H. Silvestri | I. D. Sharp | J. W. Beeman | L. A. Reichertz | E. E. Haller | O. D. Dubon

Large melting point hysteresis of Ge nanocrystals embedded in SiO2

PHYSICAL REVIEW LETTERS  97 155701 (2006)

Q. Xu | I. D. Sharp | C. W. Yuan | D. O. Yi | C. Y. Liao | A. M. Glaeser | A. M. Minor | J. W. Beeman | M. C. Ridgway | P. Kluth | J. W. Ager III | D. C. Chrzan | E. E. Haller

Online Reference

Mn L3,2 X-ray absorption and magnetic circular dichorism in ferromagnetic Ga1-xMnxP

APPLIED PHYSICS LETTERS 89 012504 (2006)

P. R. Stone | M. A. Scarpulla | R. Farshchi | I. D. Sharp | E. E. Haller | O. D. Dubon | K. M. Yu | J. W. Beeman | E. Arenholz | J. D. Denlinger | H. Ohldag

Online Reference

Multiband GaNAsP quaternary alloys

APPLIED PHYSICS LETTERS 88 092110 (2006)

K. M. Yu | W. Walukiewicz | J. W. Ager III | D. Bour | R. Farshchi | O. D. Dubon | S. X. Li | I. D. Sharp | E. E. Haller

Online Reference

Structural properties of Ge nanocrystals embedded in sapphire

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100 114317 (2006)

I. D. Sharp | Q. Xu | D. O. Yi | C. W. Yuan | J. W. Beeman | K. M. Yu | J. W. Ager III | D. C. Chrzan | E. E. Haller

Online Reference

High-purity, isotopically enriched bulk silicon

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 152 G448 (2005)

J. W. Ager III | J. W. Beeman | W. L. Hansen | E. E. Haller | I. D. Sharp | C. Liao | A. Yang | M. L. W. Thewalt | H. Riemann

Mechanism of stress relaxation in Ge nanocrystals embedded in SiO2

APPLIED PHYSICS LETTERS 86 063107 (2005)

I. D. Sharp | D. O. Yi | Q. Xu | C. Y. Liao | J. W. Beeman | Z. Liliental-Weber | K. M. Yu | D. N. Zakharov | J. W. Ager III | D. C. Chrzan | E. E. Haller

Online Reference

Stable, free-standing Ge nanocrystals

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 97 124316 (2005)

I. D. Sharp | Q. Xu | C. Y. Liao | D. O. Yi | J. W. Beeman | Z. Liliental-Weber | K. M. Yu | D. N. Zakharov | J. W. Ager III | D. C. Chrzan | E. E. Haller

Online Reference